一种软扁平电缆隔离结构的制作方法

1.本实用新型属于软扁平电缆技术领域，具体涉及一种软扁平电缆隔离结构。


背景技术：

2.在软扁平电缆应用中，由于导线之间会产生电磁干扰等，影响信号传输质量，目前主要的解决办法是在导线外部添加绝缘层，虽然具有成本低廉的优点，但是抗电磁干扰能力仍然有待提高。
3.现有技术在pin定义ssgss的要求下，针对较长的扁平电缆是无法达到display port协会规格要求，如果要达到此要求，需使用比较昂贵的低介电系数的高频膜才能增加波形速度，来降低讯号对与讯号对之间的电磁干扰，降低插入损失、串音及改善眼图，成本高昂，不适合工业化推广使用。


技术实现要素：

4.为解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型的目的在于提供一种软扁平电缆隔离结构。
5.为实现上述目的，达到上述技术效果，本实用新型采用的技术方案为：
6.一种软扁平电缆隔离结构，包括由正面至反面依次设置的第一薄膜、导线和第二薄膜，所述第二薄膜远离导线的一面设置补强板，补强板不完全覆盖第二薄膜，金手指贴附于导线正面顶部未被第一薄膜覆盖的部分，需要接地导通的ground pin脚位置的薄膜正反、间断性镭通并形成间隔排布的若干个镭射孔，镭射孔内对应的导线裸露，每根导线间断性裸露，裸露部分采用介电系数低的空气做隔离介质。
7.进一步的，所述第一薄膜和第二薄膜分别设置于导线的正面和反面，第一薄膜的长度小于导线和第二薄膜的长度。
8.进一步的，所述镭射孔的宽度控制在0.9mm以内，长度控制在12mm以内。
9.进一步的，所述镭射孔的宽度控制在0.7mm，长度控制在10mm。
10.进一步的，所述镭射孔竖向等间隔排列，位于最上方或最下方的镭射孔与软扁平电缆隔离结构上边沿或下边沿之间的距离d2为15
±
10mm，上下设置的相邻两个镭射孔之间的距离d3控制在5-15mm。
11.进一步的，所述补强板长度为5mm。
12.进一步的，所述软扁平电缆隔离结构的插入损失为-7db，fext远端噪声为-20db，pselfen等位远程串音功率和为-15db，眼图中菱形图框距离眼睛肉厚1格半。
13.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
14.本实用新型公开了一种软扁平电缆隔离结构，需要接地导通的ground pin脚位置的薄膜正反、间断性镭通并形成间隔排布的若干个镭射孔，镭射孔内对应的导线裸露，每根导线间断性裸露，裸露部分采用介电系数低的空气做隔离介质，插入损失由-12db变为-7db，fext远端噪声由-16db变为-20db，pselfen等位远程串音功率和由-2db变为-15db，菱
形图框距离眼睛肉厚1格变为菱形图框距离眼睛肉厚1格半，符合客户pin定义ssgss的要求，显着降低了讯号对与讯号对间的电磁干扰，降低了插入损失、串音，改善了眼图，同时，本实用新型使用介电系数为3.2的一般薄膜，不管是有卤还是无卤材料，以空气作为介质，在电磁干扰，降低插入损失、串音及改善眼图方面，均获得比高频膜还要好的改善效果，不会存在客户需求是有卤或是无卤的限制，整体结构简单，成本低廉，适合工业化推广使用。
附图说明
15.图1为本实用新型的正面局部结构示意图；
16.图2为本实用新型的侧视图；
17.图3为本实用新型的插入损失测试图；其中，图3a为现有排线结构的插入损失测试图；图3b为实施例1的插入损失测试图；
18.图4为本实用新型的fext远程噪声测试图；其中，图4a为现有排线结构的fext远程噪声测试图；图4b为实施例1的fext远程噪声测试图；
19.图5为本实用新型的pselfen等位远程串音功率和测试图；其中，图5a为现有排线结构的pselfen等位远程串音功率和测试图；图5b为实施例1的pselfen等位远程串音功率和测试图；
20.图6为本实用新型的眼图测试图；其中，图6a为现有排线结构的眼图测试图；图6b为实施例1的排线结构的眼图测试图。
具体实施方式
21.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
22.以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
23.在本实用新型的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型而不是要求本实用新型必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本实用新型的限制。
24.如图1-6所示，一种软扁平电缆隔离结构，针对讯号对设计，包括由正面至反面依次设置的第一薄膜1、导线2和第二薄膜3，第二薄膜3远离导线2的一面设置补强板4，补强板4不完全覆盖第二薄膜3，金手指6贴附于导线2正面顶部未被第一薄膜1覆盖的部分，为符合客户pin定义ssgss的要求，降低讯号对与讯号对间的电磁干扰，降低输入损失、串音，改善眼图，将符合客户需求的需要接地导通的ground pin脚位置的薄膜正反、间断性镭通，最终形成间隔排布的若干个镭射孔5，镭射孔5内对应的导线2裸露，每根导线2间断性裸露，其裸露部分采用介电系数低的空气做隔离介质，接地导通。
25.图1为软扁平电缆隔离结构的局部结构示意图，只画出了该隔离结构的一半，另一
半未画出部分与图1结构相同且对称。
26.第一薄膜1和第二薄膜3分别设置于导线2的正面和反面，第一薄膜1的长度小于导线2和第二薄膜3的长度。
27.镭射孔5的尺寸、数量、镭射孔5之间的相隔距离等可按照客户要求进行定制，暂不做限定。
28.实施例1
29.如图1-6所示，一种软扁平电缆隔离结构，针对讯号对设计，包括由正面至反面依次设置的第一薄膜1、导线2和第二薄膜3，第二薄膜3远离导线2的一面设置补强板4，补强板4不完全覆盖第二薄膜3，金手指6贴附于导线2正面顶部未被第一薄膜1覆盖的部分，为符合客户pin定义ssgss的要求，降低讯号对与讯号对间的电磁干扰，降低输入损失、串音，改善眼图，将符合客户需求的需要接地导通的ground pin脚位置的薄膜正反、间断性镭通，最终形成间隔排布的若干个镭射孔5，进而使镭射孔5内对应的导线2裸露，每根导线2间断性裸露，其裸露部分采用介电系数低的空气做隔离介质，接地导通。
30.第一薄膜1和第二薄膜3分别设置于导线2的正面和反面，第一薄膜1的长度小于导线2和第二薄膜3的长度，补强板4的长度为5mm。
31.镭射孔5的宽度控制在0.9mm以内，长度控制在12mm以内，优选的，镭射孔5的宽度控制在0.7mm，长度控制在10mm。
32.镭射孔5竖向等间隔排列，位于最上方或最下方的镭射孔5与软扁平电缆隔离结构上边沿或下边沿之间的距离d2为15
±
10mm，上下设置的相邻两个镭射孔5之间的距离d3控制在5-15mm。
33.补强板4的长度d1为5mm。
34.表1为pin定义表，本实施例中第17、20、23、26、29、32是ground pin脚，记为g1、g2、g3、g4、g5、g6，均采用镭射机等镭通，露出导线2。
35.表1
[0036][0037]
由图3-6可知，相比现有结构，本实施例的结构的输入损失由-12db变为-7db，fext远端噪声由-16db变为-20db，pselfen等位远程串音功率和由-2db变为-15db，菱形图框距离眼睛肉厚1格变为菱形图框距离眼睛肉厚1格半。
[0038]
本实用新型未具体描述的部分或结构采用现有技术或现有产品即可，在此不做赘述。
[0039]
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。