碳化硅功率MOSFET的过流保护装置、方法、电子设备及介质

碳化硅功率mosfet的过流保护装置、方法、电子设备及介质
技术领域
1.本技术涉及碳化硅电力电子器件应用技术领域，特别涉及一种碳化硅功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属-氧化物半导体效应晶体管)的过流保护装置、方法、电子设备及介质。


背景技术：

2.通常，电力电子器件普遍具有一定的过流能力，当发生过流时，应迅速采取措施，使器件关断或使流过的电流下降到一个正常水平，从而使器件不至于损坏。碳化硅功率mosfet可承受的过流时间很短，一般仅为几微秒，因此需要一种快速的过流检测方法和保护策略。
3.现有的对于功率半导体的过流保护方法的保护方式主要为，通过对于功率半导体两端的饱和压降或者流过的导通电流进行检测，如果超出正常范围之后就会通过控制电路向微控制器单元发送过流信号，经微控制器单元处理后返回控制信号到功率半导体器件，从而实现对于器件的关断与保护。这种过流检测与控制方式需要通过微控制器单元的运算，而单片机属于数字芯片，其运算时间较长，使得从检测到过流信号到控制功率器件关断所需的时间超过碳化硅功率mosfet所能承受的最大过流时间，从而损害碳化硅功率mosfet。


技术实现要素：

4.本技术提供一种碳化硅功率mosfet的过流保护装置、方法、电子设备及介质，以解决从过流检测到微控制单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需的时间过长，从而损害碳化硅功率mosfet的问题。
5.本技术第一方面实施例提供一种碳化硅功率mosfet的过流保护装置，包括以下步骤：
6.电流检测模块，用于检测碳化硅功率mosfet的导通电流，并在所述导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；
7.cpld(complex programmable logic device，复杂可编程逻辑器件)，用于在接收到所述第一过流信号时，停止输出pwm(pulse width modulation，脉冲宽度调制)控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；以及
8.所述微控制器单元，用于根据所述第一过流信号和所述外部中断请求停止向所述mosfet发送所述pwm控制信号，停止所述碳化硅功率mosfet工作。
9.根据本技术的一个实施例，所述碳化硅功率mosfet的过流保护装置，还包括：
10.碳化硅功率mosfet驱动电路，用于检测碳化硅功率mosfet的饱和压降，并在所述饱和压降大于所述预设阈值时生成关断驱动信号，并根据所述关断驱动信号控制所述mosfet关断，以对所述mosfet进行过流保护。
11.根据本技术的一个实施例，所述碳化硅功率mosfet驱动电路，还用于：
12.在所述饱和压降大于预设阈值时生成第二过流信号，并发送所述第二过流信号至所述cpld，以使得所述cpld关闭脉冲宽度调制pwm控制信号输出，并发出外部中断请求至所述微控制单元。
13.根据本技术的一个实施例，所述电流检测模块，包括：
14.霍尔电流传感器，用于检测所述mosfet的导通电流；
15.电流比较器，用于判断所述导通电流是否大于所述预设电流，并在所述导通电流大于所述预设电流时，生成并发送第一过流信号至所述复杂可编程逻辑器件cpld和所述微控制单元。
16.根据本技术的一个实施例，所述微控制器单元，还用于：
17.在未接收到所述第一过流信号信号和/或所述碳化硅功率mosfet驱动电路未检测到所述饱和压降大于所述预设阈值时，继续发送所述pwm控制信号至所述mosfet，并基于所述pwm控制信号控制所述mosfet正常工作。
18.根据本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护装置，通过电流检测模块检测碳化硅功率mosfet的导通电流，在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；通过杂可编程逻辑器件cpld接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；通过微控制器单元根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。由此，解决了从过流检测到微控制单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需的时间过长，从而损害碳化硅功率mosfet等问题，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别检测碳化硅功率mosfet的导通电流和饱和压降并对其进行过流保护，实现碳化硅功率mosfet在发生过流之后的最优控制，提高了碳化硅功率mosfet工作的安全性。
19.本技术第二方面实施例提供一种碳化硅功率mosfet的过流保护方法，包括：
20.检测所述mosfet的导通电流；
21.在所述导通电流大于所述预设电流时，生成所述第一过流信号，并在所述cpld接收到所述第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；以及
22.根据所述第一过流信号和所述外部中断请求停止向所述mosfet发送所述pwm控制信号，停止所述碳化硅功率mosfet工作。
23.根据本技术的一个实施例，所述碳化硅功率mosfet的过流保护方法，还包括：
24.检测所述mosfet的饱和压降；
25.在所述饱和压降大于预设阈值时生成关断驱动信号，并根据所述关断驱动信号控制所述mosfet关断，以对所述mosfet进行过流保护。
26.根据本技术的一个实施例，所述碳化硅功率mosfet的过流保护方法，还包括：
27.若所述饱和压降小于等于所述预设阈值，且所述导通电流小于等于所述预设电流，则通过所述微控制单元继续发送所述pwm控制信号至所述mosfet，并基于所述pwm控制信号控制所述mosfet正常工作。
28.根据本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护方法，通过电流检测模块检测碳化硅功率mosfet的导通电流，在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；通过杂可编程逻辑器件cpld接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外
部中断请求至微控制单元；通过微控制器单元根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。由此，解决了从过流检测到微控制单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需的时间过长，从而损害碳化硅功率mosfet等问题，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别检测碳化硅功率mosfet的导通电流和饱和压降并对其进行过流保护，实现碳化硅功率mosfet在发生过流之后的最优控制，提高了碳化硅功率mosfet工作的安全性。
29.本技术第三方面实施例提供一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现如上述实施例所述的碳化硅功率mosfet的过流保护方法。
30.本技术第四方面实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行，以用于实现如上述实施例所述的碳化硅功率mosfet的过流保护方法。
31.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
32.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
33.图1为根据本技术实施例提供的一种碳化硅功率mosfet的过流保护装置的结构示例图；
34.图2为根据本技术一个实施例提供的一种碳化硅功率mosfet的过流保护方法的结构示意图；
35.图3为根据本技术一个实施例提供的过流检测模块的组成及与碳化硅功率mosfet的连接方式示意图；
36.图4为根据本技术一个实施例提供的通过检测碳化硅功率mosfet的导通电流进行过流保护的流程图；
37.图5为根据本技术一个实施例提供的通过检测碳化硅功率mosfet的饱和压降进行过流保护的流程图；
38.图6为根据本技术实施例提供的一种碳化硅功率mosfet的过流保护方法的流程图；
39.图7根据本技术实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
40.下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
41.下面参考附图描述本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护装置、方法、电子设备及介质。
42.在介绍本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护装置、方法、电子设备及介
质之前，先简单介绍下相关技术中的一种保护电路。
43.具体地，相关技术中公开了一种绝缘栅双极性驱动保护电路，通过检测功率器件集电极和发射极两端的电压，来判断电路功密模块是否发生短路，此种方法需要在igbt功率器件开通完成经过一段消隐时间后，功率器件进入退饱和状态时才能准确判断。对于宽禁带器件而言，过流时间耐量很低，所以消隐时间的太长势必会造成宽禁带器件在短路过程受损。
44.然而，相关技术中的过流保护方式从电流检测，到微控制器单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需时间较长，难以对碳化硅功率mosfet形成有效保护，无法实现碳化硅功率mosfet在发生过流之后的最优控制。
45.正是基于上述问题，本技术提供了一种碳化硅功率mosfet的过流保护装置，在该装置中，通过电流检测模块检测碳化硅功率mosfet的导通电流，在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；通过杂可编程逻辑器件cpld接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；通过微控制器单元根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。由此，解决了从过流检测到微控制单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需的时间过长，从而损害碳化硅功率mosfet等问题，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别检测碳化硅功率mosfet的导通电流和饱和压降并对其进行过流保护，实现碳化硅功率mosfet在发生过流之后的最优控制，提高了碳化硅功率mosfet工作的安全性。
46.具体而言，图1为本技术实施例所提供的一种碳化硅功率mosfet的过流保护装置的结构示例图。
47.如图1所示，该碳化硅功率mosfet的过流保护装置10包括：电流检测模块100、复杂可编程逻辑器件cpld200、微控制器单元300。
48.其中，电流检测模块100用于检测碳化硅功率mosfet的导通电流，并在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；复杂可编程逻辑器件cpld200用于在接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元300；微控制器单元300用于根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。
49.其中，在一些实施例中，电流检测模块100，包括：霍尔电流传感器101，用于检测mosfet的导通电流；电流比较器102，用于判断导通电流是否大于预设电流，并在导通电流大于预设电流时，生成并发送第一过流信号至复杂可编程逻辑器件cpld200和微控制单元300。
50.具体地，如图2和图3所示，电流检测模块100用以检测碳化硅功率mosfet的导通电流，并进行过流判断；电流检测模块100包括霍尔电流传感器101、电流比较器102及其外围电路，检测位置及结构如图3所示。其中，a为霍尔电流传感器101，b为电流比较器102。霍尔电流传感器101检测碳化硅功率mosfet的导通电流i
ds
，并将导通电流信号传递给电流比较器102和微控制器单元300。电流比较器102将导通电流i
ds
与参考电流i
ref
进行比较。当导通电流大于参考电流时，判断碳化硅功率mosfet为过流状态，电流比较器102输出过流信号至cpld200与微控制器单元300。cpld200将微控制器单元300产生的pwm信号进行处理后输出至碳化硅功率mosfet驱动电路400，用于产生驱动信号，还可以接受电流检测模块和驱动电
路产生的过流故障信号，当接收到故障信号时，cpld200立即关闭pwm信号输出并向微控制器单元300发送外部中断请求。
51.微控制器单元300是碳化硅功率mosfet的主控芯片，包含碳化硅功率mosfet的所有控制算法。微控制器单元300根据参考电压或电流值计算出功率mosfet的占空比，输出对应的pwm信号至cpld200。当微控制器单元300接收到来自电流检测模块100的导通电流模拟信号时，将其与设定阈值相比较，若当前电流值大于设定阈值时，判断为过流，将pwm输出信号全部拉低；当微控制器单元300接收到cpld200的外部中断请求或者电流检测模块100的过流信号时，判断碳化硅功率mosfet为过流状态，将pwm输出信号全部拉低，完成软件上的过流保护。
52.也即是说，微控制器单元300还用于对pwm信号进行处理，以生成驱动碳化硅功率mosfet的驱动信号，并且在碳化硅功率mosfet执行保护动作时，判定故障发生，控制碳化硅功率mosfet停止工作。
53.进一步地，在一些实施例中，碳化硅功率mosfet的过流保护装置10，还包括：碳化硅功率mosfet驱动电路400，用于检测碳化硅功率mosfet的饱和压降，并在饱和压降大于预设阈值时生成关断驱动信号，并根据关断驱动信号控制mosfet关断，以对mosfet进行过流保护。
54.进一步地，在一些实施例中，碳化硅功率mosfet驱动电路400还用于：在饱和压降大于预设阈值时生成第二过流信号，并发送第二过流信号至cpld200，以使得cpld200关闭脉冲宽度调制pwm控制信号输出，并发出外部中断请求至微控制单元。
55.进一步地，在一些实施例中，微控制器单元300，还用于：在未接收到第一过流信号和/或碳化硅功率mosfet驱动电路未检测到饱和压降大于预设阈值时，继续发送pwm控制信号至mosfet，并基于pwm控制信号控制mosfet正常工作。
56.具体地，如图2所示，碳化硅功率mosfet驱动电路400包括用于产生碳化硅功率mosfet驱动信号的栅极驱动芯片及其外围电路，外围电路主要包括直流转换电路，碳化硅功率mosfet饱和压降检测电路等，直流转换电路用于产生碳化硅功率mosfet导通和关断的驱动电压；碳化硅功率mosfet饱和压降检测电路主要用于对碳化硅功率mosfet的饱和压降进行检测，饱和和压降经过分压电阻分压后馈入到栅极驱动芯片的过流故障检测管脚，当馈入电压大于故障检测管脚所限定的阈值后，判断碳化硅功率mosfet为过流状态并生成关断驱动信号，判断碳化硅功率mosfet为过流状态，输出过流信号1至cpld。
57.并且，微控制器单元300生成pwm信号驱动碳化硅功率mosfet的同时，碳化硅功率mosfet驱动电路检测碳化硅功率mosfet的饱和压降，电流检测模块100检测碳化硅功率mosfet的导通电流；在饱和压降和/或导通电流满足过流条件时，cpld200关闭pwm信号的输出，通过驱动电路使碳化硅功率mosfet关断，并向微控制器单元发送一个外部中断信号，从而对碳化硅功率mosfet进行过流保护，从而控制信号控制mosfet正常工作；如果饱和压降和导通电流均未满足过流条件，则继续发送pwm控制信号至mosfet，并基于pwm控制信号控制mosfet正常工作。
58.也就是说，微控制器单元300还用于接收外部设备发送的故障信号，并根据故障信号控制碳化硅功率mosfet停止工作。
59.由此，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别对碳化硅功率mosfet的导
通电流和饱和压降进行检测，提高了碳化硅功率mosfet工作的安全性，克服了由于过流导致碳化硅功率mosfet损坏的问题，有效解决了碳化硅电力电子器件过流保护技术中从电流检测，到微控制器单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需时间较长，难以对碳化硅功率mosfet形成有效保护的问题。并且，本技术控制电路针对的是碳化硅功率mosfet的过流控制，可以广泛应用到各种电路中，如dc/dc直流变换器、dc/ac电机控制器等
60.为便于本领域技术人员进一步了解本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护装置，下面结合碳化硅功率mosfet的过流保护装置对应的保护方法进行进一步阐述。
61.如图4和图5所示，图4为通过检测碳化硅功率mosfet的导通电流进行过流保护的流程图，图5为通过检测碳化硅功率mosfet的饱和压降进行过流保护的流程图。
62.具体地，通过检测碳化硅功率mosfet的导通电流进行过流保护，包括以下步骤：
63.s1：霍尔电流传感器检测碳化硅功率mosfet的导通电流；
64.s2：微控制器单元根据导通电流信号判断是否过流，若是，进入s3；若否，进入s5；
65.s3：微控制器单元将pwm控制信号全部拉低，停止向碳化硅mosfet发送控制信号；
66.s4：驱动电路生成关断驱动信号，碳化硅功率mosfet关断；
67.s5：微控制器单元发出pwm控制信号控制碳化硅功率mosfet正常工作
68.s6：电流比较器判断导通电流是否大于参考电流，若是，进入s7；若不是，进入s10；
69.s7：过流信号传递至cpld以及微控制器单元；
70.s8：cpld立即关闭pwm信号输出并向微控制器单元发送外部中断请求；
71.s9：驱动电路生成关断驱动信号，碳化硅功率mosfet关断；
72.s10：微控制器单元发出pwm控制信号控制碳化硅功率mosfet正常工作；
73.s11：微控制器单元停止向碳化硅功率mosfet发送控制信号；
74.s12：微控制器单元停止向碳化硅功率mosfet发送控制信号。
75.通过检测碳化硅功率mosfet的饱和压降进行过流保护，包括以下步骤：
76.s13：驱动电路检测功率mosfet的饱和压降；
77.s14：驱动电路判断饱和压降是否大于限定的电压阈值，若是，进入s15；若不是，进入s17；
78.s15：过流信号传递至cpld，cpld立即关闭pwm信号输出并向微控制器单元发送外部中断请求；
79.s16：驱动电路生成关断驱动信号，碳化硅功率mosfet关断；
80.s17：微控制器单元发出pwm控制信号控制碳化硅功率mosfet正常工作；
81.s18：微控制器单元停止向碳化硅功率mosfet发送控制信号。
82.由此，从电流检测，到微控制器单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需时间较长，难以对碳化硅功率mosfet形成有效保护的问题，本技术提供了一种碳化硅功率mosfet过流保护方法，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别对功率mosfet的导通电流和饱和压降进行检测，提高了碳化硅功率mosfet的安全性，克服了由于过流导致碳化硅功率mosfet损坏的问题，对碳化硅功率mosfet形成有效保护。由此，解决碳化硅功率mosfet过流保护技术中从电流检测，到微控制器单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需时间较长，难以对碳化硅功率mosfet形成有效保护的问题。
83.根据本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护装置，通过电流检测模块检测
碳化硅功率mosfet的导通电流，在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；通过杂可编程逻辑器件cpld接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；通过微控制器单元根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。由此，解决了从过流检测到微控制单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需的时间过长，从而损害碳化硅功率mosfet等问题，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别检测碳化硅功率mosfet的导通电流和饱和压降并对其进行过流保护，实现碳化硅功率mosfet在发生过流之后的最优控制，提高了碳化硅功率mosfet工作的安全性。
84.其次参照附图描述根据本技术实施例提出的碳化硅功率mosfet的过流保护方法。
85.图6是本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护方法的流程图。
86.如图6所示，本技术实施例中碳化硅功率mosfet的过流保护方法包括以下步骤：
87.在步骤s601中，检测mosfet的导通电流；
88.在步骤s602中，在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号，并在cpld接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；
89.在步骤s603中，根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。
90.进一步地，在一些实施例中，碳化硅功率mosfet的过流保护方法，还包括：
91.检测mosfet的饱和压降；
92.在饱和压降大于预设阈值时生成关断驱动信号，并根据关断驱动信号控制mosfet关断，以对mosfet进行过流保护。
93.进一步地，在一些实施例中，碳化硅功率mosfet的过流保护方法，还包括：
94.若饱和压降小于等于预设阈值，且导通电流小于等于预设电流，则通过微控制单元继续发送pwm控制信号至mosfet，并基于pwm控制信号控制mosfet正常工作。
95.需要说明的是，前述对碳化硅功率mosfet的过流保护装置实施例的解释说明也适用于该实施例的化硅功率mosfet的过流保护，此处不再赘述。
96.根据本技术实施例的碳化硅功率mosfet的过流保护方法，通过电流检测模块检测碳化硅功率mosfet的导通电流，在导通电流大于预设电流时，生成第一过流信号；通过杂可编程逻辑器件cpld接收到第一过流信号时，停止输出脉冲宽度调制pwm控制信号，并发出外部中断请求至微控制单元；通过微控制器单元根据第一过流信号和外部中断请求停止向mosfet发送pwm控制信号，停止碳化硅功率mosfet工作。由此，解决了从过流检测到微控制单元进行分析，最终拉低所有驱动信号所需的时间过长，从而损害碳化硅功率mosfet等问题，通过霍尔电流传感器和驱动电路反馈的信号分别检测碳化硅功率mosfet的导通电流和饱和压降并对其进行过流保护，实现碳化硅功率mosfet在发生过流之后的最优控制，提高了碳化硅功率mosfet工作的安全性。
97.图7为本技术实施例提供的电子设备的结构示意图。该电子设备可以包括：
98.存储器701、处理器702及存储在存储器701上并可在处理器702上运行的计算机程序。
99.处理器702执行程序时实现上述实施例中提供的碳化硅功率mosfet的过流保护方
法。
100.进一步地，电子设备还包括：
101.通信接口703，用于存储器701和处理器702之间的通信。
102.存储器701，用于存放可在处理器702上运行的计算机程序。
103.存储器701可能包含高速ram存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。
104.如果存储器701、处理器702和通信接口703独立实现，则通信接口703、存储器701和处理器702可以通过总线相互连接并完成相互间的通信。总线可以是工业标准体系结构(industry standard architecture，简称为isa)总线、外部设备互连(peripheral component，简称为pci)总线或扩展工业标准体系结构(extended industry standard architecture，简称为eisa)总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图7中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
105.可选的，在具体实现上，如果存储器701、处理器702及通信接口703，集成在一块芯片上实现，则存储器701、处理器702及通信接口703可以通过内部接口完成相互间的通信。
106.处理器702可能是一个中央处理器(central processing unit，简称为cpu)，或者是特定集成电路(application specific integrated circuit，简称为asic)，或者是被配置成实施本技术实施例的一个或多个集成电路。
107.本实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上的碳化硅功率mosfet的过流保护方法。
108.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或n个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
109.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“n个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
110.流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更n个用于实现定制逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本技术的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
111.在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设
备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或n个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(ram)，只读存储器(rom)，可擦除可编辑只读存储器(eprom或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(cdrom)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得程序，然后将其存储在计算机存储器中。
112.应当理解，本技术的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，n个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。如，如果用硬件来实现和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(pga)，现场可编程门阵列(fpga)等。
113.本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
114.此外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
115.上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。