气体室的制作方法

技术特征：
1.一种用于对气体进行光谱式的、尤其是吸收光谱式的分析的气体室(1)，在所述气体室中，所述气体暴露于电磁辐射的入射射束(s)中，并且检测所述电磁辐射的从所述气体出来的出射射束(s
a
)以形成测量信号，其中，所述气体室(1)具有：由对所述电磁辐射进行散射的多孔材料所构成的主体(10)，和用于将所述入射射束(s)耦入到所述气体室(1)中的耦入装置(20)和用于将所述出射射束(s
a
)从所述气体室(1)耦出的耦出装置(30)，其特征在于，在所述主体(10)中构造有无材料的腔(12)，所述腔被在所述材料内部延伸的内表面(14)包围，所述内表面对所述电磁辐射不仅进行漫反射而且进行透射。2.根据权利要求1所述的气体室(1)，其中，所述材料具有多孔陶瓷材料，在所述多孔陶瓷材料中形成所述腔(12)。3.根据权利要求1或2所述的气体室(1)，其中，孔隙率至少为25％，优选至少为30％，进一步优选至少为35％，而最高为70％，优选最高为65％，进一步优选最高为60％。4.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，所述腔(12)具有空心球体的形状，所述空心球体具有半径r
k
。5.根据权利要求4所述的气体室(1)，其中，所述空心球体的半径r
k
是在考虑信噪比的情况下选择的，并且所述空心球体的半径r
k
优选至少为2mm，进一步优选至少为5mm，再进一步优选至少为10mm，而再进一步优选至少为15mm。6.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，所述主体(10)具有隔开距离地包围所述腔(12)的所述内表面(14)的外表面(16)，在所述距离的情况下，在所述外表面(16)上出射的损耗辐射小于预给定的损耗界限，所述损耗界限优选小于或等于所述入射射束(s)的强度的99％，进一步优选小于或等于所述入射射束(s)的强度的95％，而再进一步优选小于或等于所述入射射束(s)的强度的90％。7.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，由所述射束(s)在所述气体室(1)中所走过的光学路径长度(l
o
)与由所述主体(10)的所述外表面(16)所包围在内的气体室体积(v)之比大于或等于105m-2
，优选大于或等于2
·
105m-2
，进一步优选大于或等于3
·
105m-2
。8.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，所述耦入装置(20)构造为用于将所述入射射束(s)发散式地耦入到所述腔(12)中。9.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，所述耦入装置(20)和/或所述耦出装置(30)具有光导体。10.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，所述耦入装置(20)构造为用于将所述入射射束(s)的电磁辐射耦入到所述腔(12)中，和/或所述耦出装置(30)构造为用于将形成所述出射射束(s
a
)的电磁辐射从所述腔(12)耦出。11.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，在考虑吸光度和/或信噪比的情况下选择由所述耦入和/或耦出装置(20，30)在所述主体(10)中所占据的区域的大小。12.根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)，其中，所述耦入装置(20)构造为用于将所述入射射束(s)的电磁辐射耦入到所述主体(10)的具有所述多孔材料的区域(18)中，和/或所述耦出装置(30)构造为用于将形成所述出射射束(s
a
)的电磁辐射从所述主体
(10)的具有所述多孔材料的区域(18)耦出。13.一种用于对气体进行吸收光谱式分析的组件，所述组件具有：根据前述权利要求中任一项所述的气体室(1)；用于产生所述入射射束(s)的电磁辐射源；和用于检测所述出射射束(s
a
)的探测器装置。14.根据权利要求13所述的组件，其中，所述电磁辐射源具有可调谐的激光二极管。

技术总结
本发明涉及一种用于对气体进行光谱式的、尤其是吸收光谱式的分析的气体室(1)，在该气体室中，所述气体暴露于电磁辐射的入射射束(S)中，并且该电磁辐射的从该气体出来的出射射束(SA)以形成测量信号，其中，该气体室(1)具有由对电磁辐射进行散射的多孔材料所构成的主体(10)、用于将入射射束(S)耦入到气体室(1)中的耦入装置(20)，和用于将出射射束(S


技术研发人员：P
受保护的技术使用者：梅特勒-托莱多有限公司
技术研发日：2020.09.21
技术公布日：2022/5/10