弹性波装置及包含所述弹性波装置的模组的制作方法

1.本公开涉及一种弹性波装置及包含所述弹性波装置的模组。


背景技术：

2.专利文献1(日本特开2019-21904号公报)示例一种装置。所述装置包含第一电子元件与第二电子元件。
3.然而，专利文献1记载的装置中，所述第一电子元件与所述第二电子元件相邻接。因此，所述第一电子元件与所述第二电子元件无法充分地隔离。


技术实现要素：

4.本公开为解决上述问题，目的在于提供一种能提升所述第一电子元件与所述第二电子元件间的隔离的弹性波装置及包含所述弹性波装置的模组。
5.[用以解决课题的手段]
[0006]
本公开的弹性波装置，包含布线基板、安装于所述布线基板的第一电子元件、与所述第一电子元件隔着分离区域地邻接且安装于所述布线基板的第二电子元件，所述分离区域在沿着所述第一电子元件往所述第二电子元件的方向上，依序形成第一树脂层、第一金属层、中间分离区域、第二金属层，及第二树脂层。
[0007]
本公开的一种形态，所述第一树脂层与所述第二树脂层为一体相连的树脂膜，所述树脂膜覆盖于所述第一电子元件或所述第二电子元件的上表面，在所述树脂膜中，形成于所述第一电子元件或所述第二电子元件的上表面的区域的厚度，比所述第一树脂层与所述第二树脂层的厚度还厚。
[0008]
本公开的一种形态，所述第一金属层与所述第二金属层为一体相连的金属膜，并且覆盖于所述树脂膜。
[0009]
本公开的一种形态，所述金属膜以电镀法形成于所述树脂膜上。
[0010]
本发明的一种形态，所述第一电子元件或所述第二电子元件为saw滤波器。
[0011]
本发明的一种形态，所述第一电子元件或所述第二电子元件为使用声薄膜共振器的滤波器。
[0012]
本公开的一种形态，所述中间分离区域填充有导电性材料或非导电性材料。
[0013]
本公开的一种形态，所述第一电子元件及所述第二电子元件被所述布线基板与所述树脂膜密封。
[0014]
本公开的一种形态，所述弹性波装置还包含覆盖所述金属膜的密封部。
[0015]
本公开的一种形态，所述树脂膜具有位于所述第一电子元件或所述第二电子元件的上表面的孔，所述孔被填充金属。
[0016]
本公开还包括一种包含所述弹性波装置的模组。
[0017]
本发明的有益效果在于：根据本公开，能提升所述第一电子元件与所述第二电子元件间的隔离。
附图说明
[0018]
图1是第1实施例的弹性波装置的剖面图。
[0019]
图2是第1实施例的弹性波装置的弹性波元件的示意图。
[0020]
图3是第1实施例的弹性波装置的声薄膜共振器的示意图。
[0021]
图4是第2实施例的弹性波装置的剖面图。
[0022]
图5是第3实施例的适用所述弹性波装置的模组的剖面图。
具体实施方式
[0023]
以下将根据附图说明本发明的具体实施态样。应当理解的是，各图中类似或相同的部分使用相同的标记。所述类似或相同的部分将会简化或省略重复的说明。
[0024]
(第1实施例)
[0025]
图1是第1实施例的弹性波装置的剖面图。
[0026]
图1是弹性波装置1作为双工器的弹性波装置的示例。
[0027]
如图1所示，所述弹性波装置1包含布线基板3、多个凸块15、第一电子元件5a、第二电子元件5b、树脂膜6、金属膜7、填充材料8，及密封部17。
[0028]
例如，所述布线基板3是由树脂制成的多层基板。例如，所述布线基板3是由多个介电层形成的低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics，ltcc)多层基板。
[0029]
所述凸块15电性连接于所述布线基板3。例如，所述凸块15为金凸块。例如，所述凸块15的高度为20μm～50μm。
[0030]
所述第一电子元件5a安装于所述布线基板3。例如，所述第一电子元件5a借由多个所述凸块15与所述布线基板3接合。
[0031]
例如，所述第一电子元件5a是由钽酸锂、铌酸锂或水晶等压电单晶形成的基板。例如，所述第一电子元件5a是由压电陶瓷形成的基板。例如，所述第一电子元件5a是由压电基板和支持基板接合而成的基板。例如，所述支持基板是由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成的基板。
[0032]
所述第一电子元件5a是形成有功能元件的基板。例如，所述第一电子元件5a的主面(图1的下表面)形成有使用弹性波元件的接收用saw滤波器。
[0033]
所述接收用saw滤波器能让预期的频率带域的电信号通过。例如，所述接收用saw滤波器是由多个串联共振器与多个并联共振器构成的梯形滤波器。
[0034]
所述第二电子元件5b通过分离区域s与所述第一电子元件5a邻接地安装于所述布线基板3上。例如，所述第二电子元件5b与所述第一电子元件5a相隔约40μm～100μm而安装于所述布线基板3上。例如，所述第二电子元件5b借由多个所述凸块15与所述布线基板3接合。
[0035]
例如，所述第二电子元件5b是由钽酸锂、铌酸锂或水晶等压电单晶形成的基板。例如，所述第二电子元件5b是由压电陶瓷形成的基板。例如，所述第二电子元件5b是由压电基板和支持基板接合而成的基板。例如，所述支持基板是由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成的基板。
[0036]
所述第二电子元件5b是形成有功能元件的基板。例如，所述第二电子元件5b的主面(图1的下表面)形成有使用弹性波元件的发送用saw滤波器。
[0037]
所述发送用saw滤波器能让预期的频率带域的电信号通过。例如，所述发送用saw滤波器是由多个串联共振器与多个并联共振器构成的梯形滤波器。
[0038]
所述树脂膜6覆盖于所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b的上表面。所述树脂膜6与所述布线基板3共同密封所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b。例如，所述树脂膜6通过在将厚度约10μm～20μm的树脂薄膜覆盖在所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b的上表面的状态下被吸引而陷入分离区域s而形成。所述树脂膜6包括第一树脂层6a与第二树脂层6b。所述第一树脂层6a与所述第二树脂层6b一体相连。在所述树脂膜6中，形成于所述第一电子元件5a或所述第二电子元件5b的上表面的区域的厚度，比所述第一树脂层6a与所述第二树脂层6b的厚度还厚。例如，在所述树脂膜6中，形成于所述第一电子元件5a中央的上表面或所述第二电子元件5b中央的上表面的区域的厚度为10μm～20μm。例如，所述第一树脂层6a与所述第二树脂层6b的厚度为5μm～15μm。例如，所述树脂层6的与所述第一电子元件5a的所述第二电子元件5b侧的相反侧的侧壁邻接的区域的厚度为5μm～15μm。例如，所述树脂膜6的与所述第二电子元件5b的所述第一电子元件5a侧的相反侧的侧壁邻接的区域的厚度为5μm～15μm。
[0039]
所述金属膜7覆盖于所述树脂膜6。例如，所述金属膜7以电镀法形成于所述树脂膜6上。例如，所述金属膜7以无电解电镀法形成。所述金属膜7包含第一金属层7a与所述第二金属层7b。所述第一金属层7a与所述第二金属层7b为一体相连。
[0040]
在所述分离区域s中，所述第一树脂层6a、所述第一金属层7a、中间分离区域s1、所述第二金属层7b，及所述第二树脂层6b，在沿着所述第一电子元件5a往所述第二电子元件5b的方向上依序形成。
[0041]
例如，所述填充材料8为导电性材料。例如，所述填充材料8为非导电性材料。所述填充材料8在所述金属膜7形成后填充于所述中间分离区域s1中。
[0042]
所述密封部17覆盖于所述金属膜7。例如，所述密封部17由合成树脂等绝缘体制成。例如，所述密封部17由金属制成。例如，所述密封部17由树脂层与金属层制成。
[0043]
在以合成树脂形成所述密封部17的情况下，所述合成树脂为环氧树脂、聚酰亚胺等。较佳地，所述密封部17使用环氧树脂，并经由低温硬化制程由所述环氧树脂形成。
[0044]
接着，借由图2说明所述弹性波元件的示例。
[0045]
图2是第1实施例的弹性波装置的弹性波元件的示意图。
[0046]
如图2所示，idt(叉指换能器，interdigital transducer)52a与一对反射器52b形成于装置芯片50的主面。所述装置芯片50具有所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b的功能。所述idt 52a与所述反射器52b以能激发弹性表面波的方式设置。
[0047]
例如，所述idt 52a及所述反射器52b由铝和铜的合金形成。例如，所述idt 52a及所述反射器52b由钛、钯、银等适合的金属或其合金形成。例如，所述idt 52a与所述反射器52b也可以是由多个金属层层叠而成的多层金属构造。例如，所述idt 52a与所述反射器52b的厚度为150nm～400nm。
[0048]
所述idt 52a具有一对梳状电极52c。所述梳状电极52c彼此相对。所述梳状电极52c各自具有数个电极指52d与汇流条52e。所述电极指52d沿纵向延伸。所述汇流条52e连接所述电极指52d。
[0049]
所述反射器52b的其中一个邻接所述idt 52a的其中一侧。所述反射器52b的另外
一个邻接所述idt 52a的另外一侧。
[0050]
接着，借由图3说明所述弹性波元件为声薄膜共振器的示例。图3是第1实施例的弹性波装置的弹性波元件为声薄膜共振器的示意图。
[0051]
在图3中，芯片基板60具有所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b的功能。例如，所述芯片基板60为硅等半导体基板，或者是蓝宝石、氧化铝、尖晶石或玻璃等绝缘基板。
[0052]
压电膜62设置在所述芯片基板60上。例如，所述压电膜62由氮化铝制成。
[0053]
下部电极64与上部电极66将所述压电膜62夹置其中。例如，所述下部电极64与所述上部电极66由钌等金属制成。
[0054]
所述下部电极64与所述芯片基板60间形成空隙68。
[0055]
在所述声薄膜共振器中，所述下部电极64及所述上部电极66在所述压电膜62内以厚度纵向振动模式激发弹性波。
[0056]
根据上述第1实施例，所述分离区域s在沿所述第一电子元件5a往所述第二电子元件5b的方向上，依序形成所述第一树脂层6a、所述第一金属层7a、所述中间分离区域s1、所述第二金属层7b，及所述第二树脂层6b。因此，能提升所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b间的隔离。
[0057]
并且，所述第一树脂层6a与所述第二树脂层6b一体相连。所述树脂膜6覆盖于所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b。在所述树脂膜6中，形成于所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b的上表面的区域的厚度，比所述第一树脂层6a与所述第二树脂层6b的厚度还厚。因此，在缩短所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b间的距离同时，可提升所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b间的隔离。
[0058]
再者，所述金属膜7覆盖所述树脂膜6。因此，即使在没有所述密封部17的情况下，也能实现所述弹性波装置1的密封结构。因此，能实现所述弹性波装置1的结构薄型化。
[0059]
并且，所述金属膜7以电镀法形成于所述树脂膜6上。因此，能实现所述弹性波装置1的结构薄型化。
[0060]
再者，所述第一电子元件5a或所述第二电子元件5b为saw滤波器。因此，能提升saw滤波器与其他电子元件间的隔离。
[0061]
并且，所述第一电子元件5a或所述第二电子元件5b为使用声薄膜共振器的滤波器。因此，能提升使用声薄膜共振器的滤波器与其他电子元件间的隔离。
[0062]
再者，所述中间分离区域s1中填充有导电性材料或非导电性材料的填充材料8。因此，能更确实地提升所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b间的隔离。
[0063]
并且，所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b被所述布线基板3与所述树脂膜6密封。因此，能更确实地提升所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b间的隔离。
[0064]
再者，所述密封部17覆盖所述金属膜7。因此，能更确实地密封所述弹性波装置1。
[0065]
(第2实施例)
[0066]
图4是第2实施例的弹性波装置的剖面图。需注意的是，与所述第1实施例相同或类似的部分使用相同的标记。所述相同或类似的部分将会省略说明。
[0067]
所述第2实施例的树脂膜6，具有位于所述第一电子元件5a或所述第二电子元件5b上表面的至少一个孔71。例如，所述孔71通过激光加工形成。
[0068]
所述孔71被金属72填充。例如，所述金属72与所述金属膜7同时以电镀法形成。例
如，所述金属72与所述金属膜7同时以无电解电镀法形成。
[0069]
根据上述第2实施例，所述树脂膜6形成有位于所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b上表面的所述孔71。所述孔71被填充金属72。因此，可提升所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b的放热性。
[0070]
(第3实施例)
[0071]
图5是第3实施例的适用所述弹性波装置1的模组100的剖面图。需注意的是，与所述第1实施例相同或类似的部分使用相同的标记。所述相同或类似的部分将会省略说明。
[0072]
在图5中，所述模组100包含布线基板130、集成电路元件ic、所述弹性波装置1、电感器111，及密封部117。
[0073]
所述布线基板130与所述第1实施例的布线基板3相同。
[0074]
虽然图中未示出，所述集成电路元件ic安装在所述布线基板130的内部。所述集成电路元件ic包括开关电路与低噪声放大器。
[0075]
所述弹性波装置1安装在所述布线基板130的主面。
[0076]
所述电感器111安装在所述布线基板130的主面。所述电感器111是为了阻抗匹配而安装。例如，所述电感器111为集成无源装置(integrated passive device，ipd)。
[0077]
所述密封部117将包括所述弹性波装置1在内的多个电子元件密封。
[0078]
根据上述第3实施例，所述模组100包含所述弹性波装置1。因此，能提升所述模组100中的所述第一电子元件5a与所述第二电子元件5b间的隔离。
[0079]
虽然以上描述了至少一个实施态样，应当理解的是，本领域技术人员能容易想到进行各种变化、修正或改进。上述变化、修正或改进也属于本公开的一部分，并且，属于本发明的范围。
[0080]
应当理解的是，这里所描述的方法或装置的实施态样，不仅限于以上说明所记载或附图所示例的构成组件的架构和排列。方法和装置能以其他实施态样安装，或以其他实施态样施行。
[0081]
所述实施例仅用于说明，并没有限定的意思。
[0082]
本公开所使用的描述或用词仅是为了说明，并没有限定的必要。这里的“包括”、“具备”、“具有”、“包含”及其变化的使用，具有包括之后列举的项目、其等同物和附加项目的意思。
[0083]“或(或者)”的用词，或任何使用“或(或者)”描述的用语，可解释为所述描述用语中的其中一个、大于一个，或全部的意思。
[0084]
前、后、左、右、顶、底、上、下，及水平、垂直的引用都是为了方便描述，并非限定本发明中任一构成组件的位置与空间配置。因此，上述说明与附图只是示例性的。