一种减少TP寄生电容的驱动架构的制作方法

一种减少tp寄生电容的驱动架构
技术领域
1.本实用新型涉及面板显示技术领域，尤其涉及一种减少tp寄生电容的驱动架构。


背景技术：

2.市面上显示器产品越来越追求窄边框，而为了缩小面板的下边框，目前的方式是通过tp mux1:2的方式，在不改变面板的tp sensor数量，即不改变tp分辨率的情况下，将驱动ic的tp channel缩小为原来的一半，如图1所示 。如图2所示，当mux1为高电位准位时，驱动ic输出sx1和sx2给面内tp sx11和sx21送信号，mux2为高电位准位时，驱动ic输出sx1和sx2给面内tp sx12和sx22送信号。当驱动ic给sx11送感应脉冲讯号时，即mux1为高电位时，此时驱动ic也同步给sx21送tp同区信号，以防止sx11和sx21这两个相邻sensor间出现压差，形成寄生电容c
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，而sx12和sx11同样是相邻sensor，此时mux2为低电位，sx12也为低电位，那么sx11和sx12之间就会存在寄生电容c
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，影响tp功能。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种减少tp寄生电容的驱动架构，解决现有tddi机种tp mux架构下产生的tp sensor间寄生电容，实现减少tp channel数同时保证tp分辨率和tp功能的目的。
4.本实用新型采用的技术方案是：
5.一种减少tp寄生电容的驱动架构，其包括两个以上tp单元和驱动ic输出的两条驱动信号线，tp单元包括多个tp sensor，tp单元的tp sensor呈阵列排布，每个tp单元的tp sensor包括两列tp sensor对，每列tp sensor对包括两行tp sensor；每个tp sensor分别对应连接一个mux电路的一端，每个tp单元的其中一组不同列且不同行的两个tp sensor对应的mux电路的另一端共同连接至一条驱动信号线，每个tp单元的另一组不同列且不同行的两个tp sensor对应的mux电路的另一端共同连接至另一条驱动信号线。
6.进一步地，同一个tp单元的四个mux电路的控制开关的栅极分别连接一个开关信号，不同tp单元的相同位置的tp sensor对应的mux电路的控制开关的栅极共同连接至同一路开关信号。
7.进一步地，四个开关信号均为时序信号，且四个开关信号的高电平电压均相同。
8.进一步地，每个tp单元包括四个tp sensorsx11、sx12、sx21和sx22，四个tp sensor 即sx11、sx12、sx21和sx22分别一一对应连接mux11、mux12、mux21和mux22四个mux电路；sx11和sx12为同一列，sx21和sx22为另一列，sx11和sx21为同一行，sx12和sx22为另一行；mux11和mux22的另一端共同连接至驱动信号线sx1，mux12和mux21的另一端共同连接至驱动信号线sx2。
9.一种减少tp寄生电容的驱动架构的驱动方法，更改驱动ic给四个tp sensor 即sx11/sx12/sx21/sx22送感应脉冲顺序；具体如下：
10.t1时刻：驱动ic给sx11送感应脉冲，mux11为高电位；mux12/mux21为高电位，驱动
ic 给sx12/sx21送空在信号lfd；mux22为低电位 ，sx22为低电位；
11.t2时刻：驱动ic给sx22送感应脉冲，mux22为高电位；mux12/mux21为高电位，驱动ic给sx12/sx21送空在信号lfd；mux11为低电位 ，sx11为低电位；
12.t3时刻：驱动ic给sx12送感应脉冲，mux12为高电位；mux11/mux22为高电位，驱动ic给sx11/sx22送空在信号lfd；mux21为低电位 ，sx21为低电位；
13.t4时刻：驱动ic给sx21送感应脉冲，mux21为高电位；mux11/mux22为高电位，驱动ic给sx11/sx22送空在信号lfd；mux12为低电位 ，sx12为低电位。
14.本实用新型采用以上技术方案，ic输出2根tp channel（sx1/sx2）对应面内4个tp sensor（sx11/sx12/sx21/sx22），此架构需要4个mux信号（mux11/mux12/mux21/mux22）。sx1通过控制信号mux11/mux22分别传输信号给sx11/sx22，sx2通过控制信号mux12/mux21分别传输信号给sx12/sx21。同时更改ic给sx11/sx12/sx21/sx22送sensing pulse顺序，解决现有tddi机种tp mux架构下产生的tp sensor间寄生电容，实现减少tp channel数同时保证tp分辨率和tp功能的目的。
附图说明
15.以下结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细说明；
16.图1为现有tp mux1:2结构示意图；
17.图2为现有tp mux1:2架构的时序图；
18.图3为本实用新型一种减少tp寄生电容的驱动架构结构示意图；
19.图4为tp mux时序图。
具体实施方式
20.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
21.如图3所示，本实用新型公开了一种减少tp寄生电容的驱动架构，其包括两个以上tp单元和驱动ic输出的两条驱动信号线，tp单元包括多个tp sensor，tp单元的tp sensor呈阵列排布，每个tp单元的tp sensor包括两列tp sensor对，每列tp sensor对包括两行tp sensor；即tp单元包括呈两行两列阵列分布的四个tp sensor；每个tp sensor分别对应连接一个mux电路的一端，每个tp单元的其中一组不同列且不同行的两个tp sensor对应的mux电路的另一端共同连接至一条驱动信号线，每个tp单元的另一组不同列且不同行的两个tp sensor对应的mux电路的另一端共同连接至另一条驱动信号线。
22.进一步地，同一个tp单元的四个mux电路的控制开关的栅极分别连接一个开关信号，不同tp单元的相同位置的tp sensor对应的mux电路的控制开关的栅极共同连接至同一路开关信号。
23.进一步地，四个开关信号均为时序信号，且四个开关信号的高电平电压均相同。
24.具体地，如图3所示，本实用新型提出一种tp mux2:4的架构，实现减少tp sensor间的寄生电容。如图3所示，以面板中的4个tp sensor（sx11/sx12/sx21/sx22）为例介绍，现有的tp mux1:2架构中会存在c
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寄生电容，影响tp功能，故提出一种mux2:4的架构，即ic输出2根tp channel（sx1/sx2）对应面内4个tp sensor（sx11/sx12/sx21/sx22），此架构需要4
个mux信号（mux11/mux12/mux21/mux22）。sx1通过控制信号mux11/mux22分别传输信号给sx11/sx22，sx2通过控制信号mux12/mux21分别传输信号给sx12/sx21。
25.如图3所示，一种tp mux2:4的架构中，当ic给sx11送去tp sensing pulse时，因为sx11和sx12/sx21之前存在寄生电容c
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和c
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，故ic需给sx12/sx21送去lfd信号（load free driving，即tp同区信号）；而此时sx22不可以接收到tp sx信号，若sx1同时给sx11和sx22 sensing pulse，就会影响ic判断，出现误触的情况。
26.因此，本实用新型提出一种减少tp寄生电容的驱动架构的驱动方法，更改驱动ic给sx11/sx12/sx21/sx22送感应脉冲顺序；具体如下：
27.t1时刻：驱动ic给sx11送感应脉冲，mux11为高电位；mux12/mux21为高电位，驱动ic 给sx12/sx21送空在信号lfd；mux22为低电位 ，sx22为低电位；
28.t2时刻：驱动ic给sx22送感应脉冲，mux22为高电位；mux12/mux21为高电位，驱动ic给sx12/sx21送空在信号lfd；mux11为低电位 ，sx11为低电位；
29.t3时刻：驱动ic给sx12送感应脉冲，mux12为高电位；mux11/mux22为高电位，驱动ic给sx11/sx22送空在信号lfd；mux21为低电位 ，sx21为低电位；
30.t4时刻：驱动ic给sx21送感应脉冲，mux21为高电位；mux11/mux22为高电位，驱动ic给sx11/sx22送空在信号lfd；mux12为低电位 ，sx12为低电位。
31.本实用新型采用以上技术方案，ic输出2根tp channel（sx1/sx2）对应面内4个tp sensor（sx11/sx12/sx21/sx22），此架构需要4个mux信号（mux11/mux12/mux21/mux22）。sx1通过控制信号mux11/mux22分别传输信号给sx11/sx22，sx2通过控制信号mux12/mux21分别传输信号给sx12/sx21。同时更改ic给sx11/sx12/sx21/sx22送sensing pulse顺序，解决现有tddi机种tp mux架构下产生的tp sensor间寄生电容，实现减少tp channel数同时保证tp分辨率和tp功能的目的。
32.显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。