基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法和装置与流程

1.本技术涉及电力技术领域，特别是涉及一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。


背景技术：

2.面对日益严峻的能源发展挑战，节能绿色、可持续发展的智能电网正成为世界电力系统变革的重大科技创新和发展趋势。构建覆盖电网关键节点的电网“神经系统”(感知系统)是发展智能电网、实现智能电网透明化的基础。电网“神经系统”需要对电网进行在线监测和实时监控，因此，测量关键节点例如电缆和架空线路的电流值是构建电网“神经系统”的关键。
3.目前的电流测量一般采用电流传感器，电流传感器将关键节点的电流产生的磁感应强度换算成电流大小，从而实现关键节点的电流测量。
4.然而，目前采用电流传感器测量电流方法，存在应用场景受限的问题，例如无法适用于分离导线、多芯电缆和三相铜排等应用场景的问题。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够扩大应用场景范围的基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
6.第一方面，本技术提供了一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法。该方法包括：
7.获取该磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度；
8.根据各该第一磁感应强度，确定各该待测导体的第二磁感应强度，该第二磁感应强度表征该待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，该第一方向为该待测导体与该磁场传感芯片的连线方向；
9.基于各该第二磁感应强度以及各该待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，该目标迭代结果包括各该待测导体的电流测量值。
10.在其中一个实施例中，基于各该第二磁感应强度以及各该待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，该目标迭代结果包括各该待测导体的电流测量值包括：
11.将各该第二磁感应强度以及各该待测导体的电流预设值作为初始值；
12.将该初始值作为上一次的迭代结果，并将该初始值减去该初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，该初始值对应的第一矩阵
是基于该初始值以及该第一磁感应强度确定的矩阵，该初始值对应的第二矩阵是基于该第一矩阵和该初始值确定的矩阵；
13.若上一次的迭代结果不满足该预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
14.在其中一个实施例中，所述方法还包括：
15.若上一次的迭代结果满足该预设条件，则将当前次的迭代结果作为该目标迭代结果。
16.在其中一个实施例中，若上一次的迭代结果满足该预设条件，则将当前次的迭代结果作为该目标迭代结果还包括：
17.若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，则当前次的迭代结果作为该目标迭代结果；
18.或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为该目标迭代结果。
19.在其中一个实施例中，该第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。
[0020]
在其中一个实施例中，根据各该第一磁感应强度，确定各该待测导体的第二磁感应强度包括：
[0021]
获取该第一方向与至少一个该坐标轴方向的各个夹角；
[0022]
根据该各个夹角和第二关系式，确定各该待测导体的第二磁感应强度，其中，该第二关系式包括该各个夹角、各该第二磁感应强度以及该第一磁感应强度之间的关系。
[0023]
在其中一个实施例中，根据各该第一磁感应强度，确定各该待测导体的第二磁感应强度还包括：
[0024]
获取该第一方向与至少一个该坐标轴方向的各个夹角；
[0025]
根据该各个夹角和第三关系式，确定各该待测导体的第二磁感应强度，该第三关系式表示各该第二磁感应强度、各该待测导体的电流测量值、该各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，该第一距离是各该待测导体与坐标原点之间的距离。
[0026]
第二方面，本技术还提供了一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置。该装置包括：
[0027]
获取模块模块，用于获取该磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度；
[0028]
第一确定模块，用于根据各该第一磁感应强度，确定各该待测导体的第二磁感应强度，该第二磁感应强度表征该待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，该第一方向为该待测导体与该磁场传感芯片的连线方向；
[0029]
第二确定模块，用于基于各该第二磁感应强度以及各该待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，
直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，该目标迭代结果包括各该待测导体的电流测量值。
[0030]
第三方面，本技术还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一方法的步骤。
[0031]
第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一方法的步骤。
[0032]
第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一方法的步骤。
[0033]
上述基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过获取该磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度，并根据各该第一磁感应强度，确定各该待测导体的第二磁感应强度，该第二磁感应强度表征该待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，该第一方向为该待测导体与该磁场传感芯片的连线方向，进而基于各该第二磁感应强度以及各该待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，该目标迭代结果包括各该待测导体的电流测量值。由于本实施例提供的方法能够得到至少两个待测导体的电流测量值，因此较传统方法能够更适用于分离导线、多芯电缆和三相铜排等应用场景，解决了传统方法中存在应用场景受限的问题，扩大了导体的电流测量的应用场景。
附图说明
[0034]
图1为本技术实施例中基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法的应用环境图；
[0035]
图2为本技术实施例中磁场传感芯片的测量示意图；
[0036]
图3为本技术实施例中提供的基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法的流程示意图；
[0037]
图4为本技术实施例中提供的一种得到目标迭代结果的流程示意图；
[0038]
图5为本技术实施例中提供的一种确定第二磁感应强度的流程示意图；
[0039]
图6为本技术实施例中提供的另一种确定第二磁感应强度的流程示意图；
[0040]
图7为本技术实施例中提供的一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置的结构示意图；
[0041]
图8为本技术实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0042]
为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0043]
图1为本技术实施例中基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法的应用环境图，本技术实施例提供的基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法，可以应用于如图1所示的mcu中。
[0044]
本技术提供的方法将磁电阻传感技术引入到电力系统，为电力系统的电流传感提供了一种全新的技术手段，具体地，本技术实施例中采用隧道磁电阻(tunnelmagnetoresistance，tmr)器件例如磁场传感芯片。根据tmr的二流体模型理论，在制造磁场传感芯片时可以人为调整使得两铁磁层的磁化方向为平行或反平行，从而得到近似相反的磁电阻特性。具体请参考图1，磁场传感芯片包括4个tmr电阻、后级处理电路和mcu。该4个tmr电阻构成一个电桥，其中，r1和r4的磁电阻特性一致，r2和r3的磁电阻特性一致，且r2和r3的磁电阻特性与r1或r4相反。因此，在同样的磁场即h
x
下，当r1和r4的电阻值增大，r2和r3的电阻值减小；当r1和r4的电阻值减小，r2和r3的电阻值增大。进一步地，可以通过mcu对该电桥施加稳定的电压vcc，在输出端口将产生与磁场成比例的输出电压u。因此，通过后级处理电路，mcu能够测量tmr器件例如磁场传感芯片的输出电压u，从而实现磁感应强度的测量，进而实现电流的测量。
[0045]
为了更清楚地对本技术实施例提供的方法进行解释，结合图2进行说明。图2为本技术实施例中磁场传感芯片的测量示意图。图2中截流长直导线l1和l2分别表示两个待测导体，图2中传感芯片1和传感芯片2分别表示磁场传感芯片1和磁场传感芯片2。结合坐标系，根据毕奥萨伐尔定律，l1和l2分别在传感芯片1和传感芯片2上会产生垂直于第一方向的第二磁感应强度，第一方向为待测导体即l1和l2与磁场传感芯片即传感芯片1和传感芯片2的连线方向，更具体地，l1产生垂直于l1和传感芯片1连线方向的第二磁感应强度b
11
、l1产生垂直于l1和传感芯片2连线方向的第二磁感应强度b
12
、l2产生垂直于l2和传感芯片1连线方向的第二磁感应强度b
21
以及l2产生垂直于l2和传感芯片2连线方向的第二磁感应强度b
22
。b
11
、b
12
、b
21
、b
22
可以根据如下式(1)～式(4)得到。
[0046][0047][0048][0049][0050]
其中，μ0为真空磁导率，π为圆周率，m为l1与坐标原点之间的距离，n为l2与坐标原点之间的距离，i1和i2分别表示l1和l2的电流值。
[0051]
如图2所示，该磁场传感芯片可测量到x轴和y轴上的磁感应强度。具体地，结合坐标系，将l1和l2产生的磁感应强度即b
11
～b
22
分别分解到x轴和y轴上，通过矢量叠加即可得到传感芯片1和传感芯片2上测量到的第一磁感应强度值，即传感芯片1在x轴测量到的第一磁感应强度b
x1
、传感芯片1在y轴测量到的第一磁感应强度b
y1
、传感芯片2在x轴测量到的第一磁感应强度b
x2
以及传感芯片2在y轴测量到的第一磁感应强度b
y2
。b
x1
、b
y1
、b
x2
、b
y2
可以通过如下式(5)～式(8)得到。
[0052]bx1
＝b
21
sinθ
2-b
11
sinθ1(5)
[0053]by1
＝b
21
cosθ
2-b
11
cosθ1(6)
[0054]bx2
＝b
22
sinα
2-b
11
sinα1(7)
[0055]by2
＝b
22
cosα
2-b
11
cosα1(8)
[0056]
其中，θ1为l1和传感芯片1的连线方向与x轴坐标轴的夹角，θ2为l2和传感芯片1的连线方向与x轴坐标轴的夹角，α1为l1和传感芯片2的连线方向与x轴坐标轴的夹角，α2为l2和传感芯片2的连线方向与x轴坐标轴的夹角。
[0057]
如图2所示，m和n还满足如下式(9)～式(10)。
[0058]
mtanθ1＝ntanθ2(9)
[0059]
mtanα1＝ntanα2(10)
[0060]
可以理解的是，由于使用磁场传感芯片进行电流测量时无需安装，只需放置在待测导体附近，因此能够在需要测量电流时再进行放置使用，即随测随用，也就是说，式(1)～式(10)中，μ0、m、n、b
x1
、b
y1
、b
x2
、b
y2
都是已知量，b
11
、b
12
、b
21
、b
22
、i1、i2、θ1、θ2、α1、α2为未知量。可以理解的是，共计10个未知量，而式(1)～式(10)共计10个方程，因此针对上述未知量，能够根据式(1)～式(10)进行求解。具体地，本实施例中可以采用牛顿-拉夫逊法求解上述未知量。
[0061]
具体地，将(1)～式(10)变换为如下式(11)～式(20)。
[0062][0063][0064][0065][0066]
f5＝b
x1-b
21
sinθ
2-b
11
sinθ1(15)
[0067]
f6＝b
y1-b
21
cosθ
2-b
11
cosθ1(16)
[0068]
f7＝b
x2-b
22
sinα
2-b
11
sinα1(17)
[0069]
f8＝b
y2-b
22
cosα
2-b
11
cosα1(18)
[0070]
f9＝mtanθ
1-ntanθ2(19)
[0071]f10
＝mtanα
1-ntanα2(20)
[0072]
图3为本技术实施例中提供的基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法的流程示意图，该方法应用于图1所示的mcu中，在一个实施例中，如图3所示，包括以下步骤：
[0073]
s301，获取磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度。
[0074]
在本实施例中，结合图2，mcu首先会获取传感芯片1和传感芯片2测量的l1和l2分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度，即x轴的第一磁感应强度b
x1
、b
y1
以及和y轴的第一磁感应强度b
x2
、b
y2
。结合图1，可以理解的是，第一磁感应强度是磁场传感芯片在x轴和y轴方向上的磁感应强度的测量值，可以通过测量磁场传感芯片的输出电压u，从而实现磁感应强度的测量，本实施例对如何根据输出电压u确定第一磁感应强度的方式不做具体限制。
[0075]
s302，根据各第一磁感应强度，确定各待测导体的第二磁感应强度，第二磁感应强度表征待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，第一方向为待测导体与磁场传感芯片
的连线方向。
[0076]
在本实施例中，根据待测导体l1和l2的各第一磁感应强度b
x1
、b
y1
、b
x2
、b
y2
，可以确定各待测导体的第二磁感应强度，即b
11
、b
12
、b
21
、b
22
。其中，第二磁感应强度表征待测导体l1和l2在垂直于第一方向上的磁感应强度，第一方向为待测导体即l1和l2与磁场传感芯片即传感芯片1和传感芯片2的连线方向。
[0077]
s303，基于各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值。
[0078]
在本实施例中，两个待测导体的电流测量值是未知的，为了确定两个待测导体的电流测量值，在此首先需要为两个待测导体设置一个初始的电流预设值，需要说明的是，待测导体的电流预设值可以作为待测导体的电流预测值。两个待测导体l1和l2的电流值即i1和i2的电流预设值可以是mcu根据待测导体的额定电流范围随机确定的预设值。进而mcu能够根据各第二磁感应强度b
11
、b
12
、b
21
、b
22
以及待测导体的电流预设值i1和i2，利用第一关系式得到满足预设条件的目标迭代结果。可以理解的是，得到目标迭代结果的过程实际是对各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值进行迭代。因此最终满足预设条件的目标迭代结果就包括了各待测导体的电流测量值，从而mcu就能够得到最终需要的待测导体的电流测量值。
[0079]
本实施例通过获取磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度，并根据各第一磁感应强度，确定各待测导体的第二磁感应强度，第二磁感应强度表征待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，第一方向为待测导体与磁场传感芯片的连线方向，进而基于各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值。由于本实施例提供的方法能够得到至少两个待测导体的电流测量值，因此较传统方法能够更适用于分离导线、多芯电缆和三相铜排等应用场景，解决了传统方法中存在应用场景受限的问题，扩大了应用场景。
[0080]
更进一步地，本技术提供的方法，实现了磁场传感芯片与待测导体的非接触测量，进而能够减少安装难度，降低成本，有力支撑电网“神经系统”的部署。
[0081]
图4为本技术实施例中提供的一种得到目标迭代结果的流程示意图，参照图4，本实施例涉及的是如何得到满足预设条件的目标迭代结果的一种可选的实现方式。在上述实施例的基础上，上述的s303包括如下步骤：
[0082]
s401，将各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值作为初始值。
[0083]
在本实施例中，mcu将基于各第一磁感应强度确定的第二磁感应强度b
11
、b
12
、b
21
、b
22
以及各待测导体的电流预设值i1和i2作为初始值x(0)，即x(0)包括b
11
，b
12
，b
21
，b
22
，i1，i2。
[0084]
s402，将所述初始值作为上一次的迭代结果，并将初始值减去初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，初始值对应的第一矩阵是基于初始值以及第一磁感应强度确定的矩阵，初始值对应的第二矩阵是基于第一矩阵和初始值确定的矩阵。
[0085]
在本实施例中，初始值对应的第一矩阵为f[x(0)]，初始值对应的第二矩阵为j[x
(0)]，mcu将初始值x(0)视作上一次的迭代结果，将x(0)-f[x(0)]/j[x(0)]作为当前次的迭代结果，其中，f[x(0)]是基于初始值x(0)以及第一磁感应强度b
x1
、b
y1
、b
x2
、b
y2
确定的矩阵，j[x(0)]是基于第一矩阵f[x(0)]以及初始值x(0)确定的矩阵。
[0086]
s403，若上一次的迭代结果不满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
[0087]
在本实施例中，若上一次的迭代结果不满足预设条件，例如mcu最开始将初始值x(0)作为上一次的迭代结果得到当前次的迭代结果x(1)，若上一次的迭代结果x(0)不满足预设条件，则将x(1)作为上一次的迭代结果，并根据第一关系式得到当前次的迭代结果x(2)，以此类推，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
[0088]
本实施例中，将各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值作为初始值，并将所述初始值作为上一次的迭代结果，并将初始值减去初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，初始值对应的第一矩阵是基于初始值以及第一磁感应强度确定的矩阵，初始值对应的第二矩阵是基于第一矩阵和初始值确定的矩阵，若上一次的迭代结果不满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。由于能够基于各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值，因此最终的目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值，进而能够得到至少两个待测导体的电流测量值。
[0089]
可选的，上述的基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法还包括如下步骤：
[0090]
若上一次的迭代结果满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果。
[0091]
在实施例中，例如mcu最开始将初始值x(0)作为上一次的迭代结果得到当前次的迭代结果x(1)，若上一次的迭代结果x(0)不满足预设条件，例如预设条件为对应的f[x(0)]满足预设的阈值，则将x(1)作为目标迭代结果，进而得到满足预设条件的目标迭代结果。
[0092]
本实施例中若上一次的迭代结果满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果，由于能够根据预设条件判断是否停止迭代，因此最终得到满足预设条件的目标迭代结果，进而最终的目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值，从而能够得到至少两个待测导体的电流测量值。
[0093]
可选的，上述的若上一次的迭代结果满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果，可以通过如下方式实现：
[0094]
若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果；或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果。
[0095]
在本实施例中，可以是若上一次的迭代结果，即x(0)对应的第一矩阵的绝对值|f[x(0)]|小于等于预设阈值，例如小于等于预设阈值δ＝1
×
10-8
，则将x(1)作为目标迭代结果。或者在本实施例中，也可以预设迭代次数。由于牛顿-拉夫逊法具有较好的收敛性，通常迭代10次之内就可以得到较好的目标迭代结果。例如预设迭代次数1次，则x(1)已经进行了1次迭代，满足预设迭代次数，将x(1)作为目标迭代结果。
[0096]
本实施例中，若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，
则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果。或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果。由于上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值和迭代次数都是能够在迭代过程中已知的，因此mcu能够较快的得到最终满足预设条件的目标迭代结果，目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值，从而能够得到至少两个待测导体的电流测量值。
[0097]
可选的，第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。
[0098]
在本实施例中，第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k表示迭代次数，k是大于等于零的整数，可以理解的是，k＝0时进行第一次迭代，此时mcu将初始值x(0)作为上一次的迭代结果，根据第一关系式得到当前次的迭代结果x(1)，x(1)＝x(0)-f[x(0)]/j[x(0)]。f[x(0)]表示上一次的迭代结果即x(0)对应的第一矩阵，j[x(0)]表示上一次的迭代结果即x(0)对应的第二矩阵。若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值，即|f[x(0)]|大于预设阈值，则需要继续进行迭代，此时x(1)作为上一次的迭代结果。
[0099]
进一步地，进行第二次迭代，k＝1，x(2)＝x(1)-f[x(1)]/j[x(1)]，x(2)为当前次的迭代结果，f[x(1)]表示上一次的迭代结果即x(1)对应的第一矩阵，j[x(1)]表示上一次的迭代结果即x(1)对应的第二矩阵。若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值，即|f[x(1)]|大于预设阈值，则需要继续进行迭代，此时x(2)作为上一次的迭代结果。
[0100]
更进一步地，进行第三次迭代，k＝2，x(3)＝x(2)-f[x(2)]/j[x(2)]，x(3)为当前次的迭代结果，f[x(2)]表示上一次的迭代结果即x(2)对应的第一矩阵，j[x(2)]表示上一次的迭代结果即x(2)对应的第二矩阵。若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值，即|f[x(2)]|小于等于预设阈值，则停止迭代，此时x(3)作为目标迭代结果。若|f[x(2)]|不小于等于预设阈值，则将x(3)作为上一次的迭代结果，得到当前次的迭代结果x(4)，此处不再赘述。
[0101]
本实施例中，由于第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。因此能够根据第一关系式得到目标迭代结果，目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值，进而能够得到至少两个待测导体的电流测量值。
[0102]
图5为本技术实施例中提供的一种确定第二磁感应强度的流程示意图，参照图5，本实施例涉及的是如何确定第二磁感应强度的一种可选的实现方式。在上述实施例的基础上，上述的s302还包括如下步骤：
[0103]
s501，获取第一方向与至少一个坐标轴方向的各个夹角。
[0104]
在本实施例中，由于测量时磁场传感芯片的位置已经确定，因此mcu会获取到第一方向与至少一个坐标轴方向，例如x轴的各个夹角，即为l1和传感芯片1的连线方向与x轴坐标轴的夹角θ1，l2和传感芯片1的连线方向与x轴坐标轴的夹角θ2，l1和传感芯片2的连线方向与x轴坐标轴的夹角α1，l2和传感芯片2的连线方向与x轴坐标轴的夹角α2。可以理解的是，
mcu也可以获取第一方向与y轴方向的各个夹角，本实施例不做限制。
[0105]
s502，根据各个夹角和第二关系式，第二磁感应强度，其中，第二关系式包括各个夹角、各第二磁感应强度以及第一磁感应强度之间的关系。
[0106]
在本实施例中，第二关系式包括式(5)～式(8)，mcu根据各个夹角和第二关系式，就可以基于l1和l2的第一磁感应强度b
x1
、b
y1
、b
x2
、b
y2
确定l1和l2第二磁感应强度b
11
、b
12
、b
21
、b
22
[0107]
本实施例中通过获取第一方向与至少一个坐标轴方向的各个夹角，进而根据各个夹角和第二关系式，第二磁感应强度，其中，第二关系式包括各个夹角、各第二磁感应强度以及第一磁感应强度之间的关系。由于在测量时能够确定第二磁感应强度，因此能够根据第二磁感应强度和各待测导体的电流预设值，进而得到满足预设条件的目标迭代结果，从而能够得到至少两个待测导体的电流测量值。
[0108]
图6为本技术实施例中提供的另一种确定第二磁感应强度的流程示意图，参照图6，本实施例涉及的是如何确定第二磁感应强度的一种可选的实现方式。在上述实施例的基础上，上述的s302还包括如下步骤：
[0109]
s601，获取第一方向与至少一个坐标轴方向的各个夹角。
[0110]
本实施例与s501相同，在此不再赘述。
[0111]
s602，根据各个夹角和第三关系式，确定各待测导体的第二磁感应强度，第三关系式表示各第二磁感应强度、各待测导体的电流测量值、各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，第一距离是各待测导体与坐标原点之间的距离。
[0112]
在本实施例中，第三关系式包括式(1)～式(4)，mcu根据各个夹角和第三关系式，就可以基于l1和l2的第一磁感应强度b
x1
、b
y1
、b
x2
、b
y2
确定l1和l2第二磁感应强度b
11
、b
12
、b
21
、b
22
。
[0113]
本实施例中通过获取第一方向与至少一个坐标轴方向的各个夹角，进而根据各个夹角和第三关系式，确定各待测导体的第二磁感应强度，第三关系式表示各第二磁感应强度、各待测导体的电流测量值、各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，第一距离是各待测导体与坐标原点之间的距离。由于在测量时能够确定第二磁感应强度，因此能够根据第二磁感应强度和各待测导体的电流预设值，进而得到满足预设条件的目标迭代结果，从而能够得到至少两个待测导体的电流测量值。
[0114]
为了方便对本实施例提供的方法进行说明，在此定义第k次迭代时各表达式如下式(21)～式(23)，其中，x(k)表示第k次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示第k次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵。
[0115]
x(k)＝[b
11
，b
12
，b
21
，b
22
，i1，i2，θ1，θ2，α1，α2](21)
[0116]
f[x(k)]＝[f1，f2，f3，f4，f5，f6，f7，f8，f9，f
10
](22)
[0117][0118]
结合式(21)～式(23)，可以看出f[x(k)]是基于x(k)确定的矩阵，j[x(k)]是基于x(k)和f[x(k)]确定的雅克比矩阵，也就是说，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。可以理解的是，由于每次迭代结果x(k)不同，进而基于x(k)得到的对应的f[x(k)]和j[x(k)]也不相同。
[0119]
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0120]
基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法的基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法的限定，在此不再赘述。
[0121]
参照图7，图7为本技术实施例中提供的一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置的结构示意图，该装置700包括：获取模块701、第一确定模块702和第二确定模块703，其中：
[0122]
获取模块701，用于获取磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度。
[0123]
第一确定模块702，用于根据各第一磁感应强度，确定各待测导体的第二磁感应强度，第二磁感应强度表征待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，第一方向为待测导体与磁场传感芯片的连线方向。
[0124]
第一确定模块703，用于基于各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值。
[0125]
本实施例提供的基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置，通过获取磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度，并根据各第一磁感应强度，确定各待测导体的第二磁感应强度，第二磁感应强度表征待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，第一方向为待测导体与磁场传感芯片的连线方向，进而基于各第二磁感
应强度以及各待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值。由于本实施例提供的方法能够得到至少两个待测导体的电流测量值，因此较传统方法能够更适用于分离导线、多芯电缆和三相铜排等应用场景，解决了传统方法中存在应用场景受限的问题，扩大了应用场景。
[0126]
可选的，第二确定模块703包括：
[0127]
初始单元，用于将各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值作为初始值。
[0128]
迭代单元，用于将初始值作为上一次的迭代结果，并将初始值减去初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，初始值对应的第一矩阵是基于初始值以及第一磁感应强度确定的矩阵，初始值对应的第二矩阵是基于第一矩阵和初始值确定的矩阵。
[0129]
第一确定单元，用于若上一次的迭代结果不满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
[0130]
可选的，第一确定单元，用于若上一次的迭代结果满足预设条件，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果。
[0131]
可选的，确定单元，用于若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，则当前次的迭代结果作为目标迭代结果；或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为目标迭代结果。
[0132]
可选的，第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。
[0133]
可选的，第一确定模块702包括：
[0134]
第一获取单元，用于获取第一方向与至少一个坐标轴方向的各个夹角。
[0135]
第二确定单元，用于根据各个夹角和第二关系式，第二磁感应强度，其中，第二关系式包括各个夹角、各第二磁感应强度以及第一磁感应强度之间的关系。
[0136]
可选的，第一确定模块702还包括：
[0137]
第一获取单元，用于获取第一方向与至少一个坐标轴方向的各个夹角。
[0138]
第三确定单元，用于根据各个夹角和第三关系式，确定各待测导体的第二磁感应强度，第三关系式表示各第二磁感应强度、各待测导体的电流测量值、各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，第一距离是各待测导体与坐标原点之间的距离。
[0139]
上述基于磁场传感芯片的双导体电流测量装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0140]
图8为本技术实施例中计算机设备的内部结构图，在本技术实施例中中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是图1所示的mcu，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器
用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储相关数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法。
[0141]
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0142]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
[0143]
获取所述磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度；
[0144]
根据各所述第一磁感应强度，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，所述第二磁感应强度表征所述待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，所述第一方向为所述待测导体与所述磁场传感芯片的连线方向；
[0145]
基于各所述第二磁感应强度以及各所述待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，所述目标迭代结果包括各所述待测导体的电流测量值。
[0146]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0147]
将各所述第二磁感应强度以及各所述待测导体的电流预设值作为初始值；
[0148]
将所述初始值作为上一次的迭代结果，并将所述初始值减去所述初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，所述初始值对应的第一矩阵是基于所述初始值以及所述第一磁感应强度确定的矩阵，所述初始值对应的第二矩阵是基于所述第一矩阵和所述初始值确定的矩阵；
[0149]
若上一次的迭代结果不满足所述预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
[0150]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0151]
若上一次的迭代结果满足所述预设条件，则将当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果。
[0152]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0153]
若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，则当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果；
[0154]
或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果。
[0155]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0156]
所述第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定
的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。
[0157]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0158]
获取所述第一方向与至少一个所述坐标轴方向的各个夹角；
[0159]
根据所述各个夹角和第二关系式，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，其中，所述第二关系式包括所述各个夹角、各所述第二磁感应强度以及所述第一磁感应强度之间的关系。
[0160]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0161]
获取所述第一方向与至少一个所述坐标轴方向的各个夹角；
[0162]
根据所述各个夹角和第三关系式，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，所述第三关系式表示各所述第二磁感应强度、各所述待测导体的电流测量值、所述各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，所述第一距离是各所述待测导体与坐标原点之间的距离。
[0163]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0164]
获取所述磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度；
[0165]
根据各所述第一磁感应强度，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，所述第二磁感应强度表征所述待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，所述第一方向为所述待测导体与所述磁场传感芯片的连线方向；
[0166]
基于各所述第二磁感应强度以及各所述待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，所述目标迭代结果包括各所述待测导体的电流测量值。
[0167]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0168]
将各所述第二磁感应强度以及各所述待测导体的电流预设值作为初始值；
[0169]
将所述初始值作为上一次的迭代结果，并将所述初始值减去所述初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，所述初始值对应的第一矩阵是基于所述初始值以及所述第一磁感应强度确定的矩阵，所述初始值对应的第二矩阵是基于所述第一矩阵和所述初始值确定的矩阵；
[0170]
若上一次的迭代结果不满足所述预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
[0171]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0172]
若上一次的迭代结果满足所述预设条件，则将当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果。
[0173]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0174]
若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，则当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果；
[0175]
或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果。
[0176]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0177]
所述第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。
[0178]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0179]
获取所述第一方向与至少一个所述坐标轴方向的各个夹角；
[0180]
根据所述各个夹角和第二关系式，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，其中，所述第二关系式包括所述各个夹角、各所述第二磁感应强度以及所述第一磁感应强度之间的关系。
[0181]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0182]
获取所述第一方向与至少一个所述坐标轴方向的各个夹角；
[0183]
根据所述各个夹角和第三关系式，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，所述第三关系式表示各所述第二磁感应强度、各所述待测导体的电流测量值、所述各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，所述第一距离是各所述待测导体与坐标原点之间的距离。
[0184]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0185]
获取所述磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度；
[0186]
根据各所述第一磁感应强度，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，所述第二磁感应强度表征所述待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度，所述第一方向为所述待测导体与所述磁场传感芯片的连线方向；
[0187]
基于各所述第二磁感应强度以及各所述待测导体的电流预设值，利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止，其中，所述目标迭代结果包括各所述待测导体的电流测量值。
[0188]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0189]
将各所述第二磁感应强度以及各所述待测导体的电流预设值作为初始值；
[0190]
将所述初始值作为上一次的迭代结果，并将所述初始值减去所述初始值对应的第一矩阵与第二矩阵的比值所得到的差值作为当前次的迭代结果，其中，所述初始值对应的第一矩阵是基于所述初始值以及所述第一磁感应强度确定的矩阵，所述初始值对应的第二矩阵是基于所述第一矩阵和所述初始值确定的矩阵；
[0191]
若上一次的迭代结果不满足所述预设条件，则将当前次的迭代结果作为上一次的迭代结果，并根据当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式，确定当前次的迭代结果，直到确定满足预设条件的目标迭代结果。
[0192]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0193]
若上一次的迭代结果满足所述预设条件，则将当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果。
[0194]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0195]
若上一次的迭代结果对应的第一矩阵的绝对值小于等于预设阈值，则当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果；
[0196]
或者，若迭代次数等于预设迭代次数，则将当前次的迭代结果作为所述目标迭代结果。
[0197]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0198]
所述第一关系式为：x(k 1)＝x(k)-f[x(k)]/j[x(k)]，其中，k是大于等于零的整数，x(k 1)表示当前次的迭代结果，x(k)表示上一次的迭代结果，f[x(k)]和j[x(k)]分别表示上一次的迭代结果对应的第一矩阵和第二矩阵，f[x(k)]是基于上一次的迭代结果确定的矩阵，j[x(k)]是基于f[x(k)]和上一次的迭代结果确定的雅克比矩阵。
[0199]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0200]
获取所述第一方向与至少一个所述坐标轴方向的各个夹角；
[0201]
根据所述各个夹角和第二关系式，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，其中，所述第二关系式包括所述各个夹角、各所述第二磁感应强度以及所述第一磁感应强度之间的关系。
[0202]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0203]
获取所述第一方向与至少一个所述坐标轴方向的各个夹角；
[0204]
根据所述各个夹角和第三关系式，确定各所述待测导体的第二磁感应强度，所述第三关系式表示各所述第二磁感应强度、各所述待测导体的电流测量值、所述各个夹角、真空磁导率以及第一距离之间的关系式，其中，所述第一距离是各所述待测导体与坐标原点之间的距离。
[0205]
需要说明的是，本技术所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
[0206]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0207]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例
中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0208]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。