一种阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。


背景技术：

2.在对现有技术的研究和实践过程中，本技术的发明人发现，目前金属氧化物tft，如igzo(铟镓锌氧化物)tft等，因其制程简单、可低温沉积、高迁移率、低工作电压、透明及均匀性较佳等优点，成为各大科研院校和面板企业研究开发的热点。目前较常见的igzo tft结构有top gate(顶栅)和bce(背沟道刻蚀型)。bce结构因其制程道数少，成为研究的热门。而goa(gate driver on array阵列基板行驱动)技术因其可实现窄边框和低成本，已被广泛应用到背板技术中。但在bce-igzo的goa技术开发中，因goa tft尺寸较大，易发生自热效应，稳定性不佳，从而影响背板驱动和显示质量。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可以解决现有技术中阵列基板在goa区易发生自热效应的技术问题。
4.本技术实施例提供一种阵列基板，包括显示区和goa区，还包括基板，从所述显示区延伸至所述goa区；第一有源层，设于所述基板上，且对应所述goa区，所述第一有源层为非晶硅材料；第一绝缘层，设于所述基板上，且对应所述显示区；第二有源层，设于所述第一绝缘层远离所述基板的一侧表面，且对应所述显示区，其中，所述第二有源层为金属氧化物材料；源漏电极，分别连接至所述第一有源层以及所述第二有源层；第二绝缘层，设于所述基板和所述第一绝缘层，且覆盖所述第一有源层、所述第二有源层以及所述源漏电极；像素电极，设于所述第二绝缘层远离所述基板的一侧，且贯穿所述第二绝缘层连接至所述源漏电极。
5.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一绝缘层为氧化硅材料。
6.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二绝缘层包括叠层设置的氧化硅层和氮化硅层，其中，所述氮化硅层设于所述氧化硅层远离所述基板的一侧表面。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括平坦层，设于所述第二绝缘层远离所述基板的一侧表面，所述像素电极设于所述平坦层远离所述第二绝缘层的一侧表面。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括遮光金属单元，设于所述基板上，所述第一有源层和所述第二有源层对应所述遮光金属单元；阻隔层，设于所述基板上，且覆盖所述遮光金属单元，所述阻隔层为氮化硅材料，所述第一有源层设于所述阻隔层远离所述基板的一侧表面。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二有源层材料包括铟镓锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟锌氧化物以及铟镓锡氧化物的至少一种。
10.相应的，本技术实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下制备步骤：
11.提供一基板，在所述基板上依次制备遮光金属单元和阻隔层，其中，所述基板包括显示区和goa区；
12.在所述阻隔层上制备一层多晶硅材料，图案化所述多晶硅材料后在所述goa区形成第一有源层；
13.在所述基板上依次制备一层氧化硅材料和一层铟镓锌氧化物材料，去除所述goa区中的所述氧化硅材料和所述铟镓锌氧化物材料；在所述显示区和所述goa区制备一层金属材料形成金属层；
14.在所述金属层上制备一层光刻胶，图案化所述光刻胶并在所述goa区形成第一光刻胶单元，在所述显示区形成第二光刻胶单元，所述第一光刻胶单元对应所述第一有源层；利用所述第一光刻胶单元和所述第二光刻胶单元为掩膜板刻蚀所述金属层和所述铟镓锌氧化物材料，在所述goa区形成第一源漏电极、在所述显示区形成第二有源层和第二源漏电极；
15.去除所述第一光刻胶单元和第二光刻胶单元；
16.在所述goa区和所述显示区依次制备氧化硅材料和氮化硅材料，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上通过pfa工艺制备一层平坦层；
17.在所述平坦层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述阻隔层上刻蚀通孔，在所述平坦层上制备像素电极，所述像素电极通过所述通孔分别与所述第一源漏电极、所述第二源漏电极以及所述遮光金属单元连接。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一光刻胶单元分别对应于第一有源层的两侧。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二光刻胶单元的中部设有一凹槽，所述凹槽的槽口背向所述基板。
20.相应的，本技术实施例还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
21.本技术实施例的有益效果在于，本技术实施例的阵列基板及其制备方法、显示面板在goa区采用非晶硅材料作为有源层在显示区采用金属氧化物材料作为有源层，从而使得goa区的电路结构具有自热效应小、稳定性高的技术效果，显示区的电路结构具有泄漏电流低、可见光光照敏感度低、迁移率高的技术效果，改善了单一有源层的不足，本实施例的制备方法采用6道光罩即可完成阵列基板的制备，方案简单，有利于大批量生产。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图；
24.图2是本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；
25.图3是本技术实施例提供的步骤s2对应的结构示意图；
26.图4是本技术实施例提供的步骤s3对应的结构示意图；
27.图5是本技术实施例提供的步骤s3对应的结构示意图；
28.图6是本技术实施例提供的步骤s4对应的结构示意图；
29.图7是本技术实施例提供的步骤s5对应的结构示意图；
30.图8是本技术实施例提供的步骤s6对应的结构示意图；
31.图9是本技术实施例提供的步骤s6刻蚀第二源漏电极后的结构示意图。
32.附图标记说明：
33.阵列基板1；
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对立基板2；
34.基板10；
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第一有源层20；
35.第一绝缘层30；
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第二有源层40；
36.源漏电极50；
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第二绝缘层60；
37.平坦层70；
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像素电极80；
38.遮光金属单元11；
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阻隔层12；
39.goa区100；
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显示区200；
40.第一源漏电极51；
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第二源漏电极52；
41.金属层500。
具体实施方式
42.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
43.本技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。以下进行详细说明。
44.实施例
45.如图1所示，本实施例中，本发明的显示面板包括阵列基板1和对立基板2，其中，所述显示面板的主要技术特征和全部技术效果均集中在阵列基板1上，阵列基板1为bce(背沟道刻蚀型)铟镓锌氧化物阵列基板，如图2所示，其包括基板10、第一有源层20、第一绝缘层30、第二有源层40、源漏电极50、第二绝缘层60、平坦层70以及像素电极80。
46.基板10为硬质基板，本实施例采用玻璃基板，其一侧表面用以承接阵列基板的各膜层，另一侧表面用以隔绝外界水汽和杂质。
47.在基板10上设有若干间隔分布的遮光金属单元11，其中，遮光金属单元11用以遮蔽从基板10另一侧表面照射的光线，避免光线直射导致金属材料老化，从而导致使用寿命降低。
48.在基板10上还设有阻隔层12，阻隔层12覆盖遮光金属单元11，且阻隔层12远离基板10的一侧表面为光滑平面，以便后续制备膜层，阻隔层12采用氮化硅材料，能够有效的隔绝水氧。
49.本实施例中，阵列基板1包括goa区100和显示区200，其中，goa区100位于显示区200的周边，用以连接驱动电路，显示区200用以显示画面。基板10、遮光金属单元11以及阻
隔层12设有goa区100和显示区200中。
50.第一有源层20设于阻隔层12远离基板10的一侧表面，且位于goa区100中，本实施例中，第一有源层20采用非晶硅材料，其自热效应较小，稳定性能好，可以解决goa区100电路结构由于尺寸较大，容易发生自热效应的技术问题，能够提升goa区100中电路结构的驱动性能。
51.第二有源层40位于显示区200中，本实施例中，其采用铟镓锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟锌氧化物或铟镓锡氧化物等金属氧化物制备而成，具有泄漏电流(loff)低、可见光光照敏感度低、迁移率高的技术效果，使得显示区200对应的阵列基板1具备可低温沉积、高迁移率、低工作电压、高透明度及均匀性较佳等技术效果。
52.由于本实施例中的第二有源层40为金属氧化物，而氮化硅材料中的氢离子会腐蚀金属氧化物材料，从而影响第二有源层40的使用寿命，故本实施例中，在显示区200上添加了第一绝缘层30，第一绝缘层30采用氮化硅材料，其位于第二有源层40和阻隔层12之间，且不延伸至goa区100中，避免氮化硅材料中的氢离子对第一有源层20造成不良影响。
53.源漏电极50包括位于goa区100的第一源漏电极51和位于显示区200的第二源漏电极52，第一源漏电极51设于阻隔层12上且连接至第一有源层20，第二源漏电极52设于第二有源层40上。
54.第二绝缘层60设于阻隔层12和第一绝缘层30上，且覆盖源漏电极50、第一有源层20和第二有源层40上，第二绝缘层60包括叠层设置的氧化硅层和氮化硅层，其中所述氧化硅层覆盖第二有源层40，避免第二有源层40被所述氮化硅层中的氢离子腐蚀。
55.平坦层70为采用pfa(聚合物薄膜集成到阵列基板，polymer fi lm on array)工艺制备形成的，其设于第二绝缘层60远离基板10的一侧表面。
56.像素电极80设于平坦层70远离基板10的一侧表面，其中，对应goa区100的像素电极80贯穿平坦层70、第二绝缘层60以及阻隔层12并与第一源漏电极51和遮光金属单元11连接，对应显示区200的部分像素电极80贯穿平坦层70和第二绝缘层60与第二有源层40连接、部分像素电极80贯穿平坦层70、第二绝缘层60、第一绝缘层30以及阻隔层12与遮光金属单元11连接。
57.为了更好的解释本发明，本实施例还提供了上述阵列基板的制备方法，其具体制备步骤如下：
58.s1)提供一基板10，采用第一掩膜板在基板10上制备遮光金属单元11，在基板10上制备阻隔层12，阻隔层12覆盖遮光金属单元11，其中，基板10包括goa区100和显示区200。
59.s2)如图3所示，在阻隔层12上制备一层多晶硅材料，采用第二掩膜板图案化所述多晶硅材料后在goa区100形成第一有源层20。
60.s3)如图4所示，在基板10上依次制备一层氧化硅材料和一层铟镓锌氧化物材料，如图5所示，采用第三掩膜板去除goa区100中的所述氧化硅材料和所述铟镓锌氧化物材料。
61.s4)如图6所示，在goa区100和显示区200制备一层金属材料形成金属层500。
62.s5)如图7所示，在所述金属层上制备一层光刻胶，采用第四掩膜板图案化所述光刻胶，在goa区100形成第一光刻胶单元91，在显示区200形成第二光刻胶单元92，第一光刻胶单元91对应第一有源层20。
63.s6)如图8所示，利用第一光刻胶单元91和第二光刻胶单元92为掩膜板刻蚀所述金
属层和所述铟镓锌氧化物材料，在goa区100形成第一源漏电极51、在显示区200形成第二有源层40和第二源漏电极52。其中，第一光刻胶单元91分别对应于第一有源层20的两侧，第二光刻胶单元92的中部设有一凹槽921，凹槽921的槽口背向所述基板10。
64.具体的，采用两次刻蚀步骤依次刻蚀出显示区200中的第二有源层40和第二源漏电极52，首先，利用第二光刻胶单元92为掩膜板刻蚀除其下方区域的其他所述金属层和所述铟镓锌氧化物材料，其次，如图9所示，通过改变刻蚀液的刻蚀比，刻蚀并去除凹槽921中部及其下方的所述金属层，从而形成部分裸露的第二有源层40以及设于第二有源层40两侧且分离的第二源漏电极52。
65.s7)在goa区100和显示区200依次制备氧化硅材料和氮化硅材料，形成第二绝缘层60。
66.s8)在第二绝缘层60上通过pfa工艺以及第五掩膜板制备一层平坦层70。
67.s9)在平坦层70、第二绝缘层60、第一绝缘层30以及阻隔层12上刻蚀通孔，在平坦层70利用第六掩膜板上制备像素电极80，像素电极80通过所述通孔分别与第一源漏电极51、第二源漏电极52以及遮光金属单元11连接。
68.本实施例的有益效果在于，本实施例的阵列基板及其制备方法、显示面板在goa区采用非晶硅材料作为有源层在显示区采用金属氧化物材料作为有源层，从而使得goa区的电路结构具有自热效应小、稳定性高的技术效果，显示区的电路结构具有泄漏电流低、可见光光照敏感度低、迁移率高的技术效果，改善了单一有源层的不足，本实施例的制备方法采用6道光罩即可完成阵列基板的制备，方案简单，有利于大批量生产。
69.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。