一种高性能光电探测器的制备方法

技术特征：
1.一种高性能光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、使用透明胶带将机械剥离的mose2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到mose2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；s2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；s3、再通过反应离子刻蚀机在mose2光电器件的mose2薄片上进行o2等离子体处理，为了防止在mose2纳米片上过度蚀刻，mose2薄片被处理两次，每次o2等离子体处理15秒，间隔10秒，最终制得mose
2-o2光电探测器。2.按照权利要求1所述的一种高性能光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中，进行o2等离子体处理时，控制反应离子刻蚀机的压力为470m torr，氧气流量为5sccm，功率为20mw。3.按照权利要求1所述的一种高性能光电探测器的制备方法，其特征在于，所述衬底为sio2/si衬底。

技术总结
本发明公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。电探测器的制备方法。电探测器的制备方法。


技术研发人员：巫江 黄一轩 任翱博 沈凯
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/5/17