半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质与流程

1.本技术的实施方式涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质。


背景技术：

2.在目前三维存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的三维存储器结构。为了得到上述堆叠式的三维存储器结构，需要在硅衬底上形成堆叠结构，并对堆叠结构刻蚀形成沟道孔，进一步沉积并刻蚀以形成覆盖沟道孔内壁的沟道结构，然后填充半导体层，形成位于沟道孔中的沟道结构。
3.随着堆叠层数增加，刻蚀形成的沟道孔可能存在刻蚀缺陷，导致沟道孔存在尖角，影响沟道结构的性能。然而，针对上述刻蚀缺陷，目前尚无相关的检测方法，严重地影响了最终制备得到的存储器结构的性能。


技术实现要素：

4.第一方面，本技术的实施方式提供了一种半导体结构的缺陷检测方法，包括：识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。
5.在本技术的一些示意性实施方式中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；以及确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
6.在本技术的一些示意性实施方式中，从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点包括：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；确定各个凹点至与凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；以及，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点。
7.在本技术的一些示意性实施方式中，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点包括：将相邻的两个凸点中的、与第一凹点的距离最远的凸点，确定为凸出程度最大的凸点。
8.在本技术的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点对应的参考点为第一凹点。
9.在本技术的一些示意性实施方式中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及将所有偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点与其参考点之间的偏移距离。
10.在本技术的一些示意性实施方式中，方法还包括：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；其中，参考点包括与凸点相邻的凹点。
11.在本技术的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向的距离，其中，指定方
向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向。
12.在本技术的一些示意性实施方式中，凸点或凹点为沟道孔的边界轮廓中的极值点。
13.在本技术的一些示意性实施方式中，在识别凸点之前，方法还包括：提取待测图像中的轮廓；以及对提取的轮廓进行降噪处理，以去除轮廓中远离沟道孔的边界轮廓的部分。
14.在本技术的一些示意性实施方式中，方法还包括：响应于沟道孔的缺陷程度不符合预设要求，执行告警指令。
15.在本技术的一些示意性实施方式中，待测图像包括沟道孔在沟道孔的延伸方向上的扫描电镜图像。
16.在本技术的一些示意性实施方式中，半导体结构为三维存储器或三维存储器的一部分。
17.第二方面，本技术的实施方式提供了一种用于半导体结构的检测缺陷装置，包括：识别模块，用于识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定模块，用于确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及检测模块，用于根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。
18.在本技术的一些示意性实施方式中，确定模块被配置为：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；以及确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
19.在本技术的一些示意性实施方式中，确定模块还被配置为：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；确定各个凹点至与凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；以及，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点。
20.在本技术的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点对应的参考点为第一凹点。
21.在本技术的一些示意性实施方式中，确定模块被配置为：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及将所有偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
22.在本技术的一些示意性实施方式中，识别模块还被配置为：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；其中，参考点包括与凸点相邻的凹点。
23.在本技术的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向的距离，其中，指定方向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向。
24.在本技术的一些示意性实施方式中，半导体结构为三维存储器或三维存储器的一部分。
25.第三方面，本技术的实施方式提供了一种检测设备，包括：存储器，用于存储计算机指令；以及处理器，用于与存储器通信以执行计算机指令，从而实现上述实施方式提及的缺陷检测方法。
26.第四方面，本技术的实施方式提供了一种可读存储介质，可读存储介质中存储有计算机指令，计算机指令被处理器执行时实现上述实施方式提及的缺陷检测方法。
27.根据本技术的实施方式，可通过对半导体结构的待测图像进行识别，得到凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间偏移距离，以衡量沟道孔的缺陷程度，使得能够自动检测半导体结构的沟道孔的缺陷。基于偏移距离评估缺陷相对于人工评估缺陷而言，其评估结果更客观，评估缺陷的成本更低。此外，对沟道孔缺陷进行检测使得最终形成的半导体结构的性能更有保障。
附图说明
28.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显。其中：
29.图1是根据本技术的一个实施方式的半导体结构的缺陷检测方法的流程示意图；
30.图2a至图2d是根据本技术的一个实施方式的三维存储器的扫描电镜图像的局部示意图；
31.图3是根据本技术的一个实施方式的沟道孔的部分边界轮廓的示意图；
32.图4是图2a中的部分沟道孔的凸出程度最大的凸点和第一凹点的位置示意图；
33.图5是根据本技术的一个实施方式的用于半导体结构的缺陷检测装置的示意性框图；
34.图6是根据本技术的一个实施方式的检测设备的框图。
具体实施方式
35.为了更好地理解本技术，将参考附图对本技术的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本技术的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本技术的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。表述“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。
36.应注意，在本说明书中，第一、第二等的表述仅用于将一个特征与另一个特征区域分开来，而不表示对特征的任何限制，尤其不表示任何的先后顺序。因此，在不背离本技术的教导的情况下，本技术中讨论的第一凹点也可被称作第二凹点，反之亦然。
37.在附图中，附图仅为示例而并非严格按比例绘制。在本文中使用的，用语“大致”以及类似的用语用作表近似的用语，而不用作表程度的用语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的、测量值或计算值中的固有偏差。
38.还应理解的是，诸如“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”等表述在本说明书中是开放性而非封闭性的表述，其表示存在所陈述的特征、元件和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、元件、部件和/或它们的组合的存在。此外，当描述本技术的实施方式时，使用“可”表示“本技术的一个或多个实施方式”。并且，用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。
39.除非另外限定，否则本文中使用的所有措辞(包括工程术语和科技术语)均具有与本技术所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。还应理解的是，除非本技术中有明确的说明，否则在常用词典中定义的词语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的意义解释。
40.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相
互组合。另外，除非明确限定或与上下文相矛盾，否则本技术所记载的方法中包含的具体步骤不必限于所记载的顺序，而可以任意顺序执行或并行地执行。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
41.图1是根据本技术的一个实施方式的半导体结构的缺陷检测方法1000的流程示意图。该缺陷检测方法可例如由缺陷检测装置执行。如图1所示，半导体结构的缺陷检测方法1000可例如包括以下步骤：
42.s11，识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点。
43.s12，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
44.s13，根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。
45.根据该实施方式，可通过对半导体结构的待测图像进行识别，得到凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间偏移距离，以衡量沟道孔的缺陷程度，使得能够自动检测半导体结构的沟道孔的缺陷。基于偏移距离评估缺陷相对于人工评估缺陷而言，其评估结果更客观，评估缺陷的成本更低。此外，对沟道孔缺陷进行检测使得最终形成的半导体结构的性能更有保障。
46.下面将结合图2a至图4对上述缺陷检测方法1000的各个步骤进行示例说明。
47.步骤s11
48.在本技术的一些实施方式中，在步骤s11之前，缺陷检测方法1000还可例如包括：获取半导体结构的沟道孔的边界轮廓。获取沟道孔的边界轮廓的步骤可例如包括：提取待测图像中的轮廓；以及对提取的轮廓进行降噪处理，以去除轮廓中远离沟道孔的边界轮廓的部分。示例性地，考虑沟道孔一般接近于预设的规则形状(例如圆形或椭圆形)，可将提取的轮廓中接近于沟道孔的形状的轮廓作为沟道孔的边界轮廓。
49.作为一种选择，待测图像可例如包括沟道孔在沟道孔的延伸方向上的扫描电镜图像。例如，缺陷检测装置可获取扫描电镜从半导体结构的堆叠结构的堆叠方向扫描得到的扫描电镜图像。其中，扫描电镜可在形成沟道孔后对半导体结构进行扫描以得到待测图像，或者，可在形成沟道结构后对半导体结构进行扫描以得到待测图像，本技术对此不作限制。
50.在本技术的一些实施方式中，可将沟道孔的边界轮廓中的极值点识别为凸点或凹点，即凸点或凹点为沟道孔的边界轮廓中的极值点。其中，凹点指边界轮廓中向内凹陷的极值点，凸点是指边界轮廓中向外突出的极值点，极值点可例如包括沟道孔的边界轮廓上的拐点。
51.上述的半导体结构可例如为三维存储器或三维存储器的一部分。示例性地，图2a至图2d是本技术的一个实施方式的三维存储器的扫描电镜图像的局部示意图。如图2a所示，三维存储器可例如包括：堆叠结构、沟道孔100和栅缝隙200。堆叠结构可例如包括交替堆叠的栅极层(未示出)和绝缘层(未示出)。沟道孔100可例如沿堆叠结构的堆叠方向贯穿该堆叠结构，并大致垂直于堆叠结构。栅缝隙200可例如沿垂直于堆叠结构的堆叠方向的方向延伸(其延伸方向可例如图2a中的x方向)，大致垂直于堆叠结构，并形成于相邻的沟道孔100之间。缺陷检测装置可通过轮廓提取算法，提取待测图像中的轮廓。例如，基于图2a所示的待测图像提取的轮廓可如图2b所示。提取的轮廓可例如包括待测图像中的沟道孔100的边界轮廓(例如，110)、栅缝隙200的边界轮廓(例如，210)和扫描电镜图像中的一些噪点的轮廓。缺陷检测装置可对提取的轮廓进行降噪处理，以去除提取的轮廓中远离沟道孔的边
界轮廓110的部分(如噪点的轮廓)，以得到沟道孔100的边界轮廓，如图2c所示。可通过下文中进一步描述的缺陷检测装置/检测设备来检测沟道孔100的边界轮廓的极值点。例如，图2c中一沟道孔100的边界轮廓的极值点可例如图2d中的各个白色圆点所示。缺陷检测装置将极值点识别为沟道孔100的凸点或凹点。例如，可根据各个极值点为极大值或极小值，将其识别为沟道孔100的凸点或凹点。
52.步骤s12
53.在本技术的一个实施方式中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离可例如包括：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。换言之，缺陷检测装置可先确定凸出程度最大的凸点，再确定凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间的偏移距离。
54.作为一种选择，从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点的步骤可例如包括：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；确定各个凹点至与凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；从与第一凹点相邻的两个凸点中确定凸出程度最大的凸点。其中，识别沟道孔的边界轮廓的凹点可参考识别沟道孔的边界轮廓的凸点的相关内容，此处不再赘述。
55.示例性地，沟道孔的部分边界轮廓可例如图3所示，沟道孔该部分的边界轮廓中包括凹点(a1)以及凸点(b1和b2)，凹点(a1)至相邻的两个凸点(b1和b2)之间的连线的垂直距离为d。
56.作为一个示例，缺陷检测装置可例如将相邻的两个凸点中的、与第一凹点在指定方向上距离最远的凸点，确定为凸出程度最大的凸点，指定方向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向。
57.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，也可基于其他规则从相邻的两个凸点中选择一个凸点作为凸出程度最大的凸点，本技术对此不作限制。
58.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，还可通过其他方式确定凸出程度最大的凸点，本技术对此不作限制。
59.在本技术的一些实施方式中，在确定出凸出程度最大的凸点后，缺陷检测装置确定凸出程度最大的凸点对应的参考点，其确定方式可包括但不限于：
60.方式一，缺陷检测装置可例如将第一凹点作为凸出程度最大的凸点对应的参考点，即凸出程度最大的凸点对应的参考点为第一凹点。
61.方式二，缺陷检测装置可例如将与凸出程度最大的凸点相邻的两个凹点中的一个或两个作为凸出程度最大的凸点对应的参考点，即凸出程度最大的凸点对应的参考点为与凸出程度最大的凸点相邻的凹点。示例的，缺陷检测装置可任意选择一个相邻的凹点作为参考点，也可基于预设的选择规则，从相邻的两个凹点中选择一个凹点作为参考点，或者，缺陷检测装置可将两个相邻的凹点均作为参考点，分别确定凸出程度最大的凸点至两个相邻的凹点之间的偏移距离。
62.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，也可选择沟道孔的其他点作为凸出程度最大的凸点对应的参考点，本技术对此不作限制。
63.在本技术的另一些实施方式中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离可例如包括：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；将所
有偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。换言之，缺陷检测装置可先确定各个识别出的凸点和其对应的参考点之间的偏移距离，再选择所有的偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点对应的参考点之间的偏移距离。其中，参考点可例如包括与凸点相邻的凹点，其具体确定过程可参见上文关于凸出程度最大的凸点对应的参考点的相关描述，此处不再赘述。
64.在本技术的一些实施方式中，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向(参见图2a至图2d、图3中的y方向)的距离h(参见图3)，其中，指定方向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向(参见图2a至图2d、图3中的x方向)。由于形成的沟道孔通常是沿靠近栅缝隙的方向发生形变形成尖点缺陷，可选择凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在垂直栅缝隙的延伸方向的方向上的距离来衡量沟道孔的缺陷程度，使得衡量结果更准确。
65.示例性地，图4是图2a中的部分沟道孔100的凸出程度最大的凸点和第一凹点的示意图。如图4所示，图2a中的部分沟道孔100各自对应的第一凹点分别为：p1、p2、p3、p4和p5，对应的凸出程度最大的凸点分别为：q1、q2、q3、q4和q5，各沟道孔100的凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间的偏移距离分别为：p1和q1在y方向的距离、p2和q2在y方向的距离、p3和q3在y方向的距离、p4和q4在y方向的距离和p5和q5在y方向的距离。
66.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离可例如为两点间的其他距离，例如凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的直线距离，本技术对此不作限制。
67.步骤13
68.在本技术的一些实施方式中，缺陷检测装置所检测的缺陷可例如为半导体结构的沟道孔刻蚀缺陷，其中，刻蚀缺陷可例如包括沟道孔存在较为尖锐的凸出，此处不一一列举。
69.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，缺陷检测装置也可例如检测沟道孔的其他缺陷，本技术对此不作限制。
70.在本技术的一些实施方式中，缺陷检测装置可直接根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。换言之，缺陷检测装置可将所确定出的偏移距离作为衡量沟道孔的边界的缺陷程度的参数。
71.作为一个示例，缺陷检测装置可根据所确定出的偏移距离对沟道孔的缺陷程度进行定性分析。例如，缺陷检测装置根据所确定出的偏移距离的大小确定沟道孔的缺陷程度是否严重，沟道孔的边界轮廓存在是否尖点。例如，若偏移距离大于距离阈值，则判定沟道孔的缺陷程度为严重缺陷或有缺陷，若偏移距离小于距离阈值，则判定沟道孔的缺陷程度为轻微缺陷或无缺陷。
72.作为另一示例，缺陷检测装置可根据所确定出的偏移距离对沟道孔的缺陷程度进行定量分析。例如，缺陷检测装置可根据预设的偏移距离和缺陷程度值的映射关系(例如函数关系)，对沟道孔的缺陷程度进行定量分析。
73.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，可根据经验或沟道孔的尖角缺陷对半导体器件性能的影响大小，设置偏移距离和缺陷程度值的映射关系，本技术对此不作限制。
74.在本技术的一些实施方式中，缺陷检测装置可根据所确定出的偏移距离确定其他参数，再基于其他参数确定沟道孔的缺陷程度。换言之，缺陷检测装置可将基于所确定出的偏移距离确定的其他参数作为衡量沟道孔的缺陷程度的参数。例如，参考点可例如为上文提及的第一凹点，根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度可例如包括：根据所确定出的偏移距离计算凸出程度最大的凸点相对于参考点的偏移角度；根据偏移角度确定为缺陷程度。即将偏移角度作为衡量沟道孔的边界的尖锐程度的参数。
75.作为一个示例，缺陷检测装置可根据基于偏移距离确定的诸如偏移角度等其他参数对沟道孔的缺陷程度进行定性分析。例如，缺陷检测装置根据所确定出的偏移角度的大小确定沟道孔的缺陷程度是否严重，沟道孔的边界轮廓是否存在尖角。
76.作为另一示例，缺陷检测装置可根据基于偏移距离确定的诸如偏移角度等其他参数对沟道孔的缺陷程度进行定量分析。
77.例如，缺陷检测装置可根据偏移角度对沟道孔的缺陷程度进行定量分析。缺陷检测装置可先确定参考角度，并根据预设的偏移距离、参考角度和缺陷程度值的映射关系(例如函数关系)，对沟道孔的缺陷程度进行定量分析。
78.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，参考角度可根据需要设置为90
°
、180
°
等角度，偏移距离、参考角度和缺陷程度值的映射关系可根据参考点和参考角度的选择进行调整，本技术对此不作限制。
79.在本技术的一些实施方式中，缺陷检测方法1000还可例如包括：响应于沟道孔的缺陷程度不符合预设要求，执行告警指令。其中，预设要求可根据分析缺陷程度的方式设置。例如，若对缺陷程度进行定量分析，预设要求可例如为缺陷程度值小于预设值，预设值大小可根据需要设置；若对缺陷程度进行定性分析，预设要求可例如为缺陷程度为轻微缺陷。
80.应当理解的是，在未背离本技术教导的情况下，可根据需要调整预设要求，本技术对此不作限制。
81.图5是根据本技术的一个示例性实施方式的用于半导体结构的缺陷检测装置2000的示意性框图。
82.如图5所示，缺陷检测装置2000可例如包括：识别模块2100、确定模块2200和检测模块2300。其中，识别模块2100可例如用于识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点，确定模块2200可例如用于确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离，检测模块2300可例如用于根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。
83.根据本技术的实施方式，可通过对半导体结构的待测图像进行识别，得到凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间偏移距离，以衡量沟道孔的缺陷程度，使得能够自动检测半导体结构的沟道孔的缺陷。基于偏移距离评估缺陷相对于人工评估缺陷而言，其评估结果更客观，评估缺陷的成本更低。此外，对沟道孔缺陷进行检测使得最终形成的半导体结构的性能更有保障。
84.在本技术的一些实施方式中，确定模块2200可例如被配置为：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
85.在本技术的一些实施方式中，确定模块2200还被配置为：识别沟道孔的边界轮廓
的凹点；确定各个凹点至与凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点。
86.示例性地，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点可例如包括：将相邻的两个凸点中的、与第一凹点的距离最远的凸点，确定为凸出程度最大的凸点。
87.在本技术的一些实施方式中，凸出程度最大的凸点对应的参考点为第一凹点。
88.在本技术的另一些实施方式中，确定模块2200被配置为：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；将所有偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
89.在本技术的一些实施方式中，识别模块2100被配置为：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；其中，参考点包括与凸点相邻的凹点。
90.在本技术的一些实施方式中，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向的距离，其中，指定方向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向。
91.在本技术的一些实施方式中，凸点或凹点可例如为沟道孔的边界轮廓中的极值点。
92.在本技术的一些实施方式中，识别模块2100还可被配置为：提取待测图像中的轮廓；以及对提取的轮廓进行降噪处理，以去除轮廓中远离沟道孔的边界轮廓的部分。
93.在本技术的一些实施方式中，检测模块2300还可被配置为：响应于沟道孔的缺陷程度不符合预设要求，执行告警指令。
94.在本技术的一些实施方式中，待测图像包括沟道孔在沟道孔的延伸方向上的扫描电镜图像。示例性地，缺陷检测装置2000还可例如包括图像获取模块(未示出)，例如扫描电镜，其用于在半导体制备过程中，拍摄沟道孔在沟道孔的延伸方向上的扫描电镜图像，以作为待测图像。
95.在本技术的一些实施方式中，半导体结构可例如为三维存储器或三维存储器的一部分。
96.本技术的实施方式还提供了一种检测设备和一种可读存储介质。
97.图6是根据本技术的一个实施方式的检测设备3000的框图。该设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。该设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本技术的实现。
98.如图6所示，该检测设备3000包括：一个或多个处理器3100、存储器3200，以及用于连接各部件的接口(未示出)，包括高速接口和低速接口。各个部件利用不同的总线互相连接，并且可以被安装在公共主板上或者根据需要以其它方式安装。处理器3100可以对在检测设备3000内执行的指令进行处理，包括存储在存储器3200中或者存储器3200上以在外部输入/输出装置(诸如，耦合至接口的显示设备)上显示gui的图形信息的指令。在其它实施方式中，若需要，可以将多个处理器3100和/或多条总线与多个存储器3200和多个存储器
3200一起使用。同样，可以连接多个检测设备3000，各个设备提供部分必要的操作(例如，作为服务器阵列、一组刀片式服务器、或者多处理器系统)。图6中以一个处理器3100为例。
99.存储器3200即为本技术所提供的可读存储介质，例如，非瞬时计算机可读存储介质。其中，存储器3200存储有可由至少一个处理器3100执行的指令，以使至少一个处理器3100执行本技术所提供的缺陷检测方法。本技术的可读存储介质存储计算机指令，该计算机指令用于使计算机执行本技术所提供的用于半导体结构的缺陷检测方法。
100.存储器3200作为一种非瞬时计算机可读存储介质，可用于存储非瞬时软件程序、非瞬时计算机可执行程序以及模块。处理器3100通过运行存储在存储器3200中的非瞬时软件程序、指令以及模块，从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的用于半导体结构的缺陷检测方法。
101.存储器3200可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据用于控制质量的检测设备的使用所创建的数据等。此外，存储器3200可包括高速随机存取存储器，还可以包括非瞬时存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非瞬时固态存储器件。在一些实施例中，存储器3200可包括相对于处理器3100远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至用于检测设备3000。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
102.检测设备3000还可以包括：输入装置3300和输出装置3400。处理器3100、存储器3200、输入装置3300和输出装置3400可以通过总线或者其他方式连接，图6中以通过总线连接为例。
103.输入装置3300可接收输入的数字或字符信息，以及产生与用于控制质量的检测设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入，例如触摸屏、小键盘、鼠标、轨迹板、触摸板、指示杆、一个或者多个鼠标按钮、轨迹球、操纵杆等输入装置。输出装置3400可以包括显示设备、辅助照明装置(例如，led)和触觉反馈装置(例如，振动电机)等。该显示设备可以包括但不限于，液晶显示器(lcd)、发光二极管(led)显示器和等离子体显示器。在一些实施方式中，显示设备可以是触摸屏。
104.此处描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、专用asic(专用集成电路)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
105.这些计算程序(也称作程序、软件、软件应用、或者代码)包括可编程处理器的机器指令，并且可以利用高级过程和/或面向对象的编程语言、和/或汇编/机器语言来实施这些计算程序。如本文使用的，术语“机器可读介质”和“计算机可读介质”指的是用于将机器指令和/或数据提供给可编程处理器的任何计算机程序产品、设备、和/或装置(例如，磁盘、光盘、存储器、可编程逻辑装置(pld))，包括，接收作为机器可读信号的机器指令的机器可读介质。术语“机器可读信号”指的是用于将机器指令和/或数据提供给可编程处理器的任何
信号。
106.为了提供与用户的交互，可以在计算机上实施此处描述的系统和技术，该计算机具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，crt(阴极射线管)或者lcd监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给计算机。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
107.可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网、广域网和互联网。
108.计算机系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。服务器也可以是云服务器，或者是带人工智能技术的智能云计算服务器或智能云主机。服务器可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。服务器也可以是云服务器，或者是带人工智能技术的智能云计算服务器或智能云主机。
109.根据本技术的实施方式提供的半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质，可通过对半导体结构的待测图像进行识别，以得到凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间偏移距离，来衡量沟道孔的缺陷程度，使得能够自动检测半导体结构的沟道孔的缺陷，使得最终形成的半导体结构的性能更有保障。基于偏移距离评估缺陷相对于人工评估缺陷而言，其评估结果更客观，评估缺陷的成本更低。
110.应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本技术中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本技术公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
111.尽管在此描述了半导体结构，但可以理解，一个或多个特征可以从该半导体结构中被省略、替代或者增加。例如，半导体结构还可例如包括衬底，衬底中可根据需要形成各种阱区以及其它必要的元部件。
112.以上描述仅为本技术的实施方式以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本技术中所涉及的保护范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离技术构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本技术中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。