线性稳压器、线性稳压器的频率补偿方法及系统与流程

技术特征：
1.一种线性稳压器，包括：传输晶体管，所述传输晶体管的第一电流端被耦接以接收输入电压，第二电流端被耦接到所述线性稳压器的输出节点，并提供调节后的输出电压；误差放大器，其被耦接以接收第一输入端上的参考电压和第二输入端上的反馈电压；所述反馈电压源自所述调节后的输出电压；所述误差放大器设计成：生成表示所述参考电压和所述反馈电压的差值的误差信号；第一驱动级，其耦接在所述误差放大器和所述传输晶体管之间，所述第一驱动级的第一晶体管具有被耦接以接收所述误差信号的控制端，其中所述传输晶体管的控制端被耦接以接收所述第一驱动级的输出；补偿电路，用于所述线性稳压器的频率补偿；和补偿调整电路，用于感测通过所述第一驱动级的第一晶体管的电流的大小，并基于所述电流的大小调整所述补偿电路的参数。2.根据权利要求1所述的线性稳压器，还包括负载电容，所述负载电容耦接在所述线性稳压器的输出节点和第一恒定参考电位之间，其中所述补偿调整电路包括第二晶体管，其中所述第二晶体管的控制端耦接所述第一晶体管的控制端，使得所述第二晶体管和所述第一晶体管处于电流镜配置。3.根据权利要求2所述的线性稳压器，其中所述传输晶体管的跨导和所述负载电容的电容的组合在所述线性稳压器的开环传递函数中产生极点，其中所述极点的频率位置随着从所述线性稳压器的输出节点汲取的负载电流的大小而变化，其中所述补偿电路被设计成在所述开环传递函数中产生补偿零点，其中所述补偿调整电路被设计成通过调整所述参数使所述补偿零点跟踪所述极点的频率位置。4.根据权利要求3所述的线性稳压器，其中所述第一驱动级还包括：第一电流源，耦接在第二恒定参考电位和所述第一晶体管的第一电流端之间；和第一电阻，耦接在所述第一晶体管的第二电流端和所述第二恒定参考电位之间。5.根据权利要求4所述的线性稳压器，其中所述补偿调整电路还包括：第二电流源，耦接在所述第二恒定参考电位和所述第二晶体管的第一电流端之间；第二电阻，耦接在所述第二晶体管的第二电流端和所述第二恒定参考电位之间；和下拉网络，耦接在所述第二晶体管的第一电流端和所述第二恒定参考电位之间，其中，所述下拉网络的电压用于调整所述补偿电路的参数。6.根据权利要求5所述的线性稳压器，其中，所述下拉网络包括串联耦接的第三二极管接法晶体管、第四二极管接法晶体管和第三电阻。7.根据权利要求6所述的线性稳压器，其中，所述补偿电路是电阻-电容rc电路，所述电阻与所述电容串联，其中，所述补偿电路的参数是所述rc电路的电阻。8.根据权利要求7所述的线性稳压器，其中所述rc电路包括：串联耦接的第四电阻、第五电阻和第二电容；和与所述第四电阻并联耦接的第五晶体管，其中所述第五晶体管的第一电流端耦接所述第四电阻的第一端，所述第五晶体管的第二电流端耦接所述第四电阻的第二端，并且其中
所述第二晶体管的第一电流端耦接所述第五晶体管的控制端。9.根据权利要求4所述的线性稳压器，还包括：第六二极管接法晶体管，其具有耦接所述第一晶体管的第一电流端的第一电流端，并且具有耦接所述电压稳压器的输出节点的第二电流端；和缓冲器，其配置有单位电压增益，其中所述缓冲器的输入端耦接所述第一晶体管的第一电流端，所述缓冲器的输出耦接所述传输晶体管的控制端。10.根据权利要求9所述的线性稳压器，其中，所述传输晶体管是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管nmosfet，并且所述线性稳压器是低压差ldo稳压器。11.一种线性稳压器的频率补偿方法，所述方法包括：感测流经第一驱动级的第一晶体管的电流，所述第一驱动级耦接在所述线性稳压器的误差放大器和传输晶体管之间，其中所述第一晶体管由所述误差放大器的输出驱动；和基于所述电流的大小调整所述线性稳压器的补偿电路的参数。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述补偿电路设计成：在所述线性稳压器的开环传递函数中引入零点，其中所述调整为调整所述零点的频率位置。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述线性稳压器包括负载电容，其中所述负载电容的电容和所述传输晶体管的跨导的组合在所述线性稳压器的开环传递函数中产生极点，其中所述极点的频率位置随着从所述线性稳压器的输出节点汲取的负载电流的大小而变化，其中，所述调整为调整所述参数以使所述零点跟踪所述极点。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述参数是电阻-电容rc电路的电阻。15.一种系统，包括：耦接到电源的电力端；以及电源单元，其被耦接以从所述电力端接收电力，所述电源单元包括第一线性稳压器，所述第一线性稳压器被耦接以接收所述电力并产生第一较低电源电压；其中，所述第一线性稳压器包括：传输晶体管，所述传输晶体管的第一电流端被耦接以接收输入电压，第二电流端被耦接到所述线性稳压器的输出节点，并提供调节后的输出电压；误差放大器，其被耦接以接收第一输入端上的参考电压和第二输入端上的反馈电压；所述反馈电压源自所述调节后的输出电压；所述误差放大器设计成：生成表示所述参考电压和所述反馈电压的差值的误差信号；第一驱动级，其耦接在所述误差放大器和所述传输晶体管之间，所述第一驱动级的第一晶体管具有被耦接以接收所述误差信号的控制端，其中所述传输晶体管的控制端被耦接以接收所述第一驱动级的输出；补偿电路，用于所述线性稳压器的频率补偿；和补偿调整电路，用于感测通过所述第一驱动级的第一晶体管的电流的大小，并基于所述电流的大小调整所述补偿电路的参数。16.根据权利要求15所述的系统，还包括：天线；耦接到所述天线的第一双工器；以及
第一收发器，其中所述第一较低电源电压用于为所述第一收发器中的噪声敏感块供电，所述第一收发器包括发射器部和接收器部，所述发射器部和所述接收器部各自耦接到所述第一双工器，所述第一收发器经由所述第一双工器和所述天线向无线介质发送通信信号，所述第一收发器还经由所述第一双工器和所述天线从所述无线介质接收通信信号。17.根据权利要求16所述的系统，其中，所述系统是基站收发台bts系统，所述bts系统还包括：耦接到所述天线的组合器；多个双工器，所述多个双工器的每一个都耦接到所述组合器，所述多个双工器包括所述第一双工器；以及多个收发器，包括所述第一收发器，所述多个收发器中的每一个包括发射器部和接收器部，在一端耦接到所述多个双工器中相应的一个，在另一端耦接到基站控制器，其中所述多个收发器中的每一个用于经由所述多个双工器、所述组合器和所述天线中相应的一个将从所述基站控制器接收的信息信号发送到所述无线介质中，以及经由所述多个双工器、所述组合器和所述天线中相应的一个将从所述无线介质接收的信息信号转发到所述基站控制器；其中所述电源单元包括：多个dc-dc转换器，其被耦接以从所述电力端接收电力并生成相应的电源电压，所述多个dc-dc转换器包括第一dc-dc转换器以生成第一电源电压，其中所述第一电源电压用于为所述第一收发器中的噪声不敏感的块供电，其中所述第一线性稳压器被耦接以接收第一电源电压转换器以生成所述第一较低电源电压；以及多个线性稳压器，其被耦接以从所述dc-dc转换器中相应的一个接收电源电压并产生相应的较低电源电压，其中所述多个线性稳压器包括所述第一线性稳压器，其中由一个或多个所述dc-dc转换器产生的电源电压用于为所述多个收发器中相对噪声不敏感的块供电，并且其中由一个或多个所述线性稳压器产生的电源电压用于为所述多个收发器中噪声敏感的块供电，以及其中所述多个线性稳压器中的至少第二线性稳压器的实现方式与所述第一线性稳压器类似。18.根据权利要求17所述的系统，其中所述第一线性稳压器还包括负载电容，所述负载电容耦接在所述线性稳压器的输出节点和第一恒定参考电位之间，其中所述补偿调整电路包括第二晶体管，其中所述第二晶体管的控制端耦接所述第一晶体管的控制端，使得所述第二晶体管和所述第一晶体管处于电流镜配置。19.根据权利要求18所述的系统，其中所述传输晶体管的跨导和所述负载电容的电容的组合在所述线性稳压器的开环传递函数中产生极点，其中所述极点的频率位置随着从所述线性稳压器的输出节点汲取的负载电流的大小而变化，其中所述补偿电路被设计成在所述开环传递函数中产生补偿零点，其中所述补偿调整电路被设计成通过调整所述参数使所述补偿零点跟踪所述极点的频率位置。20.根据权利要求19所述的系统，其中所述补偿调整电路还包括：
第二电流源，耦接在所述第二恒定参考电位和所述第二晶体管的第一电流端之间；第二电阻，耦接在所述第二晶体管的第二电流端和所述第二恒定参考电位之间；和下拉网络，耦接在所述第二晶体管的第一电流端和所述第二恒定参考电位之间，其中，所述下拉网络的电压用于调整所述补偿电路的参数，其中，所述下拉网络包括串联耦接的第三二极管接法晶体管、第四二极管接法晶体管和第三电阻，其中所述补偿电路是电阻-电容rc电路，电阻与所述电容串联，其中所述补偿电路的参数是所述rc电路的电阻，其中所述线性稳压器还包括：第五二极管接法晶体管，其具有耦接所述第一晶体管的第一电流端的第一电流端，并且具有耦接所述稳压器的输出节点的第二电流端；和缓冲器，其配置有单位电压增益，其中所述缓冲器的输入端耦接所述第一晶体管的第一电流端，其中所述缓冲器的输出耦接所述传输晶体管的控制端。

技术总结
线性稳压器包括耦接在误差放大器和稳压器的传输晶体管之间的第一驱动级。第一驱动级的第一晶体管具有连接以从误差放大器接收误差信号的栅极端。传输晶体管的栅极端被耦接以接收第一驱动级的输出。线性稳压器包括用于频率补偿的补偿电路和补偿调整电路。稳压器中的补偿调整电路感测通过第一驱动级的第一晶体管的电流的大小，并基于感测到的电流的大小调整补偿电路的参数。感测第一驱动级处的电流提供了从稳压器汲取的负载电流的指示，并且用于控制由补偿电路引入的补偿零点的位置。控制由补偿电路引入的补偿零点的位置。控制由补偿电路引入的补偿零点的位置。


技术研发人员：阿诺德
受保护的技术使用者：宁波奥拉半导体股份有限公司
技术研发日：2022.01.21
技术公布日：2022/5/25