1.本实用新型属于基材表面改性，特别涉及一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源。
背景技术：
2.离子源已被证明对于基材改性和薄膜沉积有效用。高能离子被用于蚀刻表面并为生长膜提供能量。离子源在工业应用中所面临的一个挑战是，生产过程所产生的副产品，特别是当这些副产品最终在阳极上形成一绝缘薄膜时，阳极有受到污染的趋势。在加工的过程中，基材件的表面带有脏污物，影响产品加工质量。
3.基材在被加工的同时，会在基材的表面产生一定的粗糙度，因此我们需要设计一种可对基材表面薄膜进行活性处理的装置。
技术实现要素：
4.本实用新型的目的是针对现有技术中存在的上述问题，提供了一种应用于在真空状态下对基材件改性的离子源,主要目的是为了清洁、活化基材表面并且对基材缺陷有一定的修复作用。
5.本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现：一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源，该离子源包括离子源装置、精密流量控制装置、气体输入装置和高频直流电源，其特征在于，所述的离子源装置由壳体、固定板、磁性管、磁钢和导向组件组成，所述的固定板设置于壳体的左右两端，且两块固定板上均开设有观察口，所述的导向组件设置于壳体的左右两端，且用于供基材的导向，所述的壳体内还设置有不锈钢管路，所述的不锈钢管路内壁上设置有用于绝缘的陶瓷件，基材由壳体外通过导向组件进入壳体内部，并通过高频直流电源放电，通电后，离子约束于壳体内，辉光放电，对基材表面进行处理。
6.在上述的一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源中，所述的导向组件由上下设置的导向块组成，上下设置的导向块之间具有供基材进入的间隙。
7.在上述的一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源中，基材可从左端设置的导向组件进入并从右端设置的导向组件输出也可从右端设置的导向组件进入并从左端设置的导向组件输出。
8.与现有技术相比，本用于在真空状态下对基材件改性的离子源通过将基材导向运输至壳体内，高频直流电源启动，开始放电，在放电状态下，在壳体内中的一定范围内产生离子，并将离子约束在壳体内的一定范围内，辉光放电，将基材表面进行活化从而将基材表面的污物进行消除。
附图说明
9.图1是本实用新型中离子源装置的侧视结构示意图。
10.图2是本实用新型中离子源装置的部分剖视结构示意图。
11.图中，1、壳体；2、磁钢；3、导向组件；4、磁性管；5、导向块；6、间隙；7、固定板；8、观察口。
具体实施方式
12.以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
13.如图1、图2所示，本用于在真空状态下对基材件改性的离子源，该离子源包括离子源装置、精密流量控制装置、气体输入装置和高频直流电源，离子源装置由壳体1、磁性管4、磁钢2、固定板7和导向组件3组成，所述的固定板7设置于壳体1的左右两端，且两块固定板7上均开设有观察口8，导向组件3设置于壳体1的左右两端，且用于供基材的导向，壳体1内还设置有不锈钢管路，不锈钢管路的内壁上设置有用于绝缘的陶瓷件，所述磁钢2设置于相对应的磁性管4内，基材由壳体1外通过导向组件3进入壳体1内部，并通过高频直流电源放电，通电后，离子约束于壳体1内，辉光放电，对基材表面进行处理。
14.进一步细说，导向组件3由上下设置的导向块5组成，上下设置的导向块5之间具有供基材进入的间隙6。
15.进一步细说，基材可从左端设置的导向组件3进入并从右端设置的导向组件3输出也可从右端设置的导向组件3进入并从左端设置的导向组件3输出。
16.工作原理：基材通过一端的导向组件3进入壳体1，在真空泵作用下，抽到-1pa时，同时冷却水对离子源进行冷却，离子源先通入氦气，氦气流量控制在100ppm-400ppm之间，打开高频直流电源并使其通电，通电后在壳体1内的一定的场合下产生离子，将离子约束在壳体1的一定的范围内，辉光放电，对基材进行连续处理。
17.本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
技术特征：
1.一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源，该离子源包括离子源装置、精密流量控制装置、气体输入装置和高频直流电源，其特征在于，所述的离子源装置由壳体（1）、固定板（7）、磁性管（4）、磁钢（2）和导向组件（3）组成，所述的固定板（7）设置于壳体（1）的左右两端，且两块固定板（7）上均开设有观察口（8），所述的导向组件（3）设置于壳体（1）的左右两端，且用于供基材的导向，所述的壳体（1）内还设置有不锈钢管路，所述的不锈钢管路内壁上设置有用于绝缘的陶瓷件，基材由壳体（1）外通过导向组件（3）进入壳体（1）内部，并通过高频直流电源放电，通电后，离子约束于壳体（1）内，辉光放电，对基材表面进行处理。2.根据权利要求1所述的一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源，其特征在于，所述的导向组件（3）由上下设置的导向块（5）组成，上下设置的导向块（5）之间具有供基材进入的间隙（6）。3.根据权利要求2所述的一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源，其特征在于，所述基材从左端设置的导向组件（3）进入并从右端设置的导向组件（3）输出或从右端设置的导向组件（3）进入并从左端设置的导向组件（3）输出。
技术总结
本实用新型提供了一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源，属于基材表面改性。它解决了现有基材在被加工的同时，会在基材的表面产生一定的粗糙度的问题。本用于在真空状态下对基材件改性的离子源，该离子源包括离子源装置、精密流量控制装置、气体输入装置和高频直流电源，离子源装置由壳体、固定板、磁性管、磁钢和导向组件组成，固定板设置于壳体的左右两端，且两块固定板上均开设有观察口，导向组件设置于壳体的左右两端，且用于供基材的导向，壳体内还设置有不锈钢管路，所述的不锈钢管路内壁上设置有用于绝缘的陶瓷件。本实用新型具有清洁、活化基材表面并且对基材缺陷有一定的修复作用的优点。定的修复作用的优点。定的修复作用的优点。
技术研发人员：林正亮
受保护的技术使用者：温岭市倍福机械设备制造有限公司
技术研发日：2021.11.15
技术公布日：2022/5/16
再多了解一些
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