三膜MEMS器件的制作方法

技术特征：
1.一种微机电系统mems装置，包括：彼此间隔开的第一膜、第二膜和第三膜，其中所述第二膜在所述第一膜与所述第三膜之间；在所述第一膜与所述第二膜之间的第一低压力区域；在所述第二膜与所述第三膜之间的第二低压力区域；在所述第一低压力区域中的第一定子；以及在所述第二低压力区域中的第二定子。2.根据权利要求1所述的mems装置，其中：所述第一定子和所述第二定子中的每个定子包括由反电极隔离层彼此间隔开的第一反电极元件和第二反电极元件。3.根据权利要求1所述的mems装置，其中：所述第一低压力区域和所述第二低压力区域所具有的压力小于外部压力。4.根据权利要求3所述的mems装置，其中：所述第一低压力区域和所述第二低压力区域的所述压力基本为真空。5.根据权利要求1所述的mems装置，其中：所述第一低压力区域和所述第二低压力区域在密封室内，并且其中所述密封室被形成在所述第一膜与所述第三膜之间。6.根据权利要求1所述的mems装置，其中：所述第二膜包括主体部分和狭长部分，并且其中所述第二膜的所述主体部分通过所述狭长部分被连接到读出电路。7.根据权利要求6所述的mems装置，其中：所述第二膜的所述主体部分为圆形形状；以及所述第二膜的所述狭长部分是从所述第二膜的所述主体部分延伸的突出结构。8.根据权利要求1所述的mems装置，还包括机械耦合到所述第一膜、所述第二膜以及所述第三膜的多个柱状件，其中：所述多个柱状件中的至少一个柱状件具有耦合到所述第一膜的第一端子、耦合到所述第三膜的第二端子以及耦合到所述第二膜的中点，并且其中所述至少一个柱状件的至少一部分是被配置为电耦合两个膜的导电部分。9.根据权利要求8所述的mems装置，其中：所述至少一个柱状件包括耦合在所述第一膜与所述第二膜之间的第一部分以及耦合在所述第二膜与所述第三膜之间的第二部分，并且其中所述至少一个柱状件的所述第一部分由非导电材料形成，并且所述至少一个柱状件的所述第二部分由导电材料形成，并且其中由所述mems装置生成的信号被配置为通过所述至少一个柱状件的所述第二部分在所述第二膜与所述第三膜之间流动。10.根据权利要求1所述的mems装置，其中所述第二膜包括多个开口，并且其中所述第二膜的所述多个开口形成穿孔。11.根据权利要求1所述的mems装置，其中：所述第一膜和所述第一定子形成第一电容器；所述第一定子和所述第二膜形成第二电容器；
所述第二膜和所述第二定子形成第三电容器；以及所述第二定子和所述第三膜形成第四电容器。12.根据权利要求1所述的mems装置，其中：所述mems装置是mems麦克风。13.一种三膜mems器件，包括：彼此间隔开的第一膜、第二膜和第三膜，其中所述第二膜在所述第一膜与所述第三膜之间，并且所述第二膜包括多个开口；在所述第一膜与所述第三膜之间的密封低压力室；以及在所述密封低压力室中的多个电极。14.根据权利要求13所述的三膜mems器件，还包括：在所述密封低压力室中的至少一个柱状件，所述至少一个柱状件被机械耦合到所述第一膜、所述第二膜以及所述第三膜。15.根据权利要求14所述的三膜mems器件，其中：所述至少一个柱状件被配置为在两个膜之间提供电耦合。16.根据权利要求14所述的三膜mems器件，其中：所述至少一个柱状件包括耦合在所述第一膜与所述第二膜之间的非导电部分以及耦合在所述第二膜与所述第三膜之间的导电部分，并且其中所述第一膜与所述第二膜隔离，并且所述第二膜被电耦合到所述第三膜。17.根据权利要求16所述的三膜mems器件，其中：所述第二膜通过所述至少一个柱状件被电耦合到所述第三膜。18.根据权利要求13所述的三膜mems器件，其中：所述第二膜包括圆形形状的主体部分、以及狭长部分，并且其中所述第二膜的所述主体部分通过所述狭长部分被电连接到读出电路。19.根据权利要求13所述的三膜mems器件，其中：所述第二膜的所述多个开口形成穿孔。20.根据权利要求19所述的三膜mems器件，其中：所述穿孔被配置为在蚀刻工艺被应用于所述三膜mems器件之后促进释放工艺。

技术总结
本公开的各实施例涉及三膜MEMS器件。一种系统包括彼此间隔开的第一膜、第二膜和第三膜，其中第二膜在第一膜与第三膜之间，并且第二膜包括多个开口，该系统还包括在第一膜与第三膜之间的密封低压力室和在密封低压力室中的多个电极。的多个电极。的多个电极。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/6/21