一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉及其制备方法

技术特征：
1.一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉，其特征在于，其组成包括以下组分：bi2o3、b2o3、p2o5、cao、r
x
o
y
，r
x
o
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为tio2、la2o3、al2o3中的一种或以上；其中，bi2o3、b2o3、p2o5、cao、r
x
o
y
的摩尔百分比为：bi2o
3 45～50％、b2o
3 38～42％、p2o
5 8～12％、cao 2～3％、r
x
o
y 1～2％。2.一种如权利要求1所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按摩尔比称取原料磷酸氢二铵、硼酸、氧化铋、碳酸钙、r
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混合均匀，于研钵中研磨5～30min；2)将1)中的混合物转移至石英舟放于马弗炉中，以3℃/min的速率升至480～520℃保温2h；3)将2)中的混合物再以5℃/min的速率升至850～900℃保温2～3h；4)将3)中的混合物于马弗炉中280～300℃下退火12h；5)将玻璃研磨，即得玻璃粉。3.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤1)中，于研钵中研磨5～30min。4.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤2)中，升温至480～520℃。5.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤3)中，升温至850～900℃。6.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤4)中，升温至280～300℃。7.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，所述bi2o3、b2o3、p2o5、cao、r
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y
的摩尔百分比为：bi2o
3 45～50％、b2o
3 38～42％、p2o
5 8～12％、cao 2～3％、r
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y 1～2％。8.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，所述r
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为tio2、la2o3、al2o3中的一种或以上。

技术总结
本发明公开了一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉及其制备方法，涉及半导体表面钝化材料技术领域，组成包括以下组分：Bi2O3、B2O3、P2O5、CaO、R


技术研发人员：孙松 李萌萌 郭立升 曹孙根 蔡梦蝶 程芹 魏宇学 柏家奇
受保护的技术使用者：安徽大学
技术研发日：2022.01.21
技术公布日：2022/6/4