一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器的制作方法

技术特征：
1.一种带隙基准核心电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路包括：生成单元、第一分压单元和第二分压单元；其中，所述生成单元，用于生成正温度系数电压和负温度系数电压；以及，基于所述正温度系数电压和所述负温度系数电压，得到正温度系数电流和负温度系数电流；所述第一分压单元，分别连接所述生成单元和所述第二分压单元用于基于所述正温度系数电流和所述负温度系数电流，生成初始电流；所述第二分压单元，用于基于所述初始电流确定基准电压；所述第一分压单元和所述第二分压单元影响所述基准电压的分压比例；所述基准电压具有一阶零温漂系数。2.根据权利要求1所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述第一分压单元包括：第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端连接所述第二电阻的第一端；所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端分别连接所述生成单元。3.根据权利要求2所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值与所述第二电阻的阻值之比为1:1。4.根据权利要求2所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路还包括：电流源；所述电流源包括：mos管；所述mos管的栅极连接所述生成单元；所述mos管的第一源漏极连接电源端；所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端，通过所述第二分压单元连接到所述mos管的第二源漏极。5.根据权利要求4所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述第二分压单元包括：第三电阻；所述第三电阻的第一端连接所述mos管的第二源漏极；所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端均连接所述第三电阻的第二端。6.根据权利要求1所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述生成单元包括：限压子单元、电压生成子单元和分流子单元；所述电压生成子单元和所述分流子单元均连接所述限压子单元；其中，所述限压子单元，用于提供第一钳位电压和第二钳位电压；所述第一钳位电压与所述第二钳位电压相等；所述电压生成子单元，用于基于所述第一钳位电压和所述第二钳位电压生成所述正温度系数电压和所述负温度系数电压；以及，基于所述正温度系数电压得到所述正温度系数电流；所述分流子单元，用于基于所述负温度系数电压得到所述负温度系数电流。7.根据权利要求6所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述限压子单元包括：运算放大器；所述运算放大器的反相输入端提供所述第一钳位电压；所述运算放大器的同相输入端提供所述第二钳位电压。8.根据权利要求7所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述分流子单元包括：第四电阻和第五电阻；
所述第四电阻的第一端连接所述运算放大器的反相输入端；所述第五电阻的第一端连接所述运算放大器的同相输入端；所述第四电阻的第二端和所述第五电阻的第二端均连接接地端。9.根据权利要求7所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述电压生成子单元包括：第六电阻；所述第六电阻的第一端连接所述运算放大器的同相输入端。10.根据权利要求9所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述电压生成子单元还包括：第一bjt管和至少一个第二bjt管；所述第一bjt管和所述至少一个第二bjt管，用于基于所述第一钳位电压和所述第二钳位电压生成所述正温度系数电压；所述正温度系数电压施加于所述第六电阻的两端；所述第一bjt管，还用于基于所述第一钳位电压生成所述负温度系数电压。11.根据权利要求10所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述第一bjt管的第一极连接所述运算放大器的反相输入端，接收所述第一钳位电压；所述至少一个第二bjt管的第一极通过所述第六电阻连接到所述运算放大器的同相输入端，接收所述第二钳位电压；所述第一极为发射极或集电极；所述第一bjt管的基极和第二极，以及所述至少一个第二bjt管的基极和第二极均连接接地端；所述第二极为集电极或发射极。12.根据权利要求10所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述第一bjt管的个数与所述至少一个第二bjt管的个数之比为1:n；n大于等于1。13.根据权利要求10所述的带隙基准核心电路，其特征在于，所述至少一个第二bjt管的个数为1；所述第一bjt管的发射极截面积与所述至少一个第二bjt管的发射极截面积之比为1:n；n大于等于1。14.一种带隙基准源，其特征在于，所述带隙基准源包括如权利要求1至13任一项所述的带隙基准核心电路。15.一种半导体存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求14所述的带隙基准源。16.根据权利要求15所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器至少包括动态随机存取存储器dram。

技术总结
本公开提供了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：生成单元、第一分压单元和第二分压单元。其中，生成单元，用于生成正温度系数电压和负温度系数电压；以及，基于正温度系数电压和负温度系数电压，得到正温度系数电流和负温度系数电流。第一分压单元，分别连接生成单元和第二分压单元，用于基于正温度系数电流和负温度系数电流，生成初始电流。第二分压单元，用于基于初始电流确定基准电压；第一分压单元和第二分压单元影响基准电压的分压比例；基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够调整输出的基准电压，扩大使用范围。扩大使用范围。扩大使用范围。


技术研发人员：程伟杰 罗元钧
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.03.07
技术公布日：2022/6/28