多晶金刚石自立基板及其制备方法与流程

技术特征：
1.多晶金刚石自立基板，其是具有正面和背面的多晶金刚石自立基板，其中，所述正面的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下，所述背面的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下，所述正面的算术平均粗糙度ra为1nm以上且3nm以下，厚度为300μm以上且3mm以下。2.层叠基板，其具有：根据权利要求1所述的多晶金刚石自立基板，和贴合在所述正面的sic基板、gan基板、ga2o3基板或单晶金刚石基板。3.多晶金刚石自立基板的制备方法，其具有：在半导体基板上附着平均粒径为1nm以上且100nm以下的金刚石粒子的工序，以所述金刚石粒子为核，通过化学气相生长法，在所述半导体基板上生长厚度为300μm以上且3mm以下的多晶金刚石层，所述多晶金刚石层具有与所述半导体基板相接的生长开始面和与所述半导体基板相反一侧的生长面的工序，然后，除去所述半导体基板而使所述生长开始面露出，得到由所述多晶金刚石层构成的多晶金刚石自立基板的工序，和将所述多晶金刚石层的生长开始面设定为所述多晶金刚石自立基板的正面，将所述多晶金刚石层的生长面设定为所述多晶金刚石自立基板的背面的工序；得到所述多晶金刚石自立基板，其中，所述正面的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下，所述背面的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下，所述正面的算术平均粗糙度ra为1nm以上且3nm以下，厚度为300μm以上且3mm以下。4.根据权利要求3所述的多晶金刚石自立基板的制备方法，其还具有抛光所述多晶金刚石自立基板的正面的工序。5.根据权利要求3或4所述的多晶金刚石自立基板的制备方法，其中，所述半导体基板为硅基板、蓝宝石基板或sic基板。6.层叠基板的制备方法，其具有：根据权利要求3~5中任一项所述的多晶金刚石自立基板的制备方法，和在所述多晶金刚石自立基板的正面贴合sic基板、gan基板、ga2o3基板或单晶金刚石基板，得到层叠基板的工序。

技术总结
提供正面的与异种基板的接合性和背面的散热性两者均优异的多晶金刚石自立基板。本发明的多晶金刚石自立基板(100)具有正面(100A)和背面(100B)。正面(100A)的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下，背面(100B)的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下，正面(100A)的算术平均粗糙度Ra为1nm以上且3nm以下，厚度为300μm以上且3mm以下。厚度为300μm以上且3mm以下。厚度为300μm以上且3mm以下。


技术研发人员：古贺祥泰
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/6/28