宽带调频装置的制作方法

1.本实用新型涉及调频设备技术领域，尤其涉及一种宽带调频装置。


背景技术：

2.目前调频具有窄带和宽带之分，常用的是宽带调频，可以调节设备的传输速率，宽带调频主要产生2g～4.5g、步进为100khz的跳频信号。
3.现有技术中，采用两片pll设计，来实现大带宽的跳频信号。
4.但是通过pll在产生大带宽的跳频信号时，跳频步进很小的情况下，在频点上会产生相位级截断问题，导致产生信号的杂散变差，另外带宽太宽时，边带的频点会发生锁定不稳定的现象。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种宽带调频装置，旨在解决现有技术中的pll在产生大带宽的跳频信号时，跳频步进很小的情况下，在频点上会产生相位级截断问题，导致产生信号的杂散变差，另外带宽太宽时，边带的频点会发生锁定不稳定的现象的技术问题。
6.为实现上述目的，本实用新型采用的一种宽带调频装置，包括pcb板、外壳、螺丝杆、封板、安装柱、网络连接器、单片机和分屏器，所述安装柱的数量为多根，多根所述安装柱分别与所述外壳固定连接，并分别位于所述外壳的内部，所述pcb板与多根所述安装柱固定连接，并分别位于多根所述安装柱的上方，所述封板盖合所述外壳，并位于所述外壳的上方，所述螺丝杆的数量为多根，多根所述螺丝杆分别贯穿所述封板，并分别与所述外壳螺纹连接，所述网络连接器设置于所述pcb板的上方，所述单片机设置于所述pcb板的上方，且所述单片机与所述网络连接器线性连接，所述分屏器的数量为两个，两个所述分屏器分别设置于所述pcb板的上方，且两个所述分屏器分别与所述单片机线性连接。
7.其中，所述外壳具有通风孔，所述通风孔的数量为多个，多个所述通风孔均匀分布于所述外壳的两侧，所述外壳还具有第一连接口、第二连接口和第三连接口，所述网络连接器与所述第一连接口连通，所述单片机的连接端与所述第二连接口连通。
8.其中，所述宽带调频装置还包括带通滤波器、50mhz恒温晶振、时钟分路器和选通开关，所述带通滤波器的数量为两个，每个所述带通滤波器分别设置于所述pcb板的上方，并分别与对应的所述分屏器线性连接，所述选通开关设置于所述pcb板的上方，并分别与两个所述带通滤波器线性连接，且所述单片机与所述选通开关线性连接，所述时钟分路器设置于所述pcb板的上方，并分别与两个所述分屏器线性连接，所述50mhz恒温晶振设置于所述pcb板的上方，并与所述时钟分路器线性连接。
9.其中，所述宽带调频装置还包括宽带放大器和31.5db数控步进衰减器，所述宽带放大器设置与所述pcb板的上方，并与所述选通开关线性连接，所述31.5db数控步进衰减器设置于所述pcb板的上方，并与所述宽带放大器线性连接，且所述单片机与所述31.5db数控步进衰减器线性连接。
10.其中，所述宽带调频装置还包括低通滤波器和连接端口，所述低通滤波器设置于所述pcb板的上方，并与所述31.5db数控步进衰减器线性连接，所述连接端口设置于所述pcb板的上方，并与所述低通滤波器线性连接，且所述连接端口与所述第三连接口连通。
11.本实用新型的一种宽带调频装置，两个所述分屏器分别为pll1和pll2，本方案选用hittite的低相位噪声pll，hmc833芯片设计，同时采用两片hmc833协同工作的方案设计，pll1产生2g～3g的跳频信号，后加带宽为2g～3g的所述带通滤波器抑制pll1产生信号的带外谐波信号，这样使得pll1产生信号的带外谐波低于60dbc，pll2用来产生3g～4.5g的调频信号，后加带宽为3g～4.5g的所述带通滤波器抑制pll2产生的带外谐波信号，确保pll2满足指标要求，pll1和pll2的输出信号通过所述选通开关进行切换，然后再通过所述宽带放大器将输出信号放大至10dbm，再经过所述31.5db数控步进衰减器可调输出信号的功率，经由所述低通滤波器输出，最终通过所述连接端口输出至所述宽带调频装置的外部，以上结构的设置，既能很好抑制谐波，又能满足输出端口的输出驻波，使得边带的频点锁定更加稳定。
附图说明
12.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1是本实用新型的宽带调频装置的结构示意图。
14.图2是本实用新型的宽带调频装置的左视图。
15.图3是本实用新型的宽带调频装置的正视图。
16.图4是本实用新型的图3的a-a线结构剖视图。
17.图5是本实用新型的图3的b-b线结构剖视图。
18.图6是本实用新型的宽带调频装置的系统框图。
19.1-pcb板、2-外壳、3-螺丝杆、4-封板、5-安装柱、6-通风孔、7-第一连接口、8-第二连接口、9-第三连接口、10-网络连接器、11-单片机、12-分屏器。
具体实施方式
20.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
21.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
22.请参阅图1至图6，本实用新型提供了一种宽带调频装置，包括pcb板1、外壳2、螺丝杆3、封板4、安装柱5、网络连接器10、单片机11和分屏器12，所述安装柱5的数量为多根，多根所述安装柱5分别与所述外壳2固定连接，并分别位于所述外壳2的内部，所述pcb板1与多根所述安装柱5固定连接，并分别位于多根所述安装柱5的上方，所述封板4盖合所述外壳2，并位于所述外壳2的上方，所述螺丝杆3的数量为多根，多根所述螺丝杆3分别贯穿所述封板4，并分别与所述外壳2螺纹连接，所述网络连接器10设置于所述pcb板1的上方，所述单片机11设置于所述pcb板1的上方，且所述单片机11与所述网络连接器10线性连接，所述分屏器12的数量为两个，两个所述分屏器12分别设置于所述pcb板1的上方，且两个所述分屏器12分别与所述单片机11线性连接。
23.所述外壳2具有通风孔6，所述通风孔6的数量为多个，多个所述通风孔6均匀分布于所述外壳2的两侧，所述外壳2还具有第一连接口7、第二连接口8和第三连接口9，所述网络连接器10与所述第一连接口7连通，所述单片机11的连接端与所述第二连接口8连通。
24.所述宽带调频装置还包括带通滤波器、50mhz恒温晶振、时钟分路器和选通开关，所述带通滤波器的数量为两个，每个所述带通滤波器分别设置于所述pcb板1的上方，并分别与对应的所述分屏器12线性连接，所述选通开关设置于所述pcb板1的上方，并分别与两个所述带通滤波器线性连接，且所述单片机11与所述选通开关线性连接，所述时钟分路器设置于所述pcb板1的上方，并分别与两个所述分屏器12线性连接，所述50mhz恒温晶振设置于所述pcb板1的上方，并与所述时钟分路器线性连接。
25.所述宽带调频装置还包括宽带放大器和31.5db数控步进衰减器，所述宽带放大器设置与所述pcb板1的上方，并与所述选通开关线性连接，所述31.5db数控步进衰减器设置于所述pcb板1的上方，并与所述宽带放大器线性连接，且所述单片机11与所述31.5db数控步进衰减器线性连接。
26.所述宽带调频装置还包括低通滤波器和连接端口，所述低通滤波器设置于所述pcb板1的上方，并与所述31.5db数控步进衰减器线性连接，所述连接端口设置于所述pcb板1的上方，并与所述低通滤波器线性连接，且所述连接端口与所述第三连接口9连通。
27.在本实施方式中，其中两个所述分屏器12分别为pll1和pll2，本方案选用hittite的低相位噪声pll，hmc833芯片设计，同时采用两片hmc833协同工作的方案设计，pll1产生2g～3g的跳频信号，后加带宽为2g～3g的所述带通滤波器抑制pll1产生信号的带外谐波信号，这样使得pll1产生信号的带外谐波低于60dbc，pll2用来产生3g～4.5g的调频信号，后加带宽为3g～4.5g的所述带通滤波器抑制pll2产生的带外谐波信号，确保pll2满足指标要求，pll1和pll2的输出信号通过所述选通开关进行切换，然后再通过所述宽带放大器将输出信号放大至10dbm，再经过所述31.5db数控步进衰减器可调输出信号的功率，经由所述低通滤波器输出，最终通过所述连接端口输出至所述宽带调频装置的外部，既能很好抑制谐波，又能满足输出端口的输出驻波，使得边带的频点锁定更加稳定；
28.其中hmc833是hittite推出的集成vco的小数n分屏器12的pll，可以产生25～6000mhz频率信号，具有-110dbc/hz的超低相位噪声；
29.其中宽带跳频源的cpu主控芯片采用microchip的pic18f66j60的所述单片机11实现，该芯片拥有以太网、i2c、spi和uart/usart等外设，最高时钟40m，64pin引脚设计，具有硬件简单，可靠性高等特点，pic18f66j60自带的以太网模块，拥有高可靠性mac，支持10m标
准以太网协议，通过专用fifo方式与单片机11内核进行数据交换；
30.其中所述50mhz恒温晶振采用深圳纳泽科技的noc1201a/50mhz晶振；
31.其中所述31.5db数控步进衰减器选用adi的hmc1122，hmc1122是一款6位数字衰减器，工作频率为0.1g～6g，步长为0.5dbm，步进误差小于
±
0.1db，总提供31.5db的衰减控制范围；该芯片插损为1.5dbm左右，单电源供电，250ns左右的rf建立时间，拥有出色的性能；
32.其中所述频射选通开关选用hmc8038二选一射频开关，hmc8038是一款高隔离度、非反射式、0.1ghz至6.0gh、单刀双掷开关芯片，该开关可实现高达4.0ghz的62db隔离、高达4.0ghz的0.8db低插入损耗和60dbm输入三阶交调截点，拥有高达6.0ghz的出色功率处理能力，并提供针对35dbm的0.1db压缩点的输入功率；
33.其中所述宽带放大器为一款gaas双极性晶体管(hbt)增益模块mmic放大器，工作频率范围为dc至6ghz，此款放大器采用sot89封装，hmc311st89提供16db的增益， 31.5dbm的输出ip3，同时仅需 5v电源提供54ma电流。
34.其中所述pcb板1采用2层的罗杰斯4350射频板和4层fr4的控制板设计，其中4层板采用埋、盲孔方式设计，且数字板和射频板接触面均为地层，充分保证信号隔离，严格按照emc要求设计，另外，射频板设计采用分区模块化设计，严格控制电源线和信号线长度和走线方式，严格计算射频线阻抗，保证系统的隔离度，降低射频设计风险，射频板采用大面积敷地和大量过孔，保证信号的完整性要求。
35.以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于实用新型所涵盖的范围。