技术特征：
1.一种cmp研磨垫，其特征在于，包括：圆盘状的研磨垫，所述研磨垫具有相对的两个表面，其中一个表面为研磨表面；设置在所述研磨表面上的多个圆环形沟槽，所述多个圆环形沟槽呈同心圆状由所述研磨垫的中心向所述研磨垫的边缘依次排布；所述研磨表面划分为n个研磨区，其中，n为大于或等于2的整数；所述n个研磨区包括位于所述研磨垫中心处且呈圆形的第一研磨区，还包括呈同心圆状由所述研磨垫的中心向边缘依次排布的第二研磨区至第n研磨区；且每个研磨区均具有至少两个所述圆环形沟槽；所述第二研磨区至所述第n研磨区中的每个研磨区上均穿设有连通该研磨区上任意相邻的两个圆环形沟槽的通孔。2.如权利要求1所述的cmp研磨垫，其特征在于，所述多个圆环形沟槽中任意相邻的两个圆环形沟槽之间具有将该两个圆环形沟槽隔开的圆环形凸起，所述通孔贯穿所述圆环形凸起的两个侧壁，以连通该相邻的两个圆环形沟槽。3.如权利要求2所的cmp研磨垫，其特征在于，所述第二研磨区至所述第n研磨区中的每个研磨区上的每个通孔贯穿该研磨区上的所有所述圆环形凸起的两个侧壁。4.如权利要求3所述的cmp研磨垫，其特征在于，所述第二研磨区至所述第n研磨区中的每个研磨区上通孔的个数为至少两个。5.如权利要求4所述的cmp研磨垫，其特征在于，所述至少两个通孔环绕所述研磨垫的中心均匀分布。6.如权利要求4所述的cmp研磨垫，其特征在于，所述研磨区个数n大于或等于3。7.如权利要求6所述的cmp研磨垫，其特征在于，在所述第二研磨区至所述第n研磨区中相邻的两个研磨区之间，位于外侧的研磨区上的通孔个数多于位于内侧的研磨区上的通孔个数。8.如权利要求1所述的cmp研磨垫，其特征在于，所述第二研磨区至所述第n研磨区中的每个研磨区的宽度为30mm以上。9.如权利要求1所述的cmp研磨垫，其特征在于，所述通孔的孔径大于0.1mm。10.一种cmp研磨装置，其特征在于，包括：转盘；固定在所述转盘上的如权利要求1～9任一项所述的cmp研磨垫，其中，所述研磨垫的另一个表面固定在所述转盘上；位于所述研磨垫上方且用于将晶圆抵压在所述研磨表面上的研磨头。
技术总结
本发明提供了一种CMP研磨垫及CMP研磨装置，该CMP研磨垫包括一个圆盘状的研磨垫。还包括设置在研磨表面上的多个圆环形沟槽，多个圆环形沟槽呈同心圆状由研磨垫的中心向研磨垫的边缘依次排布。研磨表面划分为N个研磨区。该N个研磨区包括位于研磨垫中心处且呈圆形第一研磨区，还包括呈同心圆状由研磨垫的中心向边缘依次排布的第二研磨区至第N研磨区。第二研磨区至第N研磨区中的每个研磨区上均穿设有连通该研磨区上任意相邻的两个圆环形沟槽的通孔。通过在第二研磨区至第N研磨区中的每个研磨区上均穿设有通孔，调节不同研磨区中研磨液的量，改善CMP工序中晶圆表面成膜图形的均匀性，提高良率。提高良率。提高良率。
技术研发人员：金泰源 张月 杨涛 卢一泓 刘青
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.11.11
技术公布日：2022/5/16
再多了解一些
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