一种射频前端芯片的偏置电压产生电路的制作方法

技术特征：
1.一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、pmos管mp1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、nmos管mn1、pmos管mp2、降压单元和电压输出端；所述第一分压单元、第二分压单元、第二电流镜单元、pmos管mp2的源极和降压单元的输入端分别和所述电压输入端电连接，所述pmos管mp2的漏极和降压单元的输出端分别与所述电压输出端电连接；所述第一分压单元的分压节点与所述pmos管mp1的源极电连接，所述第二分压单元的分压节点与所述pmos管mp1的栅极电连接，在所述第一分压单元和第二分压单元导通时，所述第一分压单元的分压节点的电压大于所述第二分压单元的分压节点的电压，所述第一分压单元的分压节点与接地端之间的压差和所述第二分压单元的分压节点与接地端之间的压差均大于1.8v；所述第一电流镜单元对所述pmos管mp1的输出电流进行镜像，输出第二电流，所述第二电流镜单元对所述第二电流进行镜像，输出第三电流，所述第三电流输入到nmos管mn1的漏极，所述nmos管mn1的漏极与所述pmos管mp2的栅极电连接，所述nmos管mn1的栅极与第二分压单元的第二分压节点电连接，在所述第二分压单元导通时所述第二分压单元的分压节点的电压大于所述第二分压节点的电压，所述nmos管mn1的源极接地。2.根据权利要求1所述的一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，所述第一分压单元包括依次串联的电阻r1、二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4，所述二极管d4的负极接地，所述电阻r1未与二极管d1电连接的一端与所述电压输入端电连接，所述电阻r1与所述二极管d1电连接的一端与所述pmos管mp1的源极电连接。3.根据权利要求1或2所述的一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，所述第二分压单元包括依次串联的电阻r2、二极管d5、二极管d6和二极管d7，所述二极管d7的负极接地，所述电阻r2未与二极管d5电连接的一端与所述电压输入端电连接，所述电阻r2与所述二极管d5电连接的一端与所述pmos管mp1的栅极电连接。4.根据权利要求1所述的一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括nmos管mn2、nmos管mn3和nmos管mn4，pmos管mp1的漏极分别和nmos管mn2的漏极、nmos管mn2的栅极、nmos管mn3的栅极电连接，nmos管mn2的源极和nmos管mn3的源极均接地，nmos管mn3的漏极与nmos管mn4的源极电连接，nmos管mn4的栅极与pmos管mp1的栅极电连接，nmos管mn4的漏极与第二电流镜单元电连接。5.根据权利要求1或4所述的一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，所述第二电流镜单元包括pmos管mp3和pmos管mp4，所述pmos管mp3的源极和pmos管mp4的源极与所述电压输入端电连接，所述pmos管mp3的栅极分别和pmos管mp4的栅极、pmos管pm3的漏极和第一电流镜单元电连接，所述pmos管mp4的漏极与nmos管mn1的漏极电连接。6.根据权利要求1所述的一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，所述降压单元包括二极管d8，所述二极管d8的正极和负极分别和电压输入端和电压输出端电连接。

技术总结
本实用新型涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；在实际使用时，当电压输入端输入的电压是3.3V时，PMOS管MP1导通，PMOS管MP1输出的电流经第一电流镜单元和第二电流镜单元镜像后，在NMOS管MN1上产生压降，使PMOS管MP2关断，3.3V电压经降压单元输出；当电压输入端输入1.8V电压时，PMOS管MP1关断，不向第一电流镜单元输入电流，第一电流镜单元和第二电流镜单元不工作，1.8V电压经PMOS管MP2输出，因此本实用新型能够兼容两种电压规格的电源电压输入，且降低输入电压为1.8V时的工作电流和能耗。入电压为1.8V时的工作电流和能耗。入电压为1.8V时的工作电流和能耗。


技术研发人员：刘刚 郭天生 黄小妍 潘浩 赵鹏
受保护的技术使用者：上海乾合微电子有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/6/16