压力传感器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：衬底层；第一外延层，设置在所述衬底层的上方；内部腔室，设置在所述衬底层上方，且其顶端所在高度不高于所述第一外延层顶端所在高度；第二外延层，设置在所述内部腔室上方；岛状结构，设置在所述衬底层内部中心区域且独立于所述衬底层；连通深槽，设置在所述岛状结构与所述衬底层之间，用于将所述内部腔室与外部气体导通。2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述岛状结构位于所述第一外延层相对所述衬底层的一侧，所述岛状结构在所述第一外延层所在平面的投影形状包括圆形、椭圆形、多边形中的至少一种。3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述岛状结构与所述衬底层的材质相同。4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述第一外延层内部设置有若干个沟槽，所述沟槽的一端与所述第二外延层相对所述第一外延层的一面连接，另一端与所述内部腔室导通连接。5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述沟槽在所述第一外延层所在平面的投影形状包括圆形、椭圆形、多边形中的至少一种。6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述内部腔室上方设有硅迁移层，所述硅迁移层位于所述第二外延层下方。7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第二外延层上设有电路器件，所述电路器件包括压敏电阻、导线和焊盘，所述导线电连接所述压敏电阻和焊盘。8.根据权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，所述压敏电阻和所述导线设置在所述第二外延层内部，所述焊盘设置在所述第二外延层表面。9.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述衬底层设有背腔，所述背腔用于通过所述连通深槽与所述内部腔室导通连接。10.根据权利要求9所述的压力传感器，其特征在于，所述岛状结构和所述连通深槽在所述第一外延层所在平面的投影位于所述背腔在所述第一外延层所在平面的投影内。11.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底材料作为衬底层；在所述衬底层上刻蚀形成连通深槽，并在所述衬底层上方形成第一外延层、内部腔室和第二外延层，所述内部腔室位于所述第二外延层下方，所述第一外延层位于所述第二外延层下方；刻蚀所述衬底层以形成位于所述第一外延层下方的岛状结构，以使得所述连通深槽与所述内部腔室导通连接。12.根据权利要求11所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底层上方形成第一外延层、内部腔室和第二外延层，包括：在所述第一外延层表面生长一层掩膜层；
通过所述掩膜层刻蚀所述第一外延层，在所述第一外延层表面形成若干个沟槽，并在所述第一外延层表面形成第二凸起部件和若干个第一凸起部件；通过所述沟槽刻蚀所述衬底层，以在所述衬底层上表面和所述第一外延层下表面形成与所述连通深槽导通连接的内部腔室，在所述第一外延层表面外延一层第二外延层。13.根据权利要求12所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述通过所述沟槽刻蚀所述衬底层，以在所述衬底层上表面和第一外延层下表面形成与所述连通深槽导通连接的内部腔室，包括：去除所述掩膜层，沿着所述沟槽，采用各向异性刻蚀和各向同性刻蚀的方式刻蚀所述第一外延层，以在所述衬底层上表面和第一外延层下表面形成与所述连通深槽导通连接的所述内部腔室。14.根据权利要求11所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底层上方形成第一外延层、内部腔室和第二外延层包括：在所述第一外延层表面外延形成一层第二外延层；对所述第二外延层进行快速退火处理，以在所述第二外延层下表面形成迁移层，并形成与所述连通深槽导通的内部腔室。15.根据权利要求11所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，在所述第二外延层内部设置压敏电阻和导线，并在所述第二外延层表面设置焊盘，并通过所述导线将所述压敏电阻与所述焊盘连接。

技术总结
本发明提供了一种压力传感器及其制备方法，所述压力包括衬底层；第一外延层，设置在所述衬底层的上方；内部腔室，设置在所述衬底层上方，且其顶端所在高度不高于所述第一外延层顶端所在高度；第二外延层，设置在所述内部腔室上方；岛状结构，设置在所述衬底层内部中心区域且独立于所述衬底层；连通深槽，设置在所述岛状结构与所述衬底层之间，用于将所述内部腔室与外部气体，本发明的压力传感器能够有效提高压力传感器的灵敏度一致性和线性度，提高了压力传感器的性能。了压力传感器的性能。了压力传感器的性能。


技术研发人员：吕萍 李刚
受保护的技术使用者：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2022/5/5