一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示装置的制作方法

2022-06-16 04:41:45 来源:中国专利 TAG:


1.实施例总体上涉及显示装置。更具体地,实施例涉及包括光阻挡层的显示装置。


背景技术:

2.容易具有大面积并且可以薄且轻的平板显示器(“fpd”)已经被广泛用作显示装置。作为平板显示器,液晶显示器(“lcd”)、等离子显示面板(“pdp”)和有机发光显示器(“oled”)等被使用。
3.同时,已经提出了在私密模式下操作的显示装置,其使用私密膜仅向用户传送图像而不向附近的人传送图像。在私密模式下,私密膜用于阻挡向侧向行进的光,并且只让向正向行进的光通过,使得只有用户(不包括用户周围的人)可以感知到图像。


技术实现要素:

4.实施例提供了包括光阻挡层的显示装置。
5.根据实施例的显示装置包括:基板、多个第一发光结构、多个第二发光结构和光阻挡层,基板包括多个第一区域以及与多个第一区域相邻的多个第二区域。多个第一发光结构在多个第一区域中的每一个中设置在基板上并且在平面图中限定多个第一发光像素。多个第一发光结构中的每一个包括第一下电极、设置在第一下电极上的第一上电极以及设置在第一下电极与第一上电极之间的第一发光层。多个第二发光结构在多个第二区域中的每一个中设置在基板上并且在平面图中限定多个第二发光像素。多个第二发光结构中的每一个包括第二下电极、设置在第二下电极上的第二上电极以及设置在第二下电极与第二上电极之间的第二发光层。光阻挡层在多个第二区域中的每一个中设置在基板上并且在平面图中围绕多个第二发光像素。多个第二发光像素当中的第二发光像素的面积大于多个第一发光像素当中的与第二发光像素发射相同颜色的光的第一发光像素的面积。
6.在实施例中,多个第一区域和多个第二区域可以在一个方向上交替地布置。
7.在实施例中,多个第一发光像素和多个第二发光像素中的每一个可以包括发射红光的红色发光像素、发射绿光的绿色发光像素、以及发射蓝光的蓝色发光像素。
8.在实施例中,显示装置可以在其中多个第一发光像素和多个第二发光像素同时发光的共享模式下或者在其中多个第二发光像素发光的私密模式下被驱动。
9.在实施例中,多个第一发光像素可以在行方向和列方向上重复地布置,并且多个第二发光像素可以在行方向和列方向上重复地布置。
10.在实施例中,在平面图中,多个第一发光像素中的每一个的形状可以和多个第二发光像素中的每一个的形状相同。
11.在实施例中,在平面图中,多个第一发光像素和多个第二发光像素中的每一个可以具有菱形形状。
12.在实施例中,在平面图中,多个第一发光像素中的每一个的形状和多个第二发光像素中的每一个的形状可以彼此不同。
13.在实施例中,在平面图中,多个第一发光像素中的每一个可以具有菱形形状。在实施例中,在平面图中,多个第二发光像素中的每一个可以具有矩形形状。
14.在实施例中,在平面图中,多个第二发光像素当中的发射蓝光的第二蓝色发光像素可以设置在多个第二区域中的每一个中的第一列中。在平面图中,多个第二发光像素当中的发射红光的第二红色发光像素以及发射绿光的第二绿色发光像素可以交替地设置在多个第二区域中的每一个中的第二列中。
15.在实施例中,在平面图中,多个第二发光像素中的每一个可以具有相同尺寸的矩形形状。在平面图中,多个第二发光像素可以在一个方向上顺序地布置。
16.在实施例中,显示装置可以进一步包括设置在第一上电极和第二上电极上的封装层以及设置在封装层上的保护构件。
17.在实施例中,光阻挡层可以在多个第二区域中的每一个中设置在封装层上。
18.在实施例中,显示装置可以进一步包括在多个第二区域中的每一个中设置在保护构件上的光阻挡构件。
19.在实施例中,光阻挡构件可以划分为在侧向方向上阻挡光的阻挡区域以及在正向方向上透射光的透射区域。
20.根据实施例的显示装置包括基板、像素限定层和光阻挡层,基板包括多个第一区域以及与多个第一区域相邻的多个第二区域。像素限定层设置在基板上。像素限定层限定位于多个第一区域中的每一个中的多个第一开口以及位于多个第二区域中的每一个中的多个第二开口。光阻挡层在多个第二区域中的每一个中设置在基板上并且在平面图中围绕多个第二开口。在平面图中,多个第二开口中的每一个的面积可以大于多个第一开口中的每一个的面积。
21.在实施例中,多个第一区域和多个第二区域可以在一个方向上交替地布置。
22.在实施例中,发射红光、绿光和蓝光中的一种的第一发光层可以设置在多个第一开口中的每一个中。与第一发光层发射相同颜色的光的第二发光层可以设置在多个第二开口中的每一个中。
23.在实施例中,显示装置可以在其中第一发光层和第二发光层同时发光的共享模式下或者在其中第二发光层发光的私密模式下被驱动。
24.在实施例中,多个第一开口可以在行方向和列方向上重复地布置,并且多个第二开口可以在行方向和列方向上重复地布置。
25.在本发明的显示装置中,光阻挡层可以设置在显示区域的第二区域中。另外,设置在显示区域的第二区域中的第二发光像素的面积可以大于设置在显示区域的第一区域中并且与第二发光像素发射相同颜色的光的第一发光像素的面积。相应地,第一发光像素和第二发光像素的亮度寿命可以基本上相同地保持。
附图说明
26.从下面结合附图的详细描述中将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
27.图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
28.图2是图1的区域“a”的放大图的平面图。
29.图3是沿图2的线i-i'截取的截面图。
30.图4是沿图2的线ii-ii'截取的截面图。
31.图5是示出根据另一实施例的显示装置的显示区域的平面图。
32.图6是示出根据又一实施例的显示装置的显示区域的平面图。
33.图7是示出根据实施例的显示装置的截面图。
34.图8、图9和图10是示出根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
35.将理解,当元件被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上,或者在它们之间可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,则不存在居间元件。
36.将理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分,但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此,下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为“第二元件”、“第二部件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”,而不脱离本文中的教导。
37.在本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的,单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括复数形式(包括“至少一个”),除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”是指“和/或”。如在本文中使用的,术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”规定所述特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
38.在下文中,将参考附图详细解释本公开的实施例。附图中相同的附图标记用于相同的部件,并且将省略相同部件的重复描述。
39.图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。图2是图1的区域“a”的放大图的平面图。
40.参考图1和图2,显示装置100可以包括显示区域da以及与显示区域da相邻的外围区域pa。外围区域pa可以围绕显示区域da的至少一部分。
41.在实施例中,显示区域da可以被划分为多个第一区域1a和多个第二区域2a。第一区域1a和第二区域2a可以在一个方向(即,行方向)上交替地布置。例如,第二区域2a中的一个可以位于第一区域1a当中的两个相邻的第一区域1a之间。
42.多个第一发光像素300可以设置在显示区域da的第一区域1a中的每一个中。多个第二发光像素310可以设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中。第一发光像素300可以包括发射红光的至少一个第一红色发光像素301、发射绿光的至少一个第一绿色发光像素302以及发射蓝光的至少一个第一蓝色发光像素303。第二发光像素310可以包括发射红光的至少一个第二红色发光像素310a、发射绿光的至少一个第二绿色发光像素310b以及发射蓝光的至少一个第二蓝色发光像素310c。
43.在实施例中,第一发光像素300可以在显示区域da的第一区域1a中的每一个中在行方向和列方向上重复地布置。行方向可以是其中第一区域1a和第二区域2a可以交替地布
置的那个方向,并且列方向可以与行方向相交。
44.在实施例中,例如,第一红色发光像素301和第一蓝色发光像素303可以重复地设置在第一区域1a的第一行中,并且第一绿色发光像素302可以重复地设置在第一区域1a的第二行中。另外,第一蓝色发光像素303和第一红色发光像素301可以重复地设置在第一区域1a的第三行中,并且第一绿色发光像素302可以重复地设置在第一区域1a的第四行中。第一绿色发光像素302可以重复地设置在第一区域1a的第一列中,并且第一红色发光像素301和第一蓝色发光像素303可以重复地设置在第一区域1a的第二列中。另外,第一绿色发光像素302可以重复地设置在第一区域1a的第三列中,第一蓝色发光像素303和第一红色发光像素301可以重复地设置在第一区域1a的第四列中,并且第一绿色发光像素302可以重复地设置在第一区域1a的第五列中。
45.在实施例中,以与第一发光像素300相同的方式,第二发光像素310可以在显示区域da的第二区域2a中的每一个中在行方向和列方向上重复地设置。
46.即,红-绿-蓝-绿(“rg-bg”)发光像素可以重复地布置在显示装置100中。例如,在平面图中,第一发光像素300中的每一个和第二发光像素310中的每一个可以具有菱形形状。然而,根据本发明的发光像素的配置不限于此,并且在另一实施例中,在平面图中,第一发光像素300中的每一个和第二发光像素310中的每一个可以具有三角形形状、四边形形状、另一多边形形状、圆形形状或轨道(track)形状。
47.另外,尽管在图2中示出了第一发光像素300的尺寸彼此不同并且第二发光像素310的尺寸彼此不同,但是根据本发明的发光像素的尺寸的配置不限于此。例如,在另一实施例中,第一发光像素300可以具有相同的尺寸并且第二发光像素310可以具有相同的尺寸。
48.在实施例中,光阻挡层bm可以设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中。即,围绕第二发光像素310的光阻挡层bm可以设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中。光阻挡层bm可以不设置在显示区域da的第一区域1a中的每一个中。光阻挡层bm可以是黑矩阵。例如,光阻挡层bm可以包括包含黑色颜料或染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料。
49.在实施例中,显示装置100可以在其中第一发光像素300和第二发光像素310同时发光的共享模式下或者在其中仅第二发光像素310发光的私密模式下被驱动。即,在私密模式下,仅第二发光像素310可以发光,并且第一发光像素300可以不发光。相应地,在共享模式下,在正向方向以及侧向方向上发射的光可以被透射,并且在私密模式下,仅在正向方向上发射的光可以被透射。即,在私密模式下,在正向方向上发射的光可被透射,并且在侧向方向上发射的光可以被光阻挡层bm阻挡。如在本文中使用的,“正向方向”是指显示区域da的主表面平面的法线方向。即,正向方向对应于平面图的观看方向。“侧向方向”是指与正向方向相交的方向。
50.在实施例中,在平面图中,第二发光像素310当中的每个第二发光像素310的面积(或尺寸)可以大于第一发光像素300当中的与每个第二发光像素310发射相同颜色的光的每个第一发光像素300的面积。例如,在平面图中,第二发光像素310当中的第二红色发光像素310a的面积可以大于第一发光像素300当中的第一红色发光像素301的面积,第二发光像素310当中的第二绿色发光像素310b的面积可以大于第一发光像素300当中的第一绿色发光像素302的面积,并且第二发光像素310当中的第二蓝色发光像素310c的面积可以大于第
一发光像素300当中的第一蓝色发光像素303的面积。相应地,第一发光像素300和第二发光像素310的亮度寿命可以基本上相同地保持。
51.如稍后描述的,参考图3和图4,限定多个第一开口op1的像素限定层pdl可以设置在显示区域da的第一区域1a中的每一个中。此外,限定多个第二开口op2的像素限定层pdl可以设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中。发射红色、绿色和蓝色中的任一种颜色的光的第一发光层el1可以设置在第一开口op1中的每一个中。与第一发光层el1发射相同颜色的光的第二发光层el2可以设置在第二开口op2中的每一个中。在实施例中,在平面图中,第二开口op2中的每一个的面积可以大于第一开口op1中的每一个的面积。例如,在平面图中,其中设置有发射第一颜色(例如,红色、绿色和蓝色中的一种)的光的第二发光层el2的第二开口op2的面积可以大于其中设置有发射第一颜色的光的第一发光层el1的第一开口op1的面积。
52.在传统的显示装置中,每个第二发光像素的面积等于与每个第二发光像素发射相同颜色的光的每个第一发光像素的面积。由于设置在显示区域的第二区域中的每一个中的第二发光像素总是发光(即,在共享模式和私密模式下总是发光),因此应力被施加到第二发光像素。即,第二发光像素的平均发光时间长于第一发光像素的平均发光时间。因此,第一发光像素和第二发光像素的亮度寿命没有相同地保持。
53.在本发明的显示装置100中,设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中的第二发光像素310当中的每个第二发光像素310的面积可以大于设置在显示区域da的第一区域1a中的每一个中的第一发光像素300当中的与每个第二发光像素310发射相同颜色的光的每个第一发光像素300的面积。在这种情况下,由于第二发光像素310的平均发光时间可以长于第一发光像素300的平均发光时间,因此流经第一区域1a的电流密度和流经第二区域2a的电流密度可以相同地匹配。相应地,第一发光像素300和第二发光像素310的亮度寿命可以基本上相同地保持。
54.图3是沿图2的线i-i'截取的截面图。
55.参考图2和图3,显示装置100可以包括基板110、缓冲层120、第一晶体管tr1、栅绝缘层130、层间绝缘层140、通孔层150、像素限定层pdl、第一发光结构320、封装层180和保护构件pm等。第一晶体管tr1可以包括第一有源层act1、第一栅电极ge1、第一源电极se1和第一漏电极de1。第一发光结构320可以包括第一下电极160、第一发光层el1和上电极170。保护构件pm可以包括基底粘合层190和基底层210。这里,第一发光结构320可以限定图2中所示的第一发光像素300中的每一个。
56.基板110可以包括第一区域1a和第二区域2a(见图3和图4)。基板110可以包括透明材料或不透明材料。例如,基板110可以包括玻璃或石英等。可替换地,基板110可以包括诸如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚丙烯酸酯等的有机绝缘材料。
57.缓冲层120可以设置在基板110上。即,缓冲层120可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中(见图3和图4)。缓冲层120可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到第一晶体管tr1。例如,缓冲层120可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料。
58.第一有源层act1可以在第一区域1a中设置在缓冲层120上。第一有源层act1可以包括非晶硅或多晶硅等。可替换地,第一有源层act1可以包括氧化物半导体。
59.第一有源层act1可以包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以位于沟道区的两
侧。例如,可以在源区和漏区中的每一个中掺杂杂质。
60.栅绝缘层130可以设置在缓冲层120上。即,栅绝缘层130可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中(见图3和图4)。栅绝缘层130可以充分覆盖第一有源层act1。例如,栅绝缘层130可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、碳化硅(sic
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等。
61.第一栅电极ge1可以在第一区域1a中设置在栅绝缘层130上。在平面图中,第一栅电极ge1可以与第一有源层act1的沟道区重叠。例如,第一栅电极ge1可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)或铝(al)等的导电材料。
62.层间绝缘层140可以设置在栅绝缘层130上。即,层间绝缘层140可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中(见图3和4)。层间绝缘层140可以充分覆盖第一栅电极ge1。例如,层间绝缘层140可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅等。
63.第一源电极se1和第一漏电极de1可以在第一区域1a中设置在层间绝缘层140上。第一源电极se1和第一漏电极de1可以分别通过借由去除栅绝缘层130和层间绝缘层140的一部分而限定的接触孔连接到第一有源层act1的源区和漏区。例如,第一源电极se1和第一漏电极de1中的每一个可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)或铝(al)等的导电材料。
64.通孔层150可以设置在层间绝缘层140上。即,通孔层150可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中(见图3和图4)。通孔层150可以充分覆盖第一源电极se1和第一漏电极de1。通孔层150可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如,通孔层150可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料和/或诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯等的有机绝缘材料。
65.第一下电极160可以在第一区域1a中设置在通孔层150上。第一下电极160可以通过借由去除通孔层150的一部分而限定的接触孔连接到第一漏电极de1。即,第一下电极160可以通过接触孔电连接到第一漏电极de1。例如,第一下电极160可以包括包含氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)等的透明导电层以及包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、铅(pb)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)或钙(ca)等的反射导电层。
66.像素限定层pdl可以设置在通孔层150上。即,像素限定层pdl可以设置在第一区域1a和第二区域2a中的每一个中(见图3和图4)。例如,像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料。在实施例中,像素限定层pdl可以具有暴露第一下电极160的一部分的第一开口op1。第一开口op1可以是多个(见图2和图3)。
67.第一发光层el1可以在第一区域1a中设置在第一下电极160上。即,第一发光层el1可以设置在像素限定层pdl的第一开口op1中。第一发光层el1可以具有包括有机发光层(“eml”)、空穴注入层(“hil”)、空穴传输层(“htl”)、电子传输层(“etl”)和/或电子注入层(“eil”)的多层结构。第一发光层el1的有机发光层可以使用能够发射红光的发光材料形成。可替换地,第一发光层el1的有机发光层可以使用能够发射绿光的发光材料和能够发射蓝光的发光材料中的至少一种形成。例如,有机发光层可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
68.上电极170可以设置在像素限定层pdl和第一发光层el1上。即,上电极170可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中(见图3和图4)。例如,上电极170可以包括包含锂
(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、铂(pt)、铅(pb)、镍(ni)、金(au)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或钡(ba)等的导电层。上电极170可以是连续层,或者可选地,上电极170可以是设置在第一区域1a和第二区域2a中的每个中的单独层。
69.封装层180可以设置在上电极170上。即,封装层180可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中(见图3和图4)。封装层180可以具有无机层和有机层的堆叠结构。例如,有机层可以包括诸如聚丙烯酸酯(“par”)的固化聚合物。例如,无机层可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝(alo
x
)、氧化钽(tao
x
)、氧化铪(hfo
x
)、氧化锆(zro
x
)或氧化钛(tio
x
)等。可替换地,封装层180可以包括玻璃或石英等。
70.保护构件pm可以设置在封装层180上。保护构件pm可以是支撑显示装置100的支撑体。可替换地,保护构件pm可以是保护显示装置100的窗口构件。如上所述,保护构件pm可以包括基底粘合层190和基底层210。
71.基底粘合层190可以设置在封装层180上。即,基底粘合层190的下表面和封装层180的上表面可以彼此接触。例如,基底粘合层190可以是透明粘合层。基底层210可以设置在基底粘合层190上。基底层210可以包括玻璃基板或塑料基板。可替换地,基底层210可以包括由聚合物材料形成或包括聚合物材料的膜层。
72.图4是沿图2的线ii-ii'截取的截面图。
73.参考图3和图4,显示装置100可以包括基板110、缓冲层120、栅绝缘层130、层间绝缘层140、第二晶体管tr2、通孔层150、像素限定层pdl、第二发光结构330、封装层180、光阻挡层bm和保护构件pm等。第二晶体管tr2可以包括第二有源层act2、第二栅电极ge2、第二源电极se2和第二漏电极de2。第二发光结构330可以包括第二下电极161、第二发光层el2和上电极170。保护构件pm可以包括基底粘合层190和基底层210。这里,第二发光结构330可以限定图2中所示的第二发光像素310中的每一个。然而,除了进一步包括光阻挡层bm之外,图4的显示装置100的截面图可以与图3中描述的显示装置100的截面图基本上相同。在下文中,将主要描述光阻挡层bm。
74.在实施例中,光阻挡层bm可以在第二区域2a中设置在封装层180上。即,光阻挡层bm可以不在第一区域1a中设置在封装层180上,并且光阻挡层bm可以仅在第二区域2a中设置在封装层180上。光阻挡层bm可以是黑矩阵。例如,光阻挡层bm可以包括包含黑色颜料或染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料。
75.如上所述,光阻挡层bm可以阻挡从第二发光层el2发射的光当中的指向侧向方向的光。
76.图5是示出根据另一实施例的显示装置的显示区域的平面图。
77.参考图5,多个第一发光像素300可以设置在显示区域da的第一区域1a中的每一个中,并且多个第二发光像素311可以设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中。然而,除了第二发光像素311中的每一个的形状之外,图5的显示装置可以与图2中描述的显示装置100基本上相同。在下文中,将主要描述第二发光像素311中的每一个的形状。
78.第一发光像素300中的每一个的形状和第二发光像素311中的每一个的形状可以彼此不同。在实施例中,第二发光像素311中的每一个可以具有矩形形状。即,第一发光像素300中的每一个可以具有菱形形状,并且第二发光像素311中的每一个可以具有矩形形状。
79.第二发光像素311可以包括发射红光的至少一个第二红色发光像素311a、发射绿
光的至少一个第二绿色发光像素311b以及发射蓝光的至少一个第二蓝色发光像素311c。
80.在实施例中,第二发光像素311可以使用包括具有相对大面积的第二蓝色发光像素311c的s条纹方法来设置。例如,第二发光像素311当中的第二蓝色发光像素311c可以设置在第二区域2a的第一列中,并且第二发光像素311当中的第二红色发光像素311a和第二绿色发光像素311b可以交替地设置在第二区域2a的第二列中。
81.图6是示出根据又一实施例的显示装置的显示区域的平面图。
82.参考图6,多个第一发光像素300可以设置在显示区域da的第一区域1a中的每一个中,并且多个第二发光像素312可以设置在显示区域da的第二区域2a中的每一个中。然而,除了第二发光像素312中的每一个的形状之外,图6的显示装置可以与图2中描述的显示装置100基本上相同。在下文中,将主要描述第二发光像素312中的每一个的形状。
83.第一发光像素300中的每一个的形状和第二发光像素312中的每一个的形状可以彼此不同。在实施例中,第二发光像素312中的每一个可以具有矩形形状。即,第一发光像素300中的每一个可以具有菱形形状,并且第二发光像素312中的每一个可以具有矩形形状。第二发光像素312可以包括发射红光的至少一个第二红色发光像素312a、发射绿光的至少一个第二绿色发光像素312b以及发射蓝光的至少一个第二蓝色发光像素312c。在实施例中,第二发光像素312可以使用其中具有相同尺寸的矩形顺序地设置的rgb条纹方法来设置。例如,第二蓝色发光像素312c可以顺序地设置在第二区域2a的第一列中,第二红色发光像素312a可以顺序地设置在第二区域2a的第二列中,并且第二绿色发光像素312b可以顺序地设置在第二区域2a的第三列中。第二蓝色发光像素312c、第二红色发光像素312a和第二绿色发光像素312b可以重复地设置在第二区域2a的第一行中,并且第二蓝色发光像素312c、第二红色发光像素312a和第二绿色发光像素312b可以重复地设置在第二区域2a的第二行中。
84.图7是示出根据实施例的显示装置的截面图。
85.参考图7,显示装置101可以包括基板110、显示面板pnl、保护构件pm和光阻挡构件30等。显示面板pnl可以包括图3和图4中所示的缓冲层120、栅绝缘层130、第一晶体管tr1、第二晶体管tr2、层间绝缘层140、通孔层150、第一发光结构320、第二发光结构330、像素限定层pdl、封装层180和光阻挡层bm。保护构件pm可以包括图3和图4中所示的基底粘合层190和基底层210。除了进一步包括光阻挡构件30之外,图7的显示装置101可以与参考图3和图4描述的显示装置100基本上相同。在下文中,将主要描述光阻挡构件30。
86.在实施例中,光阻挡构件30可以设置在保护构件pm上。光阻挡构件30可以在第二区域2a中的每一个中设置在保护构件pm上。光阻挡构件30可以划分为透射区域20和阻挡区域10。透射区域20可以在正向方向上透射光,并且阻挡区域10可以在侧向方向上阻挡光。
87.图7示出了光阻挡构件30仅设置在显示装置101的第二区域2a中的每一个中,本发明的配置不限于此,并且光阻挡构件30可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。
88.图8、图9和图10是示出根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。
89.参考图8,可以提供包括透明材料或不透明材料的基板110。基板110可以包括第一区域1a和第二区域2a。缓冲层120可以设置在基板110上。即,缓冲层120可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。例如,缓冲层120可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料。
90.第一有源层act1可以在第一区域1a中设置在缓冲层120上。第二有源层act2可以
在第二区域2a中设置在缓冲层120上。第一有源层act1和第二有源层act2中的每一个可以包括非晶硅或多晶硅等。可替换地,第一有源层act1和第二有源层act2中的每一个可以包括氧化物半导体。
91.栅绝缘层130可以设置在缓冲层120上。即,栅绝缘层130可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。栅绝缘层130可以充分覆盖第一有源层act1和第二有源层act2。例如,栅绝缘层130可以包括氧化硅或氮化硅等。
92.第一栅电极ge1可以在第一区域1a中设置在栅绝缘层130上。第二栅电极ge2可以在第二区域2a中设置在栅绝缘层130上。在平面图中,第一栅电极ge1可以与第一有源层act重叠,并且第二栅电极ge2可以与第二有源层act2重叠。例如,第一栅电极ge1和第二栅电极ge2中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
93.层间绝缘层140可以设置在栅绝缘层130上。即,层间绝缘层140可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。层间绝缘层140可以充分覆盖第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。例如,层间绝缘层140可以包括氧化硅或氮化硅等。
94.第一源电极se1和第一漏电极de1可以在第一区域1a中设置在层间绝缘层140上。第一源电极se1和第一漏电极de1可以分别通过借由去除栅绝缘层130和层间绝缘层140的一部分而限定的接触孔连接到第一有源层act1。另外,第二源电极se2和第二漏电极de2可以在第二区域2a中设置在层间绝缘层140上。第二源电极se2和第二漏电极de2可以分别通过借由去除栅绝缘层130和层间绝缘层140的一部分而限定的接触孔连接到第二有源层act2。例如,第一源电极se1和第二源电极se2中的每一个以及第一漏电极de1和第二漏电极de2中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
95.通孔层150可以设置在层间绝缘层140上。即,通孔层150可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。例如,通孔层150可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
96.参考图9,第一下电极160可以在第一区域1a中设置在通孔层150上。第二下电极161可以在第二区域2a中设置在通孔层150上。第一下电极160和第二下电极161可以分别通过借由去除通孔层150的一部分而限定的接触孔连接到第一漏电极de1和第二漏电极de2。例如,第一下电极160和第二下电极161中的每一个可以包括包含ito、izo、zno或in2o3等的透明导电层以及包含ag、mg、al、pt、pb、au、ni、nd、ir、cr、li或ca等的反射导电层。
97.像素限定层pdl可以设置在通孔层150上。即,像素限定层pdl可以设置在第一区域1a和第二区域2a中。
98.在实施例中,像素限定层pdl可以在第一区域1a中具有暴露第一下电极160的一部分的第一开口op1,并且可以在第二区域2a中具有暴露第二下电极161的一部分的第二开口op2。例如,像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料。
99.第一发光层el1可以设置在第一下电极160上,并且第二发光层el2可以设置在第二下电极161上。即,第一发光层el1可以设置在像素限定层pdl的第一开口op1中,并且第二发光层el2可以设置在像素限定层pdl的第二开口op2中。
100.上电极170可以设置在像素限定层pdl、第一发光层el1和第二发光层el2上。即,上电极170可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。例如,上电极170可以包括包含li、ca、al、mg、ag、pt、pb、ni、au、nd、ir、cr或ba等的导电层。
101.参考图10,封装层180可以设置在上电极170上。即,封装层180可以完全设置在第
一区域1a和第二区域2a中。封装层180可以具有无机层和有机层的堆叠结构。可替换地,封装层180可以包括玻璃或石英等。
102.光阻挡层bm可以在第二区域2a中设置在封装层180上。即,光阻挡层bm可以不在第一区域1a中设置在封装层180上,并且光阻挡层bm可以仅在第二区域2a中设置在封装层180上。在平面图中,光阻挡层bm可以与像素限定层pdl重叠。
103.再次参考图3和图4,保护构件pm可以设置在封装层180上。即,保护构件pm可以完全设置在第一区域1a和第二区域2a中。
104.相应地,可以制造图1中所示的显示装置100。
105.本发明可以应用于包括显示装置的各种显示设备。例如,本发明可以应用于诸如用于车辆、船舶和飞机的显示装置、便携式通信装置、用于展示或信息传递的显示装置和医疗显示装置等的多种显示装置。
106.前述是对实施例的说明并且不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了几个实施例,但是本领域技术人员将容易理解,在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下,实施例中的许多修改是可能的。相应地,所有这些修改都旨在被包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围内。因此,应当理解,前述是对各种实施例的说明并且不应被解释为限于所公开的具体实施例,并且对所公开的实施例的修改以及其它实施例旨在被包括在所附权利要求的范围内。
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