导线电流确定方法、装置、计算机设备和存储介质与流程

1.本技术涉及智能电网技术领域，特别是涉及一种导线电流确定方法、装置、计算机设备和存储介质。


背景技术：

2.随着隧道磁阻(tunnel magnetoresistance，tmr)等磁传感器的发展与成本的降低，使得多个磁阻传感器组成磁传感阵列的方式变为可能，利用磁传感阵列确定导线的电流已经成为普遍需求，磁传感阵列是代替磁传感器加磁芯的有效方式，是解决空间干扰、磁芯饱和等问题的有效解决办法。
3.目前，需要人工预先调整好各个传感器的权重，之后基于多个磁场传感器测量的导线的磁感应强度以及各个传感器的权重，计算各个传感器的磁感应强度的加权值，进而基于加权值确定导线电流。
4.然而，现有导线电流的确定方式，存在人工干预度比较高，导致导线电流的确定过程比较繁琐以及浪费人力的问题。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够无需人工干预度以及简化导线电流的确定过程的导线电流确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
6.第一方面，本技术提供了一种导线电流确定方法，该方法包括：
7.获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
8.确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
9.基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器；
10.基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
11.在其中一个实施例中，基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器，包括：
12.基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线；
13.根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一连接线垂直且为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线；
14.将第二位置对应的传感器作为第二传感器。
15.在其中一个实施例中，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流，包括：
16.基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导
线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
17.基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
18.在其中一个实施例中，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，包括：
19.基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，利用第一目标公式计算待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
20.其中，第一目标公式为：
21.b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
22.在其中一个实施例中，基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流，包括：
23.基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，利用第二目标公式确定待测导线的电流；
24.其中，第二目标公式为：
25.b1表示第一传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，m表示预设系数。
26.在其中一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值。
27.在其中一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值。
28.第二方面，本技术还提供了一种导线电流确定装置，该装置包括：
29.获取模块，用于获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
30.第一确定模块，用于确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
31.第二确定模块，用于基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器；
32.第三确定模块，用于基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
33.第三方面，本技术还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任一方法的步骤。
34.第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任一方法的步骤。
35.第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品，计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一方法的步骤。
36.上述导线电流确定方法、装置、计算机设备和存储介质，获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度，确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器，基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。本方法中，采用环形阵列传感器确定导线电流，可以实现非侵入式安装，安装方法简单。而且，只需要两个传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，就可确定待测导线的电流，简化了确定待测导线电流的确定过程，进一步地，本方法不需要人工干预调整多个传感器的权重系数，节省了人力。
附图说明
37.图1为一个实施例中导线电流确定方法的应用环境图；
38.图2为一个实施例中导线电流确定方法的流程示意图；
39.图3为一个实施例中毕奥萨伐尔定律基本原理示意图；
40.图4为一个实施例中环形阵列传感器示意图；
41.图5为另一个实施例中导线电流确定方法的流程示意图；
42.图6为一个实施例中确定第二传感器示意图；
43.图7为另一个实施例中导线电流确定方法的流程示意图；
44.图8为一个实施例中环形阵列传感器误差分析示意图；
45.图9为另一个实施例中导线电流确定方法的流程示意图；
46.图10为一个实施例中导线电流确定装置的结构框图；
47.图11为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
48.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
49.本技术实施例提供的导线电流确定方法，可以应用于如图1所示的应用环境中，该应用环境中包括一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图1所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储导线电流确定相关数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信，该计算机程序被处理器执行时以实现一种导线电流确定方法。
50.传统技术中也采用环形阵列传感器确定导线电流，其中，环形阵列传感器不使用磁芯结构，消除了铁磁谐振，避免了磁芯饱和的问题，大大提高了瞬态性能和抗电磁干扰的能力，能够对电流波形实现精准测量，被广泛应用于各类保护故障测量；另外，环形阵列传感器中各传感器体积小、功耗低，基本为芯片封装，采用机器批量焊接在pcb板上，可与单片
机、dsp、fpga等嵌入式系统集成，集成数字通信接口，加入校准、数字信号处理算法，实现智能电流传感器。但是，传统技术中，需要人工预先调整好各个传感器的权重，之后基于多个磁场传感器测量的导线的磁感应强度以及各个传感器的权重，计算各个传感器的磁感应强度的加权值，进而基于加权值确定导线电流，存在人工干预度比较高，导致导线电流的确定过程比较繁琐以及浪费人力的问题。基于上述技术问题，本技术提供一种能够无需人工干预度以及简化导线电流的确定过程的导线电流确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
51.在一个实施例中，如图2所示，提供了一种导线电流确定方法，以该方法应用于图1中的计算机设备为例进行说明，包括以下步骤：
52.s201，获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度。
53.可选的，多个传感器可以选用霍尔效应传感器，也可以选用各向异性磁电阻(anisotropic magneto resistance，amr)传感器、或者巨磁阻(giant magneto resistance，gmr)传感器等，优选的，采用隧道磁阻(tunneling magneto resistance，tmr)传感器，对于传感器的类型本技术实施例对此并不做限制。
54.在本实施例中，环形阵列传感器中多个传感器基于毕奥萨伐尔定律(biot-savart law，bsl)测量待测导线的磁感应强度，如图3所示，已知传感器与待测导线的距离ri，根据毕奥萨伐尔定律，每个传感器测量的磁感应强度表示为b
tmr
，
[0055][0056]
上式(1)中：μ0为真空磁导率，为待测导线的电流向量，为传感器敏感轴方向单位向量，即即为传感器与待测导线所在向量。当待测导线与和构成的平面垂直时，则有
[0057][0058]
上式(2)中：为预设系数。
[0059]
s202，确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器。
[0060]
在本实施例中，可以直接根据上述多个传感器测量的待测导线的磁感应强度，从中确定最大的磁感应强度，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器。也可以根据毕奥萨伐尔定律，进行定性分析：当待测导线没有位于环形阵列传感器中心位置时，环形阵列传感器中距离待测导线最近的传感器测量的磁感应强度最大，记录最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器。如图4所示，待测导线位于点s处，与待测导线距离最近的最大磁感应强度对应的传感器为t1；进一步地，当待测导线位于环形阵列传感器中心位置时，环形阵列传感器中每一个传感器测量的磁感应强度都是一样的，可以直接任选一个磁感应强度作为最大的磁感应强度，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器。
[0061]
s203，基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器。
[0062]
在本实施例中，可以根据第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定与第
一传感器相邻的传感器作为环形阵列传感器中的第二传感器；也可以根据第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，将第一位置与环形阵列传感器的中心位置连接，确定第一连接线，将第一连接线延伸与环形阵列传感器相交，根据交点确定环形阵列传感器中的第二传感器；或者根据第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，将第一位置与环形阵列传感器的中心位置连接，确定第一连接线，确定与第一连接线垂直的第二连接线，且第二连接线连接环形阵列传感器上的中心和第二位置，根据第二位置确定环形阵列传感器中的第二传感器。
[0063]
s204，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0064]
在本实施例中，环形阵列传感器的半径已知，第一传感器可以直接获取第一传感器的磁感应强度、第二传感器获取第二传感器的磁感应强度。可以将获取的第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径发送给处理器或计算机设备，处理器或计算机设备根据磁感应强度与电流的关系式计算待测导线的电流。
[0065]
上述导线电流确定方法中，通过获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度，确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器，基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。本方法中，采用环形阵列传感器确定导线电流，可以实现非侵入式安装，安装方法简单。而且，只需要两个传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，就可确定待测导线的电流，简化了确定待测导线电流的确定过程，进一步地，本方法不需要人工干预调整多个传感器的权重系数，降低了人工参与度，节省了人力。
[0066]
上述实施例介绍了导线电流的确定方法，接下来主要介绍根据第一传感器确定第二传感器的实现方式，如图5所示，包括以下步骤：
[0067]
s301，基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线。
[0068]
在本实施例中，如图6所示，第一传感器t1在环形阵列传感器上的第一位置为点a处，环形阵列传感器的中心为o，则环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线为oa。
[0069]
s302，根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一连接线垂直且为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线。
[0070]
在本实施例中，第二连接线与第一连接线垂直，且第二连接线的一端为环形阵列传感器的中心，另一端为第二位置，所以存在两个第二位置。如上述图6所示，第一连接线为oa，第二连接线与第一连接线为oa垂直，所以第二连接线可以为oc，也可以为od。
[0071]
s303，将第二位置对应的传感器作为第二传感器。
[0072]
在本实施例中，当第二连接线为oc时，将第二位置c处对应的传感器作为第二传感器。当第二连接线为od时，将第二位置d处对应的传感器作为第二传感器。如图6所示，第二位置为点c处，则c处对应的传感器作为第二传感器t2，图6仅作为一种示例。
[0073]
本实施例中，根据第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线，根据第一连接线，确定第二连接线，从而根据第
二连接线确定第二传感器，第一连接线与第二连接线相互垂直，简化计算方法，为后续确定待测导线电流奠定基础。
[0074]
上述实施例介绍了根据第一传感器位置确定第二传感器，接下来主要介绍确定待测导线电流的具体实现方式，如图7所示，包括以下步骤：
[0075]
s401，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
[0076]
在本实施例中，将第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径代入预设的第一目标公式，第一目标公式包括第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径之间的对应关系。
[0077]
具体地，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，利用第一目标公式计算待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0078]
其中，第一目标公式为：
[0079]
b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
[0080]
在本实施例中，还是以上述图6为例，r为环形阵列传感器的半径，x是待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，r1是待测导体与第一传感器t1的距离，r2是待测导体与第二传感器t2的距离；b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度。而且，从上述图6中可知，每个传感器敏感轴方向单位向量总是垂直于该传感器与待测导线所在的向量即因此，根据毕奥萨伐尔定律可得：
[0081][0082][0083]
r1＝r-x(5)
[0084][0085][0086]
根据上述公式(3)至(7)可得：b2x2 b1rx (b
2-b1)r2＝0(8)
[0087]
对公式(8)进行求解，可得：
[0088]
从图6中可知，待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离大于0，且小于环形阵列传感器的半径，即0《x《r，所以可得
[0089]
s402，基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0090]
在本实施例中，将第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径代入预设的第二目标公式，第二目标公式包括第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径之间的对应关系。
[0091]
具体地，基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，利用第二目标公式确定待测导线的电流；
[0092]
其中，第二目标公式为：
[0093]
b1表示第一传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，m表示预设系数。
[0094]
在本实施例中，将待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离x代入上式(5)中，可得到待测导线与第一传感器之间的距离表达式r1，此时，r1是关于第一传感器磁感应强度、第二传感器磁感应强度以及半径的表达式，再将r1表达式代入上式(3)中，可得待测导线的电流为
[0095]
在本技术实施例中，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，进一步地，根据第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。本技术方法中，只需要两个传感器，传感器的磁感应强度可以直接获取，而且，环形阵列传感器的半径已知，简化了待测导线电流的确定过程，而且不需要人工参与。
[0096]
上述实施例介绍了确定待测导线电流的具体实现方式，接下来重点介绍提高待测导线电流确定方法的精度的两种实现方式：
[0097]
第一种方式：环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值。
[0098]
可选的，预设间隔阈值根据环形阵列传感器具体设置，可以为1、2、3等，本技术实施例对此并不做限制。
[0099]
在本实施例中，如图8所示，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，s为待测导线的位置，a为第一传感器t1的位置，c为第二传感器t2的位置，p点为第一传感器t1与相邻传感器中点，d为第一传感器与p点之间的距离，α为oa与op之间的夹角，β为oa与as之间的夹角，θ为cs与oc之间的夹角。在实际应用中，环形阵列传感器卡在待测导体上，只要尺寸适合，通常能够满足且，当环形阵列传感器中有16个传感器时，α最大值为3度。假设，进行误差分析：
[0100][0101]
d＝rsinα(12)
[0102]
[0103][0104][0105][0106]
将上式(12)-(16)进行联合求解，可得：
[0107]
b1≈0.49830im(17)
[0108]
b2≈0.32087im(18)
[0109]
将第一传感器的磁感应强度b1以及第二传感器的磁感应强度b2代入上述公式(10)和(11)中，可得i
计算值
≈1.0485i，可以看出环形阵列传感器采用16个传感器时，α＝3
°
，即，相邻两个传感器之间距离为2d，此时的误差等于4.85％，此时的误差为最大误差，该最大误差不超过5％，因此，当环形阵列传感器采用16个以上传感器时，则α的角度小于3
°
，也即相邻两个传感器之间距离小于α的角度等于3
°
对应的距离时，计算出的误差小于最大误差，从而可以更加精确地获得待测导线的电流。
[0110]
第二种方式：环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值。
[0111]
可选的，预设距离阈值为大于0，小于半径的距离值，同样的，也可以为1、2、3等，本技术实施例对此并不做限制。
[0112]
在本实施例中，还是以上述图8为例，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，当α的角度固定时，待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离大于0，且小于半径，由上述实施例可知，在计算电流值与实际电流值误差不超过5％。假设，若当α的角度固定为3度时，则待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离越小，获得待测导线的电流更加精确。
[0113]
进一步地，当相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值时，获得待测导线的电流更加精确。
[0114]
在本技术实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，通过设置环形阵列传感器中相邻两个传感器之间的间隔，以及待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，从而确保待测导线的电流确定更加准确。
[0115]
进一步地，如图9所示，导线电流确定方法，还包括以下步骤：
[0116]
s501，获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
[0117]
s502，确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
[0118]
s503，基于第一传感器在所述环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线；
[0119]
s504，根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一连接线垂直且
为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线；
[0120]
s505，将第二位置对应的传感器作为第二传感器；
[0121]
s506，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与所述环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0122]
s507，基于第一传感器的磁感应强度、距离以及所述环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0123]
在本技术实施例中，通过获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度，确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器，基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器，基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。本方法中，采用环形阵列传感器确定导线电流，可以实现非侵入式安装，安装方法简单。而且，只需要两个传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，就可确定待测导线的电流，简化了确定待测导线电流的确定过程，进一步地，本方法不需要人工干预调整多个传感器的权重系数，节省了人力。
[0124]
应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0125]
基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的导线电流确定方法的导线电流确定装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个导线电流确定装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于导线电流确定方法的限定，在此不再赘述。
[0126]
在一个实施例中，如图10所示，提供了一种导线电流确定装置，包括：获取模块11、第一确定模块12、第二确定模块13和第三确定模块14，其中：
[0127]
获取模块11，用于获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
[0128]
第一确定模块12，用于确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
[0129]
第二确定模块13，用于基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器；
[0130]
第三确定模块14，用于基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0131]
在一个实施例中，第二确定模块13，包括：
[0132]
第一确定单元，用于基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线；
[0133]
第二确定单元，用于根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一
连接线垂直且为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线；
[0134]
第三确定单元，用于将第二位置对应的传感器作为第二传感器。
[0135]
在一个实施例中，第三确定模块14，包括：
[0136]
第四确定单元，用于基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0137]
第五确定单元，用于基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0138]
在一个实施例中，第四确定单元，还用于基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，利用第一目标公式计算待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0139]
其中，第一目标公式为：
[0140]
b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
[0141]
在一个实施例中，第五确定单元，还用于基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，利用第二目标公式确定待测导线的电流；
[0142]
其中，第二目标公式为：
[0143]
b1表示第一传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，m表示预设系数。
[0144]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值。
[0145]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值。
[0146]
上述导线电流确定装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0147]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图11所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过wifi、移动蜂窝网络、nfc(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种导线电流确定方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
[0148]
本领域技术人员可以理解，图11中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分
结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0149]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
[0150]
获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
[0151]
确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
[0152]
基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器；
[0153]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0154]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0155]
基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线；
[0156]
根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一连接线垂直且为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线；
[0157]
将第二位置对应的传感器作为第二传感器。
[0158]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0159]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0160]
基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0161]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0162]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，利用第一目标公式计算待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0163]
其中，第一目标公式为：
[0164]
b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
[0165]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0166]
基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，利用第二目标公式确定待测导线的电流；
[0167]
其中，第二目标公式为：
[0168]
b1表示第一传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，m表示预设系数。
[0169]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值。
[0170]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值。
[0171]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0172]
获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
[0173]
确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
[0174]
基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器；
[0175]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0176]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0177]
基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线；
[0178]
根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一连接线垂直且为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线；
[0179]
将第二位置对应的传感器作为第二传感器。
[0180]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0181]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0182]
基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0183]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0184]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，利用第一目标公式计算待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0185]
其中，第一目标公式为：
[0186]
b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
[0187]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0188]
基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，利用第二目标公式确定待测导线的电流；
[0189]
其中，第二目标公式为：
[0190]
b1表示第一传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，m表示预设系数。
[0191]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值。
[0192]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值。
[0193]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0194]
获取环形阵列传感器中多个传感器测量的待测导线的磁感应强度；
[0195]
确定最大的磁感应强度对应的传感器，并将最大的磁感应强度对应的传感器作为第一传感器；
[0196]
基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器中的第二传感器；
[0197]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0198]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0199]
基于第一传感器在环形阵列传感器上的第一位置，确定环形阵列传感器的中心与第一位置之间的第一连接线；
[0200]
根据第一连接线，确定第二连接线，其中，第二连接线与第一连接线垂直且为中心与环形阵列传感器上的第二位置之间的连接线；
[0201]
将第二位置对应的传感器作为第二传感器。
[0202]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0203]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，确定待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0204]
基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，确定待测导线的电流。
[0205]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0206]
基于第一传感器的磁感应强度、第二传感器的磁感应强度以及半径，利用第一目标公式计算待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离；
[0207]
其中，第一目标公式为：
[0208]
b1表示第一传感器的磁感应强度，b2表示第二传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离。
[0209]
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
[0210]
基于第一传感器的磁感应强度、距离以及环形阵列传感器的半径，利用第二目标公式确定待测导线的电流；
[0211]
其中，第二目标公式为：
[0212]
b1表示第一传感器的磁感应强度，r表示半径，x表示待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离，m表示预设系数。
[0213]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且相邻两个传感器之间的间隔小于等于预设间隔阈值。
[0214]
在一个实施例中，环形阵列传感器中多个传感器等间隔设置于圆环上，且待测导线与环形阵列传感器的中心之间的距离小于等于预设距离阈值。需要说明的是，本技术所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
[0215]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0216]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0217]
以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。