磁性器件及包含磁性器件的电路的制作方法

1.本发明实施例涉及电磁技术，尤其涉及一种磁性器件及包含磁性器件的电路。


背景技术：

2.当今社会，各行各业中的电子产品中都离不开开关电源的使用。作为高效率供电设备，开关电源的应用备受关注。而变压器、电感等是开关电源中不可或缺的磁性器件。
3.在磁性器件中，绕组是磁性器件的重要组成部分，根据磁场强度公式(h＝ni，其中，i表示电流大小，n表示绕组匝数，h表示磁场强度)可知，一定匝数绕组通入电流将会产生磁场强度，在电流一定的情况下，绕组匝数越多，产生的磁场强度会越来越大。当绕组匝数较多时，磁场强度会备受关注，由于磁场强度将直接影响绕组与绕组之间的工作特性，业内称之为“邻近效应”。
4.对于两个相邻的绕组，示例为绕组a和绕组b，当注入同方向的电流i时，绕组a中电流产生的磁场会在绕组b中感生出电流i
a-b
，电流i
a-b
与电流i二者电流方向相反，为抵消电流i
a-b
，绕组b会产生一个反向的磁场，由此感生出电流i
b-a
，电流i
b-a
与电流i二者电流方向相同。电流i
b-a
使得绕组b中电流产生的磁场强度呈不断上升的趋势，进而会产生较大的涡流损耗(eddy current loss)。


技术实现要素：

5.本发明提供一种磁性器件及包含磁性器件的电路，以降低磁性器件的涡流损耗。
6.第一方面，本发明实施例提供一种磁性器件，包括：电流输入端、电流输出端以及并联在电流输入端和电流输出端之间的至少两个绕组，至少两个绕组交错绕制在一磁芯上，绕组的电流流向与其相邻绕组的电流流向是相反的。
7.一种可能的实施方式中，磁芯为环形结构。
8.第二方面，本发明实施例提供一种包含如第一方面中任一项所述的磁性器件的电路，该电路还包括交流电源、二极管、mos管、控制器、第一电阻和第一电容，其中：
9.磁性器件的电流输入端，通过整流桥与交流电源连接；
10.磁性器件的电流输出端，分别与二极管的输入端和mos管的漏极连接；
11.二极管的输出端，分别与第一电容的一端和负载连接，第一电容的另一端接地；
12.mos管的源极，分别与控制器的第一输入端和第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端接地，控制器用于根据经第一输入端输入的电压生成第一控制信号，并将第一控制信号通过控制器的输出端输出给mos管的栅极，第一控制信号用于控制mos管的开/关。
13.一种可能的实施方式中，电路还包括第二电阻和滤波电路，其中：
14.第二电阻的一端与二极管的输出端连接，第二电阻的另一端与控制器的第二输入端连接，控制器用于根据经第二输入端输入的电压生成第二控制信号，并将第二控制信号通过控制器的输出端输出给mos管的栅极，第二控制信号用于控制mos管的开/关；
15.滤波电路，滤波电路的一端与控制器的第二输入端连接，滤波电路的另一端接地。
16.一种可能的实施方式中，滤波电路包括并联的第三电阻和第二电容。
17.一种可能的实施方式中，第一电容为bulk电容。
18.第三方面，本发明实施例提供一种包含如第一方面中任一项所述的磁性器件的电路，该电路还包括交流电源、二极管、mos管、控制器和第一电容，其中：
19.mos管的漏极，通过整流桥与交流电源连接；
20.mos管的源极，分别与磁性器件的电流输入端和二极管的输出端连接；
21.磁性器件的电流输出端，分别与第一电容的一端和负载连接，第一电容的另一端接地；
22.二极管的输入端，与控制器的输入端连接，控制器用于根据经输入端输入的电压生成控制信号，并将控制信号输出给mos管的栅极，控制信号用于控制所述mos管的开/关。
23.一种可能的实施方式中，电路还包括第一电阻和滤波电路，其中：
24.第一电阻的一端与磁性器件的电流输出端连接，第一电阻的另一端与控制器的输入端连接；
25.滤波电路，滤波电路的一端与控制器的输入端连接，滤波电路的另一端接地。
26.一种可能的实施方式中，滤波电路包括并联的第二电阻和第二电容。
27.一种可能的实施方式中，第一电容为bulk电容。
28.本发明提供的磁性器件及包含磁性器件的电路中，磁性器件包括：电流输入端、电流输出端以及并联在电流输入端和电流输出端之间的至少两个绕组，至少两个绕组交错绕制在一磁芯上，绕组的电流流向与其相邻绕组的电流流向是相反的。通过将磁性器件中相邻绕组的电流流向设置为相反流向来降低磁性器件的涡流损耗。
附图说明
29.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1示出一种现有磁性器件中邻近效应的示意图；
31.图2为本发明一实施例提供的磁性器件的结构示意图；
32.图3为本发明一实施例提供的磁性器件中邻近效应的示意图；
33.图4为本发明另一实施例提供的磁性器件的结构示意图；
34.图5为本发明一实施例提供的电路的结构示意图；
35.图6为本发明另一实施例提供的电路的结构示意图；
36.图7为图6所示电路结构在mos管开通状态下的等效电路示意图；
37.图8为图6所示电路结构在mos管关断状态下的等效电路示意图；
38.图9为本发明又一实施例提供的电路的结构示意图；
39.图10为本发明又一实施例提供的电路的结构示意图；
40.图11为图10所示电路结构在mos管开通状态下的等效电路示意图；
41.图12为图10所示电路结构在mos管关断状态下的等效电路示意图。
具体实施方式
42.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
43.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上部”、“上”、“下”、“前”、“后”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
44.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连通”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中介媒介间相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
45.本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例，例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它单元。
46.描述包括对形成详细描述的一部分的附图的参考。附图示出了根据示例性实施方式的图示。在本文中也可被称为“示例”的这些实施方式被足够详细地描述，以使本领域中的技术人员能够实践本文所描述的所要求保护的主题的实施方式。在不偏离所要求保护的主题的范围和精神的情况下，可组合实施方式，可使用其它实施方式，或可做出结构、逻辑和电气改变。应理解的是，本文中所描述的实施方式并不旨在限制主题的范围，而是使本领域中的技术人员能够实践、制作和/或使用该主题。
47.首先，通过对本发明涉及的部分技术术语及现有磁性器件进行阐述，以引出本发明的构思。
48.涡流损耗，是指导体在非均匀磁场中移动或处在随时间变化的磁场中时，导体内的感生的电流导致的能量损耗，叫做涡流损耗。在导体内部形成的一圈圈闭合的电流线，称为涡流(又称傅科电流)。
49.图1示出一种现有磁性器件中邻近效应的示意图。参考图1，图中有a、b、c三个方块，实际中可以代表三根并排的绕组，它们分别注入了同方向的电流ia、ib、ic，其方向为由“纸外”朝向“纸内”。根据“法拉第电磁感应定律”可知，电流ia产生的磁场会在方块b中感生出电流i
a-b
，其方向为由“纸内”朝向“纸外”；再根据“楞次定律”可知，为抵消电流i
a-b
的作用，方块b会产生一个反向的磁场，由此感生出电流i
b-a
，其方向为由“纸外”朝向“纸内”，与电流ia的方向相同。
50.同理，对于方块c而言，同样有此现象产生，但是它会同时受到方块a和方块b的影
响，因此会产生电流i
c-b
和电流i
c-a
的感生来抵消方块a和b的电磁影响。
51.由此可知，当绕组个数进一步增加时，此现象会愈发的严重，到第n层绕组，将感生出n-1个与其输入电流方向相同的电流。
52.由于电流i
b-a
、电流i
c-b
和电流i
c-a
的方向与启对应的注入电流的方向相同，使得对应绕组中电流产生的磁场强度呈不断上升的趋势，进而使得绕组产生较大的涡流损耗。
53.进一步地，涡流损耗会导致绕组发热严重等问题；另外，由于磁场强度的叠加，导致磁场对外的辐射强度增加，对于由电磁兼容要求的场合，此现象会加剧电磁辐射。
54.基于上述问题，本发明提供一种磁性器件及包含磁性器件的电路，通过将磁性器件中相邻绕组的电流流向设置为相反流向来减小邻近效应的影响，从而降低磁性器件的涡流损耗。
55.其中，磁性器件包括：电流输入端、电流输出端以及并联在电流输入端和电流输出端之间的至少两个绕组，至少两个绕组交错绕制在一磁芯上，绕组的电流流向与其相邻绕组的电流流向是相反的。
56.本发明提供的磁性器件，可应用于开关电源等包含该磁性器件的电路或设备中。
57.以下结合具体的实施例，对本发明提供的磁性器件及包含磁性器件的电路进行解释说明。
58.图2为本发明一实施例提供的磁性器件的结构示意图。参考图2，本实施例提供的磁性器件包括：电流输入端11、电流输出端12以及并联在电流输入端11和电流输出端12之间的两个绕组：绕组13和绕组14，这两个绕组交错绕制在一磁芯19上，绕组13的电流流向与绕组14的电流流向是相反的。
59.需说明的是，图2是以两个绕组为例进行示例说明，但本发明不以此为限制，绕组个数需根据实际需求进行设置。
60.在图2中，绕组13和绕组14的绕线方向相同，其中，绕组13由端口15作为电流入口，并沿着磁芯19顺绕至端口17，该端口17为绕组13的电流出口；绕组14由端口16作为电流入口，并沿着磁芯19顺绕至端口18，该端口18为绕组14的电流出口。
61.其中，电流是从电流输入端11注入的，并分别经端口15和端口16注入绕组13和绕组14，如同图2所示，这样两个绕组的电流方向是交错反向流的。
62.图3示出了双线交错绕制线圈的邻近效应示意图。为便于与图1所示的效果进行比对，该实施例仍以三匝绕组作为范例。参考图3，按照交错绕制方法，相邻两绕组的电流方向相反，因此注入到方块a、b、c的电流方向分别为：ia是由“纸外”朝向“纸内”，ib是由“纸内”朝向“纸外”，ic是由“纸外”朝向“纸内”。
63.根据“法拉第电磁感应定律”可知，电流ia产生的磁场在方块b中感生出电流i
a-b
，其方向为由“纸内”朝向“纸外”；再根据“楞次定律”可知，方块b会产生一个反向的磁场来抵消电流i
a-b
的作用，但是方块b本身电流方向就为“纸内”朝向“纸外”，因此其本身的电流就可以抵消因电流ia感生出的电流i
a-b
。
64.对于方块c而言，本身的电流ic就可以抵消邻近方块b感生出的电流，最后方块c只会感生出电流i
c-a
用于抵消因方块a中电流ia感生出的电流i
a-c
。
65.通过上述分析可知，利用反向电流且交错绕制方法，可以极大地降低邻近绕组产生的感生电流，从而降低绕组产生的磁场强度，达到降低涡流损耗和电磁干扰的目的。
66.本实施例中，磁性器件包括电流输入端、电流输出端以及并联在电流输入端和电流输出端之间的至少两个绕组，至少两个绕组交错绕制在一磁芯上，绕组的电流流向与其相邻绕组的电流流向是相反的。通过将磁性器件中相邻绕组的电流流向设置为相反流向来降低磁性器件的涡流损耗。
67.进一步地，上述结构还可以达到降低磁性器件的损耗的效果；另外，还可以降低磁场强度的同时降低辐射强度，改善电磁干扰。
68.图4为本发明另一实施例提供的磁性器件的结构示意图。参考图4，本实施例提供的磁性器件包括：电流输入端41、电流输出端42以及并联在电流输入端41和电流输出端42之间的两个绕组：绕组43(实线表示)和绕组44(虚线表示)，这两个绕组交错绕制在一磁芯45上，绕组43的电流流向与绕组44的电流流向是相反的。
69.在绕制的过程中，绕组43和绕组44并联一起绕制，直到绕制完成。在连接时，将绕组43的进线端与绕组44的出线端相连接，连接在电流输入端41上；将绕组43的出线端与绕组44的进线端相连接，连接到电流输出端42上。
70.图4中还标注了电流注入的方向，在电流输入端41上注入电流，那么电流经过绕组后，就会从电流输出端42中流出，这样产生的效果时，绕组43和绕组44的电流方向交错相反，如同绕组上“箭头”方向所示。通过上述分析可知，这样的工作效果就可以降低磁性器件的涡流损耗。
71.该实施例中，磁芯45为环形结构，因此该磁性器件又可以称为环形磁性器件。其中，磁芯45的作用是对通电状态下绕组产生的磁场进行储存，并提供磁场运动的路径。
72.需明确的是，这里以磁性器件为电感进行示例说明，但本发明所提供的磁性器件不局限为电感。由于环形磁性器件中绕组的输入/输出在同一侧，这为使用交错绕制的方法提供了便利。
73.接下来，示例说明对本发明提供的磁性器件的应用。下述实施例中，磁性器件是以电感的作用存在的，并给出了该电感在功率因数校正(power factor correction，简称pfc)电路中的应用。
74.应用一
75.图5为本发明一实施例提供的电路的结构示意图。参考图5，本实施例提供的电路包括：如前所述的磁性器件51、交流电源52、二极管53、mos管54、控制器55、第一电阻56和第一电容57。其中：
76.磁性器件51的电流输入端，通过整流桥58与交流电源52连接；磁性器件51的电流输出端，分别与二极管53的输入端和mos管54的漏极连接；二极管53的输出端，分别与第一电容57的一端和负载连接，第一电容57的另一端接地；mos管54的源极，分别与控制器55的第一输入端和第一电阻56的一端连接，第一电阻56的另一端接地，控制器55用于根据经第一输入端输入的电压生成第一控制信号，并将第一控制信号通过控制器55的输出端输出给mos管54的栅极，第一控制信号用于控制mos管54的开/关。
77.具体地，在该电路中，各元器件的功能如下：
78.磁性器件51，用于储存和释放能量；
79.交流电源52，用于提供交流电；
80.mos管54，用于控制磁性器件51能量的储存和释放；
81.二极管53，用于整流，使输出为正电压；
82.第一电容57，用于维持该电路的输出电压vdc的恒定，也相当于是聚集能量；
83.第一电阻56的，用于将流过mos管54的电流转换为电压，传输到控制器55中，用于防止mos管54的过流。
84.一种示例性实施方式中，如图6所示，在图5所示电路结构的基础上，该电路还可以包括第二电阻61和滤波电路62。其中，第二电阻61的一端与二极管53的输出端连接，第二电阻61的另一端与控制器55的第二输入端连接，控制器55用于根据经第二输入端输入的电压生成第二控制信号，并将第二控制信号通过控制器55的输出端输出给mos管54的栅极，第二控制信号用于控制mos管54的开/关；滤波电路62的一端与控制器55的第二输入端连接，滤波电路62的另一端接地。补充说明的是，将电阻61采集的电压信息传输到控制器55中，通过控制器55的内部逻辑控制，保持输出电压vdc的恒定。
85.可选地，滤波电路62可以包括并联的第三电阻621和第二电容622。
86.可选地，第一电容57可以具体为bulk电容。
87.在上述电路处于工作状态时，交流电源52输出的电流经整流桥58后与磁性器件51的电流输入端连接，之后从磁性器件51的电流输出端流出。由于磁性器件中绕组间是交错绕制在同一磁芯上的，因此相邻绕组的电流方向是相反的，如图4所示例。
88.上述电路为升压型pfc电路，其基本工作原理如图7和图8所示，有两种工作状态：
89.工作状态1，如图7所示，mos管54开通，输入电压给磁性器件51充电储能。此时，磁性器件51的储能电压方程为：
[0090][0091]
其中，v
lb
为磁性器件51两端的电压；v
in
为电路的输入电压；lb为磁性器件51的电感量；i
lb
为磁性器件51的电感电流；δi
lb_on
为mos管54的开通时间内电感电流变化率；t
on
为一个周期内mos管54的开通时间。
[0092]
此时，负载ro的能量由第一电容57提供。
[0093]
工作状态2，如图8所示，mos管54关断，输入电压和磁性器件51同时给负载ro供电，这个时候输出电压vo就会高于输入电压v
in
。此时，磁性器件51的放电电压方程为：
[0094][0095]
其中，v
lb
为磁性器件51两端的电压；vo为电路的输出电压；v
in
为电路的输入电压；lb为磁性器件51的电感量；i
lb
为磁性器件51的电感电流；δi
lb_off
为mos管54的关断时间内电感电流变化率；t
off
为一个周期内mos管54的关断时间。
[0096]
根据伏秒平衡，充电的电感电流变化率δi
lb_on
和放电的电感电流变化率δi
lb_off
是相等的，因此有：
[0097]
(v
o-v
in
)
·
t
off
＝v
in
·
t
on
[0098][0099]
根据上式推导，因为(t
off
t
on
)＞t
off
，因此输出电压vo大于输入电压v
in
，这样就实
现了升压。
[0100]
应用二
[0101]
图9为本发明又一实施例提供的电路的结构示意图。参考图9，本实施例提供的电路包括：如前所述的磁性器件91、交流电源92、二极管93、mos管94、控制器95和第一电容96。其中：
[0102]
mos管94的漏极，通过整流桥97与交流电源92连接；mos管94的源极，分别与磁性器件91的电流输入端和二极管93的输出端连接；磁性器件91的电流输出端，分别与第一电容96的一端和负载连接，第一电容96的另一端接地；二极管93的输入端，与控制器95的输入端连接，控制器95用于根据经输入端输入的电压生成控制信号，并将控制信号输出给mos管94的栅极，控制信号用于控制mos管94的开/关。
[0103]
具体地，在该电路中，各元器件的功能如下：
[0104]
磁性器件91，用于储存和释放能量；
[0105]
交流电源92，用于提供交流电；
[0106]
mos管94，用于控制磁性器件91能量的储存和释放；
[0107]
二极管93，用于整流，使输出为正电压；
[0108]
第一电容96，用于维持该电路的输出电压vdc的恒定，也相当于是聚集能量；
[0109]
一种示例性实施方式中，如图10所示，在图9所示电路结构的基础上，该电路还可以包括第一电阻98和滤波电路99。其中，第一电阻98的一端与磁性器件91的电流输出端连接，第一电阻98的另一端与控制器95的输入端连接；滤波电路99的一端与控制器95的输入端连接，滤波电路99的另一端接地。
[0110]
可选地，滤波电路99可以包括并联的第二电阻991和第二电容992。
[0111]
可选地，第一电容96可以为bulk电容。
[0112]
在上述电路处于工作状态时，交流电源92输出的电流经整流桥97及mos管94后与磁性器件91的电流输入端连接，之后从磁性器件91的电流输出端流出。由于磁性器件91中绕组间是交错绕制在同一磁芯上的，因此相邻绕组的电流方向是相反的，如图4所示例。
[0113]
上述电路为降压型pfc电路，其基本工作原理如图11和图12所示，有两种工作状态：
[0114]
工作状态1，如图11所示，mos管94开通，输入电压给磁性器件91充电储能。此时，磁性器件91的储能电压方程为：
[0115][0116]
其中，v
lb
为磁性器件91两端的电压；v
in
为电路的输入电压；lb为磁性器件91的电感量；i
lb
为磁性器件91的电感电流；δi
lb_on
为mos管94的开通时间内电感电流变化率；t
on
为一个周期内mos管94的开通时间。
[0117]
此时，负载ro的能量由第一电容96提供。
[0118]
工作状态2，如图12所示，mos管94关断，磁性器件91给负载ro供电，此时，磁性器件91的放电电压方程为：
[0119]
[0120]
其中，v
lb
为磁性器件91两端的电压；vo为电路的输出电压；v
in
为电路的输入电压；lb为磁性器件91的电感量；i
lb
为磁性器件91的电感电流；δi
lb_off
为mos管94的关断时间内磁电感电流变化率；t
off
为一个周期内mos管94的关断时间。
[0121]
根据伏秒平衡，充电的电感电流变化率δi
lb_on
和放电的电感电流变化率δi
lb_off
是相等的，因此有：
[0122]vo
·
t
off
＝(v
in-vo)
·
t
on
[0123][0124]
根据上式推导，因为(t
off
t
on
)＞t
off
，因此输出电压vo小于输入电压v
in
，这样就实现了降压。
[0125]
通常情况下，上述电路中的mos管以几十至上百khz的工作频率工作，同样地，磁性器件的电流也会按照如此高频率的形态变化，这样导致的结果是：磁性器件中绕组的磁场和电场变化率非常大，从而产生很大涡流效应，导致涡流损耗严重，若采用本发明提供的绕组交错绕制、相邻绕组反向电流的方法，可以使相邻绕组之间在每个周期内的磁场和电场相互抵消，从而达到减小涡流的产生，实现减小涡流损耗的目的，极大地降低磁性器件的温升，且有效地延长其使用寿命。
[0126]
需要说明的是，应理解以上装置的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。例如，处理模块可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述装置的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述装置的存储器中，由上述装置的某一个处理元件调用并执行以上处理模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。
[0127]
虽然仅仅已经对本发明的某些部件和实施例进行了图示并且描述，但是在不实际脱离在权利要求书中的范围和精神的情况下，本领域技术人员可以想到许多修改和改变(例如，各个元件的大小、尺寸、结构、形状和比例、安装布置、材料使用、颜色、取向等的变化)。而且，为了提供对示例性实施例的简洁说明，可能尚未描述实际实施方式的所有部件。应该了解，在任何这种实际实施方式的开发中，如在任何工程或者设计项目中一样，可能进行若干具体实施决策。这种开发工作可能是复杂的且耗时的，但对受益于本发明的那些普通技术人员来说，仍将是设计、加工和制造的例行程序，而无需过多实验。
[0128]
可以理解的是，在本发明的实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分，并不用来限制本发明的实施例的范围。在本发明的实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明的实施例的实施过程构成任何限定。
[0129]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。