一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质与流程

技术特征：
1.一种超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。2.根据权利要求1所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，判定所述涂胶喷头的喷涂轨迹的方法包括：获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息；根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心；根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域；在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切。3.根据权利要求2所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，确定第一喷涂区域的方法包括：获取芯片的列宽信息；根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息；根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息；将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息；根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同；其中，所述涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上。4.根据权利要求3所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，确定喷涂半径的方法包括：根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息；根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。5.根据权利要求2所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息；根据区域半径信息与喷涂半径信息以计算并获取间距信息；根据间距信息与列宽信息计算间隔行信息；根据间隔行信息规划涂胶喷头于晶圆上方的路径信息；其中，在第一次进行喷涂的过程中，涂胶喷头的移动轨迹于晶圆上的投影位于晶圆最边沿一行的芯片上。6.根据权利要求2所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，
获取位于相邻第一喷涂区域之间的重叠区域信息；根据第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径计算重叠区域宽度信息；根据重叠区域宽度信息以及重叠区域信息模拟重叠区域中线位置信息；根据重叠区域宽度信息计算涂胶喷头位于最大压力下、喷涂半径为重叠区域宽度一半时涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息；通过判断位于重叠区域内的芯片的背胶厚度与位于第一喷涂区域内的芯片的背胶厚度差，对应计算得到涂胶喷头在补喷时的移动速度信息并在补喷时应用于涂胶喷头移动机构上。7.根据权利要求6所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于：在补喷阶段开始之前，对胶液进行烘干，并任意选择位于第一喷涂区域中的芯片和位于重叠区域中的芯片，对其芯片背部的背胶厚度进行检测以获取背胶厚度差；将与芯片大小相同的标记块填补至晶圆的空位中。8.根据权利要求2-7任意一项所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，在对每一行进行喷涂之前，获取在对当前行喷涂时的喷涂半径以及喷涂轨迹信息；获取晶圆的边线信息；根据晶圆的边线信息、喷涂半径以及喷涂轨迹信息计算涂胶喷头在对每一行进行喷涂时的喷涂起点信息；其中，当应用所设定的高度信息以及压力信息在喷涂起点对当前行喷涂时，所述喷涂范围完全位于晶圆之外。9.一种超薄芯片背胶涂覆装置，其特征在于，包括，涂胶平台，用于承载载有芯片的磨片膜，经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；涂胶喷头，用于沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液；涂胶喷头移动机构，用于根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速移动。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有能够被处理器加载并执行如权利要求1至8中任一种方法的计算机程序。

技术总结
本申请涉及一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质，超薄芯片背胶涂覆方法包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。本申请具有可以对经过DBG工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。


技术研发人员：李春阳 彭祎 刘明明 方梁洪
受保护的技术使用者：宁波芯健半导体有限公司
技术研发日：2022.03.26
技术公布日：2022/6/28