一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用

技术特征：
1.一种等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，自下而上依次包括衬底、金属反射层、绝缘介质层、金属纳米粒子薄膜、mose2二维材料层和电极。2.根据权利要求1所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述绝缘介质层材料为二氧化硅和/或氧化铝，绝缘介质层的厚度为200～300nm。3.根据权利要求2所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述绝缘介质层材料为二氧化硅，绝缘介质层的厚度为240～280nm。4.根据权利要求1所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述mose2二维材料层为单层mose2。5.根据权利要求1所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述金属反射层选自铝反射层、银反射层、金反射层、铂反射层中的一种或多种。6.根据权利要求1所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述金属纳米粒子薄膜选自金纳米粒子薄膜、银纳米粒子薄膜、铂纳米粒子薄膜、钯纳米粒子薄膜中的一种或多种。7.根据权利要求6所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述金属纳米粒子薄膜平均厚度为8～10nm。8.根据权利要求1所述等离激元增强的mose2光电探测器，其特征在于，所述衬底为硅片和/或蓝宝石。9.权利要求1～8任一所述等离激元增强的mose2光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s1.在所述衬底上沉积金属反射膜；s2.在所述金属反射层上覆盖绝缘介质层；s3.在所述绝缘介质层表面沉积金属纳米粒子，形成金属纳米粒子薄膜；s4.在所述金属纳米粒子薄膜表面覆盖mose2二维材料层；s5.通过微纳加工工艺在mose2二维材料层上制作电极，得到所述等离激元增强的mose2光电探测器。10.权利要求1～8任一所述等离激元增强的mose2光电探测器在制备光电器件中的应用。

技术总结
本发明公开了一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用，所述等离激元增强的MoSe2光电探测器自下而上依次包括衬底、金属反射层、绝缘介质层、金属纳米粒子薄膜、MoSe2二维材料层和电极。本发明所述等离激元增强的MoSe2光电探测器的金属反射层、绝缘介质层以及金属纳米粒子薄膜构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔，可使受激辐射的光波在其谐振腔体内维持来回振荡，提高光能密度，从而提高光电探测器的光吸收能力，具有广泛的应用前景。具有广泛的应用前景。具有广泛的应用前景。


技术研发人员：吴子峤 董华锋 薛建材 文敏儒 吴福根
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2022.01.28
技术公布日：2022/5/31