激光二极管驱动电路的制作方法

1.本发明涉及一种激光二极管驱动电路。


背景技术：

2.专利文献1公开了一种能够输出短脉冲的激光的激光二极管驱动电路。该激光二极管驱动电路关断开关元件以对电容器进行充电，然后导通开关元件以利用电容器的放电电流使激光二极管发光，并且在激光二极管停止发光后关断开关元件以再次对电容器进行充电(参见专利文献1的图2)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2016-152336号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.根据专利文献1，当电容器中蓄积的电荷耗尽时，电容器的放电电流变为零，激光二极管停止发光。这里，从开关元件导通到电容器的放电电流变为零的时段，即激光的脉冲宽度依赖于lcr谐振电路的电路常数。lcr谐振电路包括电容器、激光二极管、处于导通状态的开关元件、以阳极和阴极相对于激光二极管的阳极和阴极反向的方式与所述激光二极管并联连接的二极管、以及寄生电感。
8.在专利文献1中公开的激光二极管驱动电路中，开关元件的导通时段被设定为激光的输出时段的1000倍以上(参见专利文献1的段落0042至0043、以及图3和图6)。这会导致间歇地输出不必要的激光，直到lcr谐振电路的谐振充分衰减。
9.本发明的目的在于，提供一种能够抑制不必要的激光输出的激光二极管驱动电路、以及包括这种激光二极管驱动电路的激光装置、激光雷达装置及车辆。
10.解决问题的手段
11.为了实现上述目的，根据本发明的一方面，一种激光二极管驱动电路，包括：开关元件；控制器，其被配置为导通和关断所述开关元件；第二串联电路，其与包括激光二极管的第一串联电路并联连接；以及电容器。所述第二串联电路包括整流元件、以及被配置为限制流过所述整流元件的电流的电流限制器，并且以使所述整流元件的阳极指向阴极的方向与所述激光二极管的阳极指向阴极的方向相反的方式与所述第一串联电路并联连接。所述电容器被配置为在所述开关元件关断时被充电，并且在所述开关元件导通时与所述开关元件、所述第一串联电路及所述第二串联电路形成闭合电路(第一配置)。作为所述电容器，可以仅设置一个电容器，或者也可以设置并联连接的多个电容器。
12.所述第一串联电路可以只包括所述激光二极管，或者可以串联连接有包括所述激光二极管的多个构件。多个构件中的至少一个可以是并联电路。
13.优选地，上述第一配置的激光二极管驱动电路还包括被配置为检测流过所述激光
二极管的电流的分流电阻。所述分流电阻可以包括在所述第一串联电路中，并且所述分流电阻的阻抗可以被配置为低于所述电流限制器的阻抗(第二配置)。
14.优选地，上述第一配置的激光二极管驱动电路还包括被配置为检测流过所述激光二极管的电流的分流电阻。所述分流电阻可以设置在所述第一串联电路的外部，并且所述分流电阻的阻抗可以被配置为低于所述电流限制器的阻抗(第三配置)。
15.在上述第二或第三配置的激光二极管驱动电路中，优选地，所述分流电阻具有并联连接的多个电阻元件(第四配置)。
16.在上述第四配置的激光二极管驱动电路中，优选地，相邻电阻元件之间的间隔为所述电阻元件的长度的两倍除以纳皮尔常数所得的值以上(第五配置)。
17.在上述第一至第五配置中的任一配置的激光二极管驱动电路中，优选地，当开关元件关断时，所述开关元件的体二极管两端的正向电压高于0.7v(第六配置)。
18.在上述第六配置的激光二极管驱动电路中，优选地，所述开关元件是mos场效应晶体管，当所述开关元件关断时，所述开关元件的栅源电压为负(第七配置)。
19.在上述第一至第七配置中的任一配置的激光二极管驱动电路中，优选地，所述开关元件使用带隙大于硅半导体的宽带隙半导体(第八配置)。
20.为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，一种激光装置，包括根据上述第一至第八配置中的任一配置的激光二极管驱动电路、以及所述激光二极管(第九配置)。
21.优选地，上述第九配置的激光装置还包括电路板。所述激光二极管可以安装在所述电路板的第一面上，并且所述开关元件和所述电容器可以安装在背向所述第一面的所述电路板的第二面上(第十配置)。
22.在上述第十配置的激光装置中，优选地，从所述第一面和所述第二面的法线方向看，所述开关元件和所述电容器中的至少一个的至少一部分与所述激光二极管重叠(第十一配置)。
23.为了实现上述目的，根据本发明的又一方面，一种激光雷达装置，包括根据第九至第十一配置中的任一配置的激光装置(第十二配置)。
24.为了实现上述目的，根据本发明的再一方面，一种车辆，包括根据上述第十二配置的激光雷达装置(第十三配置)。
25.发明的效果
26.根据本发明，可以抑制不必要的激光输出。
附图说明
27.图1是示出第一实施方式的激光装置的概略配置的图。
28.图2是示出正电流流过的路径的图。
29.图3是示出负电流流过的路径的图。
30.图4是电流和栅极信号的时间图。
31.图5是示出第二实施方式的激光装置的概略配置的图。
32.图6是示出第三实施方式的激光装置的概略配置的图。
33.图7是示出分流电阻的一配置例的图。
34.图8是电路板的顶视图。
35.图9是电路板的底视图。
36.图10是电路板的剖视图。
37.图11是示出激光雷达装置的概略配置的图。
38.图12是车辆的外观图。
39.图13是示出第一实施方式的激光装置的变形例的图。
40.图14是示出第三实施方式的激光装置的变形例的图。
具体实施方式
41.《1.第一实施方式》
42.图1是示出第一实施方式的激光装置的概略配置的图。第一实施方式的激光装置1a(下称激光装置1a)包括激光二极管ld1、以及激光二极管驱动电路2a。
43.激光二极管驱动电路2a包括nmos(n沟道金属氧化物半导体)晶体管q1、控制器cnt1、电容器c1、二极管d1、以及电流限制器cl1。在本说明书中，mos晶体管表示如下的场效应晶体管，该场效应晶体管的栅极被构造为具有至少三个层，即，电导体层或电阻值低的多晶硅等半导体层、绝缘层、以及p型、n型或本征半导体层。即，mos晶体管的栅极结构不限于由金属、氧化物和半导体组成的三层结构。
44.虽然在本实施方式例中使用nmos晶体管q1作为开关元件，但可以使用除了nmos晶体管q1以外的任意开关元件代替nmos晶体管q1。虽然在本实施方式中使用二极管d1作为整流元件，但也可以使用除了二极管d1以外的任意整流元件代替二极管d1。
45.电流限制器cll例如是单个电阻元件。电流限制器cl1可以是例如由多个电阻元件构成而不是单个电阻元件的电阻电路。电流限制器cl1例如可以是单个二极管而不是单个电阻元件。电流限制器cl1例如可以是多个串联连接的二极管而不是单个电阻元件。电流限制器cl1例如可以是在其栅源电压被调整时限制电流的mos场效应晶体管、在其基极发射极电压被调整时限制电流的双极晶体管等，而不是单个电阻元件。电流限制器cl1不限于元件，而可以是例如电路板上的导线。当导线的一部分用作电流限制器cl1时，可以将对应于电流限制器cl1的导线的部分形成为形状和材料与其他部分不同，使得对应于电流限制器cl1的导线的部分的电阻更高。电流限制器cl1可以是上述示例中的一个以上的组合。例如，电流限制器cl1可以由串联连接的单个电阻元件和单个二极管构成。
46.从控制器cnt1输出的栅极信号g1被馈送至nmos晶体管q1的栅极。电容器c1的一端和nmos晶体管q1的漏极与直流电源ps1的正极连接。电容器c1的另一端与二极管d1的阳极和激光二极管ld1的阴极连接。二极管d1的阴极与电流限制器cl1的一端连接。电流限制器cl1的另一端、激光二极管ld1的阳极、nmos晶体管q1的源极以及直流电源ps1的负极与接地电位连接。
47.包括二极管d1和电流限制器cl1的第二串联电路dc2以使二极管d1的阳极指向阴极的方向与激光二极管ld1的阳极指向阴极的方向相反的方式与包括激光二极管ld1的第一串联电路dc1并联连接。
48.控制器cntl利用栅极信号gl使nmos晶体管ql导通和截止。
49.当nmos晶体管q1截止时，电流从直流电源ps1的正极依次经由电容器c1、二极管d1、电流限制器cl1流向直流电源ps1的负极，因此电容器c1被充电。当直流电源ps1的输出
电压变得与电容器c1的电位差大致相等时，电流停止流动，电容器c1的充电停止。
50.当nmos晶体管q1导通时，由nmos晶体管q1、电容器c1、二极管d1、电流限制器cl1以及激光二极管ld1形成闭合电路。闭合电路包括寄生电感。因此，闭合电路是lcr谐振电路。当在电容器c1中存储有电荷的情况下nmos晶体管q1由截止转为导通时，lcr谐振电路开始谐振。
51.当nmos晶体中q1继续导通时，当流过lcr谐振电路的电流i1为正时的电流i1流过的路径包括如图2所示的激光二极管ld1。因此，当正电流i1流过时，激光二极管ld1发光。当电流i1为负时的电流i1流过的路径不包括如图3所示的激光二极管ld1。因此，当负电流i1流过时，激光二极管ld1不发光。这里，在本实施方式中，nmos晶体管q1的漏极指向源极的方向被定义为电流i1的正方向，nmos晶体管q1的源极指向漏极的方向被定义为电流i1的负方向。
52.图4是示出本实施方式中的电流i1、参考例中的电流i1以及栅极信号g1的波形的时间图。参考例的激光装置具有从激光装置1a省略电流限制器cl1的配置。在图4中，栅极信号g1的高电平时段，即nmos晶体管q1的导通时段被设定为上述lcr谐振电路的谐振时段的一半。
53.nmos晶体管q1的导通时段表示nmos晶体管q1持续导通的时段。具体地，图4中的时间点t1与t2之间的时段是本实施方式中的nmos晶体管q1的导通时段。
54.在本实施方式中，当nmos晶体管q1截止时，此后在图4中的时间点t2与t4之间的时段，负电流i1经由nmos晶体管q1的体二极管流动。在图4中的时间点t2与t4之间的时段，电流i1被电流限制器cl1限制。由此抑制电流i1的振荡，因此抑制在时间点t4之后的正电流i1的出现。因此，可以抑制不必要的激光输出。
55.电流限制器cl1不包括在正电流i1流过的路径(参见图2)中。因此，电流限制器cl1不会产生激光输出的上升速度低下或激光输出的下降等缺点。
56.相比之下，在参考例中，当nmos晶体管q1截止时，此后在图4中的时间点t2与t3之间的时段，负电流i1经由nmos晶体管q1的体二极管流动。在参考例中，没有设置电流限制器cl1，因此不抑制电流i1的振荡。因此，在图4的t3至t5之间的时段，正电流i1经由nmos晶体管q1的漏源寄生电容流动；在图4的t5至t6之间的时段，负电流i1经由nmos晶体管q1的体二极管流动。因此，在图4的时间点t3至t5之间的时段，发生不必要的激光输出。这种不必要的光输出例如可能导致车辆上的激光雷达装置等不正常工作。这里，如果控制器cnt1在图4中的时间点t5以后将nmos晶体管q1由导通转为截止，而不是在图4中的时间点t2将nmos晶体管q1由导通转为截止，则在图4中的时间点t3至t5之间的时段流动的正电流i1将被限制得更少。这进一步增加正电流i1，并增加不必要的激光输出。
57.从以上讨论可知，激光二极管驱动电路2a和激光装置1a能够抑制不需要的激光输出。
58.例如，在激光雷达装置中，不必要的激光输出可能会导致错误检测，因此能够抑制不必要的激光输出的激光二极管驱动电路2a和激光装置1a是非常有用的。
59.nmos晶体管q1的导通时段越长，导通时段之后的正电流更容易流动。但是，在本实施方式中，由于设置有电流限制器cl1，抑制导通时段之后的正电流；因此可以增加nmos晶体管q1的导通时段。即，通过激光二极管驱动电路2a，可以增加nmos晶体管q1的导通时段，
从而使栅极信号g1的生成和nmos晶体管q1的控制容易。
60.《2.第二实施方式》
61.图5是示出第二实施方式的激光装置的概略配置的图。第二实施方式的激光装置1b(下称激光装置1b)包括激光二极管ld1、以及激光二极管驱动电路2b。
62.激光二极管驱动电路2b具有在激光二极管驱动电路2a中追加分流电阻rl的配置。在本实施方式中，分流电阻r1包括在第一串联电路dc1中，并且与激光二极管ld1串联连接。
63.激光二极管驱动电路2b和激光装置1b提供与激光二极管驱动电路2a和激光装置1a相似的效果，并且能够额外地检测流过激光二极管ld1的电流。
64.分流电阻rl检测流过激光二极管ldl的电流。
65.分流电阻rl的高电阻值使电流il的最大值减小，并且减缓激光输出的上升。因此，为分流电阻r1给定低电阻值很重要。相应地，在本实施方式中，分流电阻r1的阻抗被设定为低于电流限制器cl1的阻抗。
66.《3.第三实施方式》
67.图6是示出第三实施方式的激光装置的概略配置的图。第三实施方式的激光装置1c(下称激光装置1c)包括激光二极管ld1、以及激光二极管驱动电路2c。
68.激光二极管驱动电路2c具有在激光二极管驱动电路2a中追加分流电阻rl的配置。在本实施方式中，分流电阻r1与由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2连接在一起形成的并联电路串联连接。
69.激光二极管驱动电路2c和激光装置1c提供与激光二极管驱动电路2a和激光装置1a相似的效果，并且能够额外地检测流过激光二极管ldl的电流。
70.分流电阻r1检测流过激光二极管ld1的电流。这里，在本实施方式中，不同于第二实施方式，分流电阻r1以包括二极管d1的恢复电流的方式检测流过激光二极管ld1的电流。因此，在第二实施方式中检测流过激光二极管ld1的电流的精度高于本实施方式。
71.分流电阻rl的高电阻值使电流il的最大值减小，并且减缓激光输出的上升。因此，为分流电阻r1给定低电阻值很重要。相应地，在本实施方式中，分流电阻r1的阻抗被设定为低于电流限制器cl1的阻抗。
72.《4.分流电阻》
73.图7是示出在第二、第三实施方式中使用的分流电阻r1的配置例的图。图7所示的配置例中的分流电阻r1具有并联连接的多个电阻元件re1。通过将多个电阻元件re1并联连接，容易减小分流电阻r1的电阻值。
74.虽然在图7所示的配置例中并联连接有3个电阻元件re1，但并联连接的电阻元件的个数不限于3个，可以是大于1的任意个数。并联连接的电阻元件re1的个数越多，越容易减小分流电阻r1的电阻值，但分流电阻r1的安装面积越大。因此，可以考虑所要求的分流电阻r1的电阻值和所要求的分流电阻r1的安装面积之间的折衷来决定并联连接的电阻元件re1的个数。
75.为了防止lcr谐振电路的谐振周期冗长的同时使电流i1的最大值增大，优选lcr谐振电路的电感分量较小。为了使在图7所示的配置例的分流电阻r1中形成的寄生电感最小化，优选相邻电阻元件re1之间的互感m为零。
76.相邻电阻元件re1的互感m可以由以下公式(1)给出。这里，ln表示电阻元件re1的
长度，d表示相邻电阻元件re1之间的间隔。互感m的单位是亨利(h)，长度ln和间隔d的单位均为米(m)。
77.m＝2ln(1n(2ln/d)-1)
×
10-7
ꢀꢀꢀ
(1)
78.因此，用于使互感m保持为零的条件可以由下面的公式(2)给出。这里，e表示纳皮尔常数。
79.in(2ln/d)-1≤0
80.d≥2ln/e
ꢀꢀ
(2)
81.即，优选相邻电阻元件re1之间的间隔d为电阻元件re1的长度ln的两倍除以纳皮尔常数所得的值以上。
82.《5.开关元件》
83.优选地，当设置在每个激光二极管驱动电路2a至2c中的nmos晶体管q1截止时，nmos晶体管q1的体二极管两端的正向电压高于一般的硅二极管两端的正向电压(例如，0.7v)。如果nmos晶体管q1的体二极管两端的正向电压在其截止时为高，则电流i1的振荡不仅被电流限制器cl1抑制，而且还被体二极管抑制；因此，可以进一步抑制不必要的激光输出。如果电流i1的振荡被电流限制器cl1充分抑制，则在nmos晶体管q1截止时，nmos晶体管q1的体二极管两端的正向电压无需高于一般的硅二极管两端的正向电压(例如，0.7v)。在nmos晶体管q1截止时，如果nmos晶体管q1的体二极管两端的正向电压不高于一般的硅二极管两端的正向电压(例如，0.7v)，则可以将“反接二极管”与nmos晶体管q1并联连接。“反接二极管”的阳极与nmos晶体管q1的源极连接，“反接二极管”的阴极与nmos晶体管q1的漏极连接。“反接二极管”的整流方向与二极管d1相同。作为“反接二极管”，例如，可以使用正向电压约为0.3v的二极管。正向电压约为0.3v的二极管的一例是sbd(schottky barrier diode，肖特基势垒二极管)。因此，作为“反接二极管”，例如，可以使用sbd(schottky barrier diode，肖特基势垒二极管)。
84.当nmos晶体管q1例如是使用硅半导体的开关元件时，通过将nmos晶体管q1截止时的nmos晶体管q1的栅源电压设定为负值，即通过将nmos晶体管截止时的栅极信号g1的电平设定得低于接地电位，可以将nmos晶体管q1的体二极管两端的正向电压设定得高于一般的硅二极管两端的正向电压(例如，0.7v)。
85.通过将nmos晶体管q1截止时的nmos晶体管q1的栅源电压设定为负值，可以防止nmos晶体管q1在nmos晶体管q1理应截止的时段错误地导通。通过防止nmos晶体管q1错误地导通，可以进一步抑制不必要的激光输出。
86.例如，也可以通过将使用带隙大于硅半导体的宽带隙半导体的开关元件用作nmos晶体管ql，将nmos晶体管q1的体二极管两端的正向电压设定得高于一般的硅二极管两端的正向电压(例如，0.7v)。带隙大于硅半导体的宽带隙半导体例如可以是sic、gan等化合物半导体。
87.通过选择输出电容coss较小的晶体管作为nmos晶体管ql，抑制电流il的振荡；因此，可以进一步抑制不必要的激光输出。输出容量coss较小的晶体管例如可以是由带隙大于硅半导体的宽带隙半导体形成的晶体管。
88.通过选择输入电容ciss较小的晶体管作为nmos晶体管q1，提高nmos晶体管q1导通时段的控制性能；这使得更容易抑制不必要的激光输出。输入电容ciss较小的晶体管例如
可以是由带隙大于硅半导体的宽带隙半导体形成的晶体管。
89.《6.构件布局》
90.图8至图10是示出第一实施方式的构件布局的一例的图。图8是安装有nmos晶体管q1、电容器c1、二极管d1、电流限制器cl1以及激光二极管ld1的电路板b1的顶视图。图9是安装有nmos晶体管q1、电容器c1、二极管d1、电流限制器cl1以及激光二极管ld1的电路板b1的底视图。图10是沿图8和图9中的剖面aa剖切的安装有nmos晶体管q1、电容器c1、二极管d1、电流限制器cl1以及激光二极管ld1的电路板b1的剖视图。图10中的虚线表示电路板b1的第一面f1和第二面f2的法线方向。电路板b1的第一面f1和第二面f2彼此背向且实质上平行。这里，术语“顶视图”和“底视图”是为了方便起见而使用的，并不意味着限制激光装置的设置方式。
91.如图8所示，在电路基板b1的第一面f1上设置有导线ln1至ln3。导线ln1是将to-can封装激光二极管ld1的3号引脚(激光二极管的阴极)p3与二极管d1的阳极电连接的导线。导线ln2是将二极管d1的阴极与电流限制器cl1的一端电连接的导线。导线ln3是将电流限制器cl1的另一端与to-can封装激光二极管ld1的1号引脚(激光二极管的阳极)p1电连接的导线。
92.to-can封装激光二极管ld1的2号引脚p2是内置于to-can封装中的光接收元件的阴极。
93.电路板b1形成有to-can封装激光二极管ld1的1号引脚p1至3号引脚p3分别贯通的通孔。每个通孔在电路板b1的第一面f1和第二面f2的法线方向上延伸。
94.如图9所示，在电路板b1的第二面f2上，设置有导线ln4至ln6。导线ln4将to-can封装激光二极管ld1的3号引脚(激光二极管的阴极)p3与电容器c1的一个端子电连接。导线ln5将to-can封装激光二极管ld1的1号引脚(激光二极管的阳极)p1与nmos晶体管q1的源极电连接。导线ln6将nmos晶体管q1的漏极与电容器c1的另一端电连接。
95.在图8至图10所示的第一实施方式中的构件布局的示例中，激光二极管ld1安装在电路板b1的第一面f1上，nmos晶体管q1和电容器c1安装在电路板b1的第二面f2上。这样，可以缩短正电流i1流过的路径(参见图2至图10中的粗箭头)。这有助于减小正电流i1流过的路径中的导线电感。因此，可以防止lcr谐振电路的谐振周期冗长的同时使电流i1的最大值增大。
96.这里，优选地，从电路板b1的第一面f1和第二面f2的法线方向看，nmos晶体管q1和电容器c1中的至少一个的至少一部分与激光二极管ld1重叠。这样，更容易缩短正电流i1流过的路径。
97.虽然以上描述论及第一实施方式中的构件布局的一例，但在第二、第三实施方式中也采用类似的构件布局有助于减小正电流i1流过的路径中的导线电感。这里，分流电阻r1可以设置在第一面f1和第二面f2中的任一个上。
98.《7.用途》
99.作为可以是上述激光装置1a～1c中的任一个的激光装置1例如被用作图11所示的激光雷达装置x1的一部分。图11所示的激光雷达装置x1是一种扫描激光雷达装置，并且包括激光装置1、光接收器3、光学系统4、以及整体控制器5。整体控制器5控制激光装置1的输出和光学系统4中的反射镜的方向，基于激光装置1的输出的控制方式和光接收器3的输出
信号来计算到物体的距离，并基于光学系统4中的反射镜的方向的控制方式来计算物体的方向。
100.图11所示的激光雷达装置x1例如设置在如图12所示的车辆y1的前端，并且感测位于车辆y1前方的物体。
101.《8.其他变更》
102.本说明书中公开的实施方式在各个方面都应被视为是说明示例性的，而不是限制性的，本发明的技术范围不由以上给出的实施方式的描述定义，而是由所附权利要求书的范围定义，并且应被理解为含括落入与权利要求书等效的意义和范围内的变更。
103.例如，电容器c1、由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2形成的并联电路以及nmos晶体管q1的连接顺序无需在如图1至图5所示的配置中那样。原因在于，由于电容器c1、由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2形成的并联电路以及nmos晶体管q1串联连接，因而即使以不同的顺序连接，也能够获得相似的效果。但是，如果nmos晶体管q1的体二极管相对于二极管d1和激光二极管ld1的方向变得与连接顺序的变更前的方向相反，则有必要使二极管d1和激光二极管ld1的方向也相反。相应地，例如，在图13所示的配置中，与图1所示的配置相比，不仅电容器c1、由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2形成的并联电路以及nmos晶体管q1的连接顺序发生变化，而且二极管d1和激光二极管ld1的方向也发生了变化。又例如，电容器c1、由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2形成的并联电路、分流电阻r1以及nmos晶体管q1的连接顺序无需在如图6所示的配置中那样。原因在于，由于电容器c1、由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2形成的并联电路、分流电阻r1以及nmos晶体管q1串联连接，因而即使以不同的顺序连接，也能够获得相似的效果。但是，如果nmos晶体管q1的体二极管相对于二极管d1和激光二极管ld1的方向变得与连接顺序的变更之前的方向相反，则有必要使二极管d1和激光二极管ld1的方向也相反。相应地，例如，在图14所示的配置中，与图6所示的配置相比，不仅电容器c1、由第一串联电路dc1和第二串联电路dc2形成的并联电路、分流电阻r1以及nmos晶体管q1的连接顺序发生变化，而且二极管d1和激光二极管ld1的方向也发生的变化。这里，在激光二极管驱动电路包括分流电阻r1的配置中，优选地，分流电阻r1的一端与接地电位连接，从而以接地电位为基准给出电流感测结果。
104.激光装置不限于安装在电路板上的一种类型。例如，可以将激光二极管驱动电路的至少一部分与激光二极管一起内置到模块中并容纳在can封装的内部，或者可以将激光装置的至少一部分内置到模块中并容纳在除了can封装以外的容器的内部。
105.例如，本说明书中公开的不同实施方式和变形例可以以任意可行的组合来实施。
106.附图标记说明
107.1a
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第一实施方式的激光装置
108.1b
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第二实施方式的激光装置
109.1c
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第三实施方式的激光装置
110.2a、2b、2c 激光二极管驱动电路
111.b1
ꢀꢀ
电路板
112.c1
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电容器
113.cl1 电流限制器
114.cnt1 控制器
115.d1
ꢀꢀ
二极管
116.dc1第一串联电路
117.dc2第二串联电路
118.ld1激光二极管
119.r1 分流电阻
120.re1电阻元件
121.q1 nmos晶体管
122.x1 激光雷达装置
123.y1 车辆