阵列基板和显示面板的制作方法

1.本技术涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。


背景技术：

2.液晶显示装置(liquid crystal display，lcd)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在平板显示领域占主导地位，液晶显示装置包括相对设置的彩色滤光片基板好薄膜晶体管阵列基板以及夹置在两者之间的液晶层。
3.传统扭曲向列型(twisted nematic，tn)的液晶显示装置，公共电极和像素电极分别形成在上下两个不同的基板上，但tn型液晶显示装置的视角比较窄，为实现宽视角，平面转换型(in-plane switching，ips)的液晶显示装置被开发出来，ips型的液晶显示装置中，像素电极和公共电极是形成在同一基板(即薄膜晶体管阵列基板)上，液晶在与阵列基板大致平行的平面内旋转从而获得更广的视角。
4.针对ips型的液晶显示装置，像素电极和公共电极之间产生的电场可以分解为水平方向的电场分量和垂直方向的电场分量，水平方向的电场分量是有效电场，用于驱动液晶在水平面内旋转，实现显示目的，而垂直方向的电场分量会使液晶在竖直面内偏转，降低了液晶显示装置在显示时的穿透率，且在垂直电场的影响下容易产生trace mura的现象，因此，要尽量避免在垂直方向上产生较大的电场。


技术实现要素：

5.本技术的目的是提供一种阵列基板和显示面板，通过增大狭缝宽度与电极宽度之间的比值，从而降低垂直方向的电场分量的占比，有利于改善trace mura的现象。
6.本技术公开了一种阵列基板，包括公共电极和像素电极，所述公共电极包括多个相互连接的公共电极分支，所述像素电极包括多个相互连接的像素电极分支，所述公共电极分支与所述像素电极分支交错间隔设置，所述公共电极分支的宽度和所述像素电极分支的宽度相同；其中，所述公共电极分支和所述像素电极分支的宽度为a，所述公共电极分支与相邻的所述像素电极分支之间的间距为b，所述b:a的值大于1.6：1。
7.可选的，所述b:a的值大于1.6：1，小于2:1。
8.可选的，所述b:a的值为1.9：1。
9.可选的，所述a为1.8-2微米，所述b为3.6-3.8微米。
10.可选的，所述阵列基板还包括多条数据线、多条扫描线、多条第一公共线和多条第二公共线，多条数据线和多条扫描线纵横交错排列以形成网状结构，多条所述第一公共线和多条所述第二公共线纵横交错排列以形成网状结构，所述第一公共线与所述扫描线交错平行设置，所述第二公共线与所述数据线平行设置，一条所述数据线的两侧分别设有一条所述第二公共线；其中，所述第二公共线的宽度为d，所述第二公共线到最近的所述像素电极分支的距离为c，所述c:d的值大于5:1。
11.可选的，所述c：d的值大于5：1，小于7：1。
12.可选的，所述c为5.4-5.6微米，所述d为0.5-1.5微米。
13.可选的，所述a大于所述d，所述c大于所述b。
14.可选的，所述a:b:c:d的值为1.9:3.7:5.5:1。
15.本技术还公开了一种显示面板，包括如上任一项所述的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板对盒设置。
16.本技术中，公共电极分支和像素电极分支的宽度为a，公共电极分支与相邻的像素电极分支之间的间距为b，将b:a的比值调整到大于1.6:1，使所述公共电极分支和所述像素电极分支之间的间距增大，所述公共电极和所述像素电极之间所产生的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例减小，水平方向上的电场分量占总电场分量的比例增加，以降低垂直方向上的电场对液晶偏转的影响，从而改善了在垂直电场的影响下显示面板容易产生trace mura的问题，且提高了显示面板的穿透率。
附图说明
17.所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
18.图1是本技术的第一实施例的一种阵列基板的结构示意图；
19.图2是本技术的图1中a处的放大图；
20.图3是本技术的第二实施例的一种阵列基板的结构示意图；
21.图4是本技术的图1中b处的放大图图；
22.图5是本技术的第三实施例的一种显示面板的结构示意图。
23.其中，100、公共电极分支；200、像素电极分支；300、数据线；400、扫描线；500、第一公共线；600、第二公共线；700、阵列基板；800、彩膜基板。
具体实施方式
24.需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
25.在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
26.另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本技术的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
27.此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
28.下面参考附图和可选的实施例对本技术作详细说明，需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
29.图1是本技术的第一实施例的一种阵列基板的结构示意图，图2是本技术的图1中a处的放大图，如图1和图2所示，作为本技术的第一实施例，公开了一种阵列基板700，包括公共电极和像素电极，所述公共电极包括多个相互连接的公共电极分支100，所述像素电极包括多个相互连接的像素电极分支200，所述公共电极分支100与所述像素电极分支200交错间隔设置，所述公共电极分支100的宽度和所述像素电极分支200的宽度相同；
30.其中，所述公共电极分支100和所述像素电极分支200的宽度为a，所述公共电极分支100与相邻的所述像素电极分支200之间的间距为b，所述b:a的值大于1.6：1。
31.目前的ips型显示面板中，通常采用的所述公共电极分支100和所述像素电极分支200的宽度a值，与所述公共电极分支100和相邻的所述像素电极分支200之间的间距b值，所述b:a的值通常设置在1.3:1-1.4:1之间，以达到显示面板的显示效果，本技术中，将所述b:a的比值调整到大于1.6:1，使所述公共电极分支100与相邻的所述像素电极分支200之间的间距增大，所述公共电极分支100和所述像素电极分支200的间距增大后，所述公共电极100和所述像素电极200之间所产生的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例减小，水平方向上的电场分量占总电场分量的比例增加，以降低垂直方向上的电场对液晶偏转的影响，从而改善了在垂直电场的影响下显示面板容易产生trace mura的问题，且增加了水平方向上的电场对液晶偏转的控制，提高了显示面板的穿透率。
32.其中，所述公共电极分支100和所述像素电极分支200的宽度a值，所述公共电极分支100与相邻的所述像素电极分支200之间的间距b值，所述b:a的值大于1.6:1且小于2:1，在调整公共电极分支100和像素电极分支200之间的间距来改善显示面板容易在垂直电场的影响下出现trace mura的问题的同时，限制公共电极分支100和像素电极分支200之间的间距不会过大，避免因公共电极分支100和像素电极分支200之间的间距过大，而导致所述公共电极100和所述像素电极200在阵列基板700工作时，阵列基板700的功耗增加太大；所述b:a的值若小于1.6:1时，公共电极分支和像素电极分支之间的间距虽然与现有的相比得到一定的增加，但公共电极和像素电极之间所形成的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例还是较大，改善trace mura的效果较小或几乎没有改善。
33.在本实施例中，所述b:a的值优选为1.9：1，相同驱动电压下，相对于其他的b:a的比值来说，trace mura消失的时间更快，trace mura消失的时间约为1秒，基本在1秒内完全消失，给客户带来更好的视觉体验，且显示面板的穿透率为5.5％，在达到改善trace mura的问题的同时能达到较好的显示效果。
34.具体的，在分辨率为3840*2160的显示面板内，所述b：a的值最佳值1.9:1，且所述a为1.8-2微米，所述b为3.6-3.8微米，所述a和所述b在这个范围内，公共电极100和像素电极200之间的电场在垂直方向上的电场分量的占比小于在水平方向上的电场分量的占比，能有效的改善显示面板的中间区域容易出现trace mura的问题，同时，所述显示面板的穿透
率也能维持在5.5％，提高显示面板的显示效果。
35.图3是本技术的第二实施例的一种阵列基板的结构示意图，图4是本技术的图1中b处的放大图，如图1、图3和图4所示，作为本技术的第二实施例，是本技术的第一实施例的一种细化，公开了一种阵列基板700，所述阵列基板700还包括多条数据线300、多条扫描线400、多条第一公共线500和多条第二公共线600，所述数据线300与多个像素电极200连接，所述数据线300用于输出数据信号至像素电极200，所述第一公共线500和所述第二公共线600分别与多个公共电极100连接，所述第一公共线500和所述第二公共线600用于输出公共信号至公共电极100，多条数据线300和多条扫描线400之间纵横交错排列以划分出多个像素，多条所述第一公共线500和多条所述第二公共线600纵横交错排列以形成网状结构，所述第一公共线500与所述扫描线400交错平行设置，所述第二公共线600与所述数据线300平行设置，一条所述数据线300的两侧分别设有一条所述第二公共线600，所述第二公共线600的宽度为d，所述第二公共线600到最近的所述像素电极分支200的距离为c，所述c:d的值大于5:1。
36.在一条数据线300的两侧上分别设置一条第二公共线600，所述第二公共线600与所述数据线300之间会产生电场，从而使得所述数据线300与最近的像素电极分支200之间所产生的电场强度降低，第二公共线600与数据线300之间产生的电场起到一个屏蔽的作用，降低了数据线300对像素电极200和公共电极100之间的电场的影响；
37.在本实施例中，所述第二公共线600与所述数据线300处于不同层设置且第二公共线600与像素电极200和公共电极100处于不同层之间，所述第二第二公共线600和最接近的一个像素电极分支200之间产生的电场在垂直方向上的电场分量的占比占总电场分量的比例较多，垂直电场对液晶的偏转影响较大，本技术中，通过增大所述第二公共线600的宽度c与所述第二公共线600到最近的一个所述像素电极分支200的距离d的比值，即c:d大于5：1，将所述第二公共线600到最近的一个所述像素电极分支200的距离增加，从而，所述第二公共线600与最近的一个所述像素电极分支200之间产生的电场，在水平方向上的电场分量占总电场分量的比例增加，在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例减小，垂直方向上的电场对液晶的影响降低，有利于改善容易出现trace mura的问题。
38.其中，所述c:d的值大于5:1，小于7:1，以使所述第二公共线600到最近的一个所述像素电极分支200之间的间距不会无限增大，在保证第二公共线600和像素电极分支200之间产生的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例减小的同时，避免所述第二公共线600与所述像素电极分支200之间不会因距离太远而导致产生的电场的强度大幅度降低，控制液晶偏转的能力大幅度减弱，而容易出现trace mura的问题；若c:d的值小于5:1，所述第二公共线600和像素电极分支200之间的间距虽然与现有的相比得到一定的增加，但第二公共线600和像素电极分支200之间所形成的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例还是较大，改善trace mura的效果较小或几乎没有改善。
39.在本实施例中，所述c:d的值优选为5.5:1，所述第二公共线600和所述像素电极分支200之间产生的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例减小的同时，所述第二公共线600与所述像素电极分支200之间的电场强度也维持在一定的强度内，以使所述第二公共线600和所述像素电极分支200之间产生的电场能很好的控制处于电场内的液晶偏转，降低垂直方向上的电场分量，减少垂直方向上的电场对液晶的影响，改善显示面板中像
素的边缘区域容易出现trace mura的问题。
40.具体的，在分辨率为3840*2160的显示面板内，所述c：d的值最佳值5.5:1，且所述c为5.4-5.6微米，所述d为0.5-1.5微米，所述c和所述d在这个范围内，第二公共线600和像素电极分支200之间的电场在垂直方向上的电场分量的占比小于在水平方向上的电场分量的占比，能有效的改善显示面板的边缘区域容易出现trace mura的问题，提高显示面板的显示效果。
41.所述阵列基板700中，所述a:b：c：d的值为1.9:3.7:5.5:1，所述a优选为1.9，所述b优选为3.7，所述c优选为5.5，所述d优选为1，所述d为第二公共线600的宽度，所述第二公共线600的宽度越小，第二公共线600所遮挡的透光区域越小，从而使得像素的边缘区域的透光率增加，增强显示效果，所述c为5.5，即所述第二公共线600与所述像素电极分支200之间的间距为5.5微米，第二公共线600和像素电极分支200之间的电场在垂直方向上的电场分量的占总电场分量的比例减小，垂直方向上的电场对液晶偏转的影响降低，改善了像素的边缘区域容易产生trace mura的问题，且第二公共线600与像素电极分支200的距离也不会因太远而导致边缘区域的电场场强大幅度降低，带来边缘区域的亮度大幅度降低的问题，所述a为像素电极分支200和公共电极分支100的宽度，所述b为像素电极分支200和公共电极分支100之间的间距，所述a:b为1.9:3.7，以使所述像素电极分支200和所述公共电极分支100之间产生的电场在垂直方向上的电场分量的占总电场分量的比例减小，垂直方向上的电场对液晶偏转的影响降低，改善了像素的中间区域容易产生trace mura的问题；
42.一般的，一个所述像素的总宽度＝电极条数*a (电极条数-1)*b c*2 d*2 数据线宽度；在总宽度一定的情况下，可以通过改变电极的条数，以增大电极之间的宽度；另外，也可以通过改变电极本身的宽度来增加电极之间的宽度。在像素的总宽度可以变动的情况下，可以保持电极条数以及电极本身的宽度不变的情况下，直接增大电极之间的宽度。
43.本技术中，是通过多次实验得出的所述a:b:c:d的最优值是1.9:3.7：5.5:1，实验中的驱动电压均为一致，且所使用的显示面板的分辨率为3840*2160；
44.具体实验数据如下表1所示：
45.[0046][0047]
表1
[0048]
由上表1可知，如第1组、第2组、第3组和第4组数据，4组数据中，b:a的比值几乎相同，c:d的比值越大，trace mura消失时间越快，且穿透率越高，如第1组所示，当a、b、c、d的值为1.9、3.7、6.7、1时，trace mura消失时间约为1s，且穿透率维持在5.51％；如第2组、第4组和第6组数据，c:d的比值几乎相同，b:a的比值越大，trace mura消失时间越快，如第2组所示，当a、b、c、d为2.1、4.1、5、1时，trace mura消失时间约2s。且穿透率维持在5.49％；由上述的实验数据可得出，第1组数据和第8组数据为最佳的优选值，另外，考虑到c值越大，阵列基板700的功耗需要相对应的增加，故最优选的a、b、c、d值分别为1.9、3.7、5.5和1，且a、b、c的值可以上下浮动
±
0.1微米，d值可以上下浮动
±
0.5微米。
[0049]
图5是本技术的第三实施例的一种显示面板的结构示意图，如图5所示，作为本技术的第三实施例，公开了一种显示面板，所述显示面板包括如上实施例所述的阵列基板700和彩膜基板800，所述阵列基板700和所述彩膜基板800对盒设置。
[0050]
需要说明的是，本技术的实用新型构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下，以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。
[0051]
以上内容是结合具体的可选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。