技术特征：
1.一种开关模块，其将mosfet和向该mosfet的栅极电极施加栅极驱动电压的驱动电路安装在基板上，其特征在于，所述驱动电路在与所述栅极电极之间经由阻尼调整元件和接合线而与所述mosfet电连接。2.根据权利要求1所述的开关模块，其特征在于，所述阻尼调整元件是根据所述mosfet的寄生电容来设定其电阻值的栅极电阻。3.根据权利要求2所述的开关模块，其特征在于，所述栅极电阻是高电力芯片电阻或薄膜电阻器。4.根据权利要求2或3所述的开关模块，其特征在于，所述栅极电阻的电阻值被设定为来自所述驱动电路的栅极驱动电压的施加结束之后的返回电压不会超过阈值。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的开关模块，其特征在于，所述基板是由氧化铍或氮化铝形成的。
技术总结
本发明涉及一种开关模块，其将MOSFET和向该MOSFET的栅极电极施加驱动电压的驱动电路安装在基板上。本发明的开关模块中，驱动电路在与栅极电极之间经由阻尼调整元件和接合线而与MOSFET电连接。而与MOSFET电连接。而与MOSFET电连接。
技术研发人员：国玉博史 吉田卓矢
受保护的技术使用者：株式会社京三制作所
技术研发日：2019.10.30
技术公布日：2022/6/4
再多了解一些
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