线性稳压器和具有线性稳压器的系统的制作方法

线性稳压器和具有线性稳压器的系统
优先权声明
1.本专利申请引用并要求于2021年5月3日提交的申请号为202141020190、名称为“ldo补偿”的未决临时印度专利申请的优先权，以及引用并要求于2021年12月2日提交的申请号为17/457,267的美国专利申请的优先权，并且二者全部内容以引用形式并入本文。
技术领域
2.本技术实施例总体上涉及电源电路，并且更具体地，涉及用于线性稳压器中的频率补偿的负载电流感测。


背景技术：

3.在相关领域中众所周知的是，电压稳压器是指基于输入端接收的输入电压在输出端产生稳定的(调节的)输出电压的组件或设备。一般来说，无论由输出电压供电的负载可能汲取的负载电流的大小或输入电压的大小变化，都力求将输出电压维持在固定水平(恒定大小)。
4.线性稳压器使用在线性区域中工作的传递元件，该传递元件位于输入端和输出端之间，并且调节传递元件的电阻以将输出电压维持在期望的恒定水平。通常采用负反馈回路来调整传输元件的电阻，以将输出电压维持在恒定水平。
5.线性稳压器的特征在于其能够响应输出电压从期望的恒定大小波动的瞬态情况。这种波动通常是由于输入电压和负载电流中的一个或多个的变化造成的。可以说电压稳压器处于瞬态，直到输出电压被反馈回路校正回期望的恒定大小。电压稳压器在这种瞬态下的响应可以称为瞬态响应，其通常根据从期望的恒定大小的变化大小和返回到输出电压的期望的恒定大小所花费的时间来量化。所用时间越短，瞬态响应越快，反之亦然。
6.频率补偿是线性稳压器中常用的一种技术。该技术通常用于确保输出电压的稳定性(例如，防止振铃)，并且还用于防止在线性稳压器中正常工作的负反馈回路中可能出现的正反馈。频率补偿中经常使用的一种技术是降低环路增益(开环增益)。然而，至少在某些情况下，这种降低环路增益降低了线性稳压器的瞬态响应(即，导致输出电压恢复到期望的恒定大小的时间更长)，从而大体上也降低了其他技术参数，例如负载和线性调整率。


技术实现要素：

7.本技术的若干方面旨在当采用降低环路增益进行频率补偿时，在线性稳压器中实现快速瞬态响应。
8.本技术部分实施例提供一种线性稳压器，包括：传输晶体管，所述传输晶体管的第一电流端被耦接以接收输入电压，第二电流端被耦接到所述线性稳压器的调节后的输出节点，并提供调节后的输出电压；误差放大器，其被耦接以从第一输入端接收参考电压和从第二输入端接收反馈电压，所述反馈电压源自所述调节后的输出电压；所述误差放大器用于在所述误差放大器的输出节点产生表示所述参考电压和所述反馈电压的差值的误差信号；
缓冲器，其具有耦接所述误差放大器的输出节点的输入端，以及耦接所述传输晶体管的控制端的输出端；第一组件，耦接在所述误差放大器的输出节点和所述调节后的输出节点之间，用于所述线性稳压器的频率补偿；以及第二组件，其耦接在所述误差放大器的输出节点和所述第一组件之间，所述第二组件用于在所述调节后的输出节点处的电压瞬变期间，增加由所述误差放大器的输出节点和所述调节后的输出节点之间的所述第一组件和所述第二组件的组合提供的阻抗。
9.在一些实施例中，第一组件是第一晶体管，所述第二组件是第二晶体管；其中：所述第一晶体管的控制端耦接所述误差放大器的输出节点，所述第一晶体管的第二电流端耦接所述调节后的输出节点，以及所述第二晶体管的控制端耦接所述缓冲器的输出端，所述第二晶体管的第一电流端耦接所述误差放大器的输出节点，所述第二晶体管的第二电流端耦接所述第一晶体管的第一电流端。
10.在一些实施例中，所述电压瞬变是负电压瞬变，其中所述第二组件用于在所述负电压瞬态的持续时间内增加所述阻抗。
11.在一些实施例中，所述线性稳压器还包括负载电容，其耦接在所述线性稳压器的调节后的输出节点和第一恒定参考电位之间，其中：所述负载电容的电容和所述传输晶体管的跨导的组合在所述线性稳压器的开环传递函数中产生极点，其中所述极点的频率位置随从所述调节后的输出节点汲取的负载电流的大小而变化，所述第一晶体管和所述第二晶体管的组合用于基于所述负载电流的大小来降低所述开环传递函数的增益，以提供所述频率补偿。
12.在一些实施例中，所述传输晶体管是n型金属氧化物半导体场效应晶体管nmos。
13.在一些实施例中，其中所述误差放大器和所述缓冲器中的每一个由具有有限电流能力的电荷泵供电，其中所述电压瞬变是负电压瞬变，在所述负瞬变期间，所述缓冲器用于增加来自所述缓冲器的电流输出，以对所述传输晶体管的寄生栅-源电容进行快速充电，以实现所述负电压瞬变的快速校正。
14.在一些实施例中，其中所述缓冲器包括：以电流镜配置耦接的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的第一电流端耦接所述误差放大器的输出节点，所述第一晶体管的第二电流端耦接所述第一晶体管和第二晶体管中的每一个的控制端，所述第二晶体管的第一电流端耦接所述传输晶体管的控制端，并且所述第二晶体管的第二电流端耦接所述调节后的输出节点；第一电流源，其具有耦接所述第一晶体管的第二电流端的第一端和耦接所述第一恒定参考电位的第二端；第二电流源，其具有耦接第二恒定参考电位的第一端和耦接所述传输晶体管的控制端的第二端；第三晶体管和第四晶体管，其耦接为差分对，其中所述第三晶体管的控制端耦接所述误差放大器的输出节点，所述第四晶体管耦接所述传输晶体管的控制端；第三电流源，其具有耦接到所述第二恒定参考电位的第一端，以及耦接到所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一个的第一电流端的第二端；第五晶体管，其具有第一电流端和控制端，所述第一电流端和所述控制端各自耦接所述第三晶体管的第二电流端，所述第五晶体管的第二电流端耦接所述第一恒定参考电位；第六晶体管，其具有第一电流端和控制端，所述第一电流端和所述控制端各自耦接所述第四晶体管的第二电流端，所述第六晶体管的第二电流端耦接所述第一恒定参考电位；第四电流源，其具有耦接所述第四晶体管的第二电流端的第一端和耦接所述第一恒定参考电位的第二端；第七晶体管，
其以电流镜配置耦接所述第六晶体管，所述第七晶体管的控制端耦接所述第六晶体管的控制端，所述第七晶体管的第二电流端耦接所述第一恒定参考电位；第八晶体管，其具有第二电流端和控制端，所述第二电流端和所述控制端各自耦接所述第七晶体管的第一电流端，所述第八晶体管的第一电流端耦接到所述第二恒定参考电位；以及第九晶体管，其以电流镜配置耦接所述第八晶体管，所述第九晶体管的控制端耦接所述第八晶体管的控制端，所述第九晶体管的第一电流端耦接所述第二恒定参考电位，并且所述第九晶体管的第二电流端耦接所述传输晶体管的控制端。
15.在一些实施例中，其中在没有所述电压瞬变的情况下，所述误差放大器的输出节点处的电压等于所述传输晶体管的控制端处的电压，并且所述第九晶体管处于截止状态，其中，当存在负电压瞬变时，所述误差放大器的输出节点处的电压超过所述传输晶体管的控制端处的电压，所述第九晶体管处于导通状态，并且所述第九晶体管和所述第二电流源的并联组合向所述传输晶体管的控制端提供增加的电流驱动。
16.本技术部分实施例还提供一种系统，包括：耦接电源的电力端；以及电源单元，其被耦接以从所述电力端接收电力，所述电源单元包括第一线性稳压器，所述第一线性稳压器被耦接以接收所述电力并产生第一较低电源电压；所述第一线性稳压器采用上述任意线性稳压器。
17.在一些实施例中，所述系统还包括：天线；耦接所述天线的第一双工器；以及第一收发器，其中所述第一较低电源电压用于为所述第一收发器中的噪声敏感块供电，所述第一收发器包括发射器部和接收器部，所述发射器部和所述接收器部各自耦接到所述第一双工器，所述第一收发器经由所述第一双工器和所述天线向无线介质发送通信信号，所述第一收发器还经由所述第一双工器和所述天线从所述无线介质接收通信信号。
18.在一些实施例中，所述系统是基站收发台bts系统，所述bts系统还包括：耦接所述天线的组合器；多个双工器，所述多个双工器的每一个都耦接所述组合器，所述多个双工器包括所述第一双工器；以及多个收发器，包括所述第一收发器，所述多个收发器中的每一个包括发射器部和接收器部，在一端耦接到所述多个双工器中相应的一个，在另一端耦接到基站控制器(bsc)，其中所述多个收发器中的每一个用于经由所述多个双工器、所述组合器和所述天线中相应的一个将从所述基站控制器接收的信息信号发送到所述无线介质中，以及经由所述多个双工器、所述组合器和所述天线中相应的一个将从所述无线介质接收的信息信号转发到所述基站控制器；其中所述电源单元包括：多个dc-dc转换器，其被耦接以从所述电力端接收所述电力并生成相应的电源电压，所述多个dc-dc转换器包括第一dc-dc转换器以生成第一电源电压，其中所述第一电源电压用于为所述第一收发器中的噪声不敏感块供电，其中所述第一线性稳压器被耦接以从所述第一dc-dc转换器接收所述第一电源电压以生成所述第一较低电源电压；以及多个线性稳压器，其被耦接以从所述dc-dc转换器中相应的一个接收电源电压并产生相应的较低电源电压，其中所述多个线性稳压器包括所述第一线性稳压器。其中由一个或多个所述dc-dc转换器产生的电源电压用于为所述多个收发器中的噪声不敏感块供电，并且其中由一个或多个所述线性稳压器产生的电源电压用于为所述多个收发器中的噪声敏感块供电，以及其中所述多个线性稳压器中的至少第二线性稳压器的实现方式与所述第一线性稳压器类似。
附图说明
19.本技术的示例实施例将参考以下简要描述的附图来进行描述。
20.图1示出了现有的线性稳压器的细节示意图，其中钳位用于降低高负载电流下的环路增益，以确保环路稳定性。
21.图2示出了在本技术的实施例中即使在采用降低环路增益技术时用于提供快速瞬态响应的线性稳压器的细节示意图。
22.图3示出了在本技术的实施例中的单位增益缓冲器的电路图，该单位增益缓冲器用于在调节输出电压中发生瞬变的情况下提供增加的缓冲转换电流。
23.图4是结合根据本技术的几个方面实现的线性稳压器的示例设备/系统的框图。
24.在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元件。元件首次出现的图由相应附图标记中最左边的数字表示。
具体实施方式
25.1.概述
26.本技术的一个方面使得即使在环路增益降低元件用于提供频率补偿时，线性稳压器能够提供快速瞬态响应。在一个实施例中，线性稳压器包括传输晶体管、误差放大器、缓冲器、第一组件和第二组件。传输晶体管在第一电流端接收输入电压。传输晶体管的第二电流端连接到稳压器的调节后的输出节点，并提供调节输出电压。误差放大器在第一输入端接收参考电压，在第二输入端接收从调节后的输出电压导出的反馈电压。误差放大器产生表示参考电压和反馈电压之差的误差信号。缓冲器具有连接到误差放大器的输出节点的输入端，以及连接到传输晶体管的控制端的输出端。第一组件连接在误差放大器的输出节点和调节后的输出节点之间，用于频率补偿。第二组件连接在误差放大器的输出节点和第一组件之间，并且在调节后的输出节点处出现电压瞬变时，操作增加由误差放大器的输出节点和调节后的输出节点之间的第一组件和第二组件的组合提供的阻抗。从而实现快速瞬态响应。
27.下面参考示例来描述本技术的几个方面以进行说明。然而，本领域的技术人员将认识到，本技术可以在没有一个或多个具体细节的情况下或者利用其他方法、组件、材料等来实施。在其他情况下，未详细示出公知的结构、材料或操作，以避免模糊本技术的特征。此外，所描述的特征/方面可以以各种组合来实践，尽管为了简明起见，这里仅描述了一些组合。
28.2.示例设备
29.图1示出可以根据本技术的几个方面进行改进的示例设备的示意图。图1示出了现有的线性稳压器100。如图所示,现有的线性稳压器100包括误差放大器110、mosfet钳位(简称mclamp)120、缓冲器130、传输晶体管(传输元件)140、包括电阻160和电阻170的分压器网络。此外，还示出了负载电容150和负载(电流)151。端199代表接地端。传输晶体管140是n型mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管或简称nmos)，尽管通常也采用p型晶体管。nmos 140从电源(未示出)接收漏极(d)端上的输入电压(input voltage，简称vin)101。nmos 140的源极(s)端是稳压器的输出端，在该输出端上提供调节后的输出电压(output voltage，简称vout)145。nmos 140的导通电阻由误差放大器110(经由缓冲器130)施加在nmos 140的
120)的漏极和栅极短路，且被放置在节点113和节点145之间，如图1所示。也就是说，晶体管120的漏极和栅极连接到节点113，晶体管120的源极连接到vout 145。在零负载电流或低负载电流下，节点113上的电压相对较小，因此mclamp 120截止。因此，环路在零负载电流或低负载电流下具有高增益。然而，随着负载电流增加，节点113上的电压增加，并且mclamp 120导通，晶体管120的导通电阻(1/gm，其中gm代表晶体管120的跨导)相对于电压113呈指数下降。因此，mclamp120在节点113和节点145之间呈现阻抗，该阻抗随着负载电流的增加而减小，从而随着负载电流的增加相应地降低环路增益，从而确保环路稳定性。
37.然而，使用mclamp 120的一个缺点是：mclamp 120的存在降低了误差放大器110的电压输出113在负载电流增加的情况下上升(增加)以校正vout的相应下降的速度。一般来说，负载电流(相对于时间)增加越大，电压113增加到足以完全校正输出电压vout下降所需的时间就越长。因此，稳压器100的瞬态响应变慢，并且负载和线路调节规格通常可能降低。
38.本技术的各方面旨在至少克服上述缺点，在仍然采用使用mclamp 120(或类似阻抗)的增益限制的同时，实现快速瞬态响应。
39.3.实现快速瞬态响应
40.图2是示出根据本技术各方面的线性稳压器的细节示意图。图2示出了线性稳压器200，该线性稳压器200包括误差放大器210、mosfet钳位(简称mclamp)220、缓冲器230、传输晶体管(传输元件)240、包括电阻260和电阻270的分压器网络以及晶体管280。此外，还示出了负载电容250和负载(电流)251。端299代表接地端。传输晶体管240是n型mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管或简称nmos)，尽管通常也可以采用p型晶体管。在一个实施例中，稳压器200被实现为低压差稳压器(low-dropout regulator，简称ldo)。
41.误差放大器210、mosfet钳位(mclamp)220、缓冲器230、传输晶体管(传输元件)240、包括电阻260和电阻270的分压器网络、负载电容(load capacitor，简称cload)250和负载251与误差放大器110、mosfet钳位(mclamp)120、缓冲器130、传输晶体管(传输元件)140、包括电阻160和电阻170的分压器网络、负载电容150和负载151的实现功能相似。为了简明起见，此处不再赘述其描述或操作。
42.nmos 240在漏极(d)上从电源(未示出)接收输入电压201(input voltage，简称vin)。nmos 240的源极是稳压器200的输出端，在该输出端上提供调节输出电压vout(output voltage，简称vout)245。nmos 240的导通电阻由误差放大器210(经由缓冲器230)施加在nmos 240的栅极(g)上的电压来控制，并且是可调的，使得尽管负载电流251和/或vin发生变化，vout245仍维持在期望的水平。vcp 202表示由电荷泵(未示出)在稳压器200内部产生的电压。除下述不同之处以外，稳压器200的操作类似于现有稳压器100的操作。
43.根据本技术的一个方面，另一个晶体管280与mclamp 220串联连接。晶体管280的源极连接晶体管220的漏极，晶体管280的漏极连接节点213，并且晶体管280的栅极连接缓冲器230的输出234。晶体管220的源极连接vout 245，晶体管220的栅极连接节点213。
44.在操作中，在输出电压vout出现负瞬变的情况下，节点234上的电压相对低于节点213上的电压，因为传输晶体管240的栅源电容需要时间进行充电。因此，晶体管280截止或者具有高导通电阻。相应地，晶体管220也是截止或者具有高导通电阻。因此，节点213和节点245(vout)之间的有效阻抗非常高，电压213自由上升，并且与缓冲器230一起操作以快速将vout恢复到期望的恒定大小。一旦达到稳态，电压234等于电压213(缓冲器230是单位电
压增益缓冲器)，并且晶体管280完全导通。因此，晶体管220和280的串联组合返回到低阻抗状态，阻抗的具体大小取决于负载电流251。因此，在vout中的负瞬变期间，晶体管280的操作用于至少部分地抵消晶体管220的操作，从而使得稳压器能够快速响应瞬态。
45.在输出电压vout出现正瞬变的情况下，电压213需要降低。然而，这不存在问题，因为晶体管220和晶体管280都是二极管连接的配置，并且电压213可以随着通过两个晶体管的电流的减少而降低。因此，负载和线路调节参数的劣化也被最小化。
46.组件220和组件280示出为使用晶体管来实现，但是组件220和组件280通常也可由提供阻抗的电路或组件来实现，该阻抗随着负载电流251变化而变化。因此，晶体管220通常可以被视为连接在误差放大器210的输出节点213和调节后的输出节点245之间的第一组件，用于线性稳压器200的频率补偿。晶体管280通常可以被视为连接在误差放大器210的输出节点213和调节后的输出节点245之间的第二组件，并且当在调节后的输出节点处出现电压瞬变时，操作晶体管280以增加由误差放大器210的输出节点213和调节后的输出节点245之间的第一组件和第二组件的组合提供的阻抗。
47.接下来描述缓冲器230的操作及其在实施例中的实现方式。
48.4.缓冲器
49.缓冲器230由vcp(202)供电，被配置为单位电压增益电流缓冲器，并且操作以提供更高的驱动电流来驱动传输晶体管240的栅极。由于产生vcp的电荷泵仅能够提供低电流(当电流可以增加时的短持续时间除外)，缓冲器230被设计为包括放大器235，该放大器235在负电压瞬态期间操作以增加进入节点234的源电流236，以根据需要将节点234快速拉至更高的电压。简而言之，在vout中出现负电压瞬态的情况下(即，vout从其稳态值或当前值降低)，电压213大于电压234，并且放大器235操作以增加进入节点234的源电流236，直到vout被校正，因此电压213和电压234变得相等。在vout中出现正电压瞬态的情况下，晶体管233提供低阻抗路径来快速下拉节点234以校正vout。
50.图3是本技术实施例中的缓冲器230的电路图。晶体管340和350、电流阱(current sink)370、以及晶体管345和电流源375的并联组合运行以向/从节点234提供更高的电流提供和电流吸收能力，同时提供从节点213到节点234的高带宽单位电压增益。晶体管340、晶体管350和电流阱370分别对应于图2的晶体管232、晶体管233和电流阱231。图3的缓冲器230的其余组件形成图2的放大器235和可控电流源236。晶体管345和电流源375的并联组合对应于图2的可控电流源236。电流源360提供等于2*ib的电流。电流源365提供等于ib的电流。晶体管330和345的晶体管大小比例为1∶n。ib和n的具体值是根据具体的设计要求进行选择。晶体管325和335的晶体管大小比例为1∶1。晶体管310和320形成差分对。
51.在操作中，当节点213和234处的电压相等时，大小为ib的电流流过晶体管310和315，并且流过晶体管325的电流i1等于零。因此，没有电流流过晶体管335、330和345，并且在vout处没有负瞬态的情况下，缓冲源电流是由电流源375提供的电流。在vout处出现负瞬态的情况下，由于误差放大器210对瞬态和传输晶体管240的栅源电容的相对快速的响应，电压213大于电压234，并且由电流源360提供的所有电流2*ib流过晶体管320。因此，通过晶体管325的电流i1大约等于ib。由于晶体管325和335以及330和345的电流镜配置，电流ib流经晶体管335和330，并且电流n*ib流经晶体管345。因此，进入节点234的源电流等于n*ib和电流源375提供的电流之和。因此，缓冲器230仅在vout处的负瞬态期间提供更高的电流驱
动来驱动节点234。在vout处出现正瞬态的情况下，晶体管350为节点234提供低阻抗路径以快速放电。
52.如上所述实现的线性稳压器200可以结合在如下简要描述的更大的设备或系统中。
53.5.设备/系统
54.图4是示出本技术实施例中的系统的实现细节的框图，该系统结合了上文详细描述的线性稳压器200。图4的系统可以部署在蜂窝电话系统的基站收发台(base transceiver station，简称bts)(lte-长期演进中的enodeb)中，并且在本文被称为bts系统400。概括地说，bts系统400促进用户设备(user equipment，简称ue)之间的无线通信，ue可以是移动站(例如手机)或固定用户设备(例如具有互联网连接的计算机)。bts系统400可以按照诸如全球移动通信系统(global system for mobile communications，简称gsm)、码分多址(code division multiple access，简称cdma)、第三代移动通信技术(3rd generation，简称3g)、第四代移动通信技术(4th generation，简称4g)、长期演进、第五代移动通信技术(5th generation，简称5g)等技术和标准来实现。bts系统400示出为包括收发器410a至410n、双工器420a至420n、组合器430、天线440、电池组450和电源460。bts系统400的特定组件/块仅通过说明的方式示出。然而，如相关领域中众所周知的，通常bts系统400可以包括更多的组件/块，例如温度传感器、维护和配置块等。
55.收发器410a至410n中的每一个操作来经由对应的双工器420a-420n、组合器430和天线440向/从无线用户设备发送和接收通信信号。每个收发器包括发射器部和接收器部。因此，收发器410a示出为包括发射器部和接收器部，该发射器部包括发射基带块411、发射射频(radio frequency，简称rf)块412和功率放大器413，该接收器部包括低噪声放大器(low-noise amplifier，简称lna)416、接收rf块415和接收基带块414。
56.发射基带块411经由总线499中所示的相应路径从基站控制器(base station controller，简称bsc)接收信息信号(例如，表示语音、数据)(其反过来从bsc下游网络中的另一用户设备(无线或固定)接收通信信号)，根据相应的技术和协议处理信号以执行调制、信道编码和其他操作，并将处理后的信号转发到发射rf块412。发射rf块412可以执行诸如上转换到rf的操作，并将rf信号转发到功率放大器413。功率放大器413放大接收到的rf信号，并通过双工器420a、组合器430和天线440将功率放大的信号发送到相应的无线用户设备。
57.lna 416经由双工器420a、组合器430和天线440从无线用户设备接收rf信号，放大rf信号，并将放大的rf信号转发到接收rf块415。接收rf块415将rf信号下转换到基带频率，并将基带信号转发到接收基带块414。接收基带块414可以对基带信号执行诸如解调、纠错等操作以获得信息信号(例如，数据、语音)，并经由总线499中的相应路径将信息信号转发到给bsc。
58.时钟417生成启用收发器410中数字单元的操作所需的一个或多个时钟。例如，发射基带块411和接收基带块414可以内部包括一个或多个处理器，该处理器需要时钟来启用其操作。
59.图4的其它收发器的发射器、接收器和时钟的操作与上面关于收发器410a所述的类似，并且包括相应的发射器块和接收器块。
60.双工器420a至420n中的每一个都能够在相应的双工器和组合器430之间的单个路径上发送和接收相应的发送和接收信号(即，双向(双工)通信)。双工器420a至420n中的每一个都可以用并联连接的两个带通滤波器来实现，其中一个滤波器提供相应的发射器和组合器430之间的路径，另一个滤波器提供组合器430和相应的接收器之间的路径。
61.组合器430组合来自/去往收发器410a至410n的信号，以使得能够使用单个天线440发送和接收所有信号。
62.天线440操作以在收发器和无线用户设备之间从无线介质接收承载信息的无线信号，并向无线介质发送收承载信息的无线信号。
63.电池组450容纳电池，为bts系统400中的块/单元的操作提供电源。
64.电源460从电池组450接收功率(例如电压为12伏)，并且包括多个dc-dc转换器461a至461m，以及多个线性稳压器(例如实现为ldo)462a至462l。dc-dc转换器461a-461m产生各种电压(每个dc-dc转换器产生相应的电压，例如0.7v、1.2v、2.0v、3.6v等)，用于为上述bts系统400的一个或多个块/组件供电。具体地，由dc-dc转换器产生的电压可用于为收发器410a至410n中对噪声不太敏感的块和组件(例如发送和接收基带块)供电。因此，电源电压491c示出为由dc-dc转换器461a产生，并被提供给收发器410的(发射和接收基带块)。为了清楚和简明起见，图4中仅示出了一个直接来自dc-dc转换器的电源连接。然而，还会有更多这样的电源连接。
65.ldo 462a-462l中的每一个被连接以接收对应的dc-dc转换器461a-461m的输出电压，并且根据收发器的一些组件/块的需要产生对应的较低电压。ldo产生的电压用于为收发器410a至410n中的噪声敏感块和组件供电，例如收发器中包括的发射rf块(如412)、接收rf块(如415)、lna(如416)和时钟(如417)。为了清楚和简明起见，图4中仅示出了两个电源连接491a和491b(分别来自ldo 462a和ldo 462l)。然而，从ldo到收发器中相应块的电源连接会更多。与dc-dc转换器相比，ldo可能具有更好的负载和线路调节，因此可以提供更干净的电源电压，同时噪声更低，正如上述噪声敏感块所要求的那样。
66.ldo 462a-462-l中的一个或多个被实施为以上详细描述的线性稳压器200。
67.此处要注意的是，线性稳压器200也可以用在其他系统中，例如单独的发射器和接收器、移动电话等。
68.6.结论
69.在整个说明书中，对“一个实施例(“one embodiment”和“an embodiment”)”或类似语言的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书中出现的短语“在一个实施例中(“in one embodiment”和“in an embodiment”)”和类似的语言可以但不一定都指代相同的实施例。
70.虽然在图1、2、3和4的图示中，端/节点示出为具有到(即，“连接到”)各种其他端的直接连接，但是应当理解，附加组件(适合于特定环境)也可以存在于路径中，并且因此连接可以被视为“电耦接”到相同的连接端。
71.应当理解，上面提到的特定类型的晶体管(例如nmos、pmos等)仅作为说明。然而，通过阅读本文提供的公开内容，使用不同配置和晶体管的替代实施例对于相关领域的技术人员来说将是显而易见的。例如，nmos晶体管可以用pmos(p型金属氧化物半导体)晶体管代替，同时互换到电源和接地端的连接。
72.因此，在本技术中，电源端和接地端被称为恒定参考电位，晶体管的源极(发射极)和漏极(集电极)(接通时提供电流路径，断开时提供开路路径)被称为电流端，栅极(基极)被称为控制端。
73.虽然上文已经描述了本技术的各种实施例，但是应当理解，它们仅作为示例而非限制来呈现。因此，本技术的广度和范围不应受任何上述实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来定义。