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辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法

2022-04-30 17:25:45 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:包括:利用整体性缺陷辨识分析模块,基于不同测量电压下的频域介电响应特性,通过对比不同测量电压下介电特征量频域曲线的变化规律辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷的类型,所述油浸式绝缘套管整体性缺陷的类型包括芯子受潮缺陷和绝缘油受潮缺陷;利用局部性缺陷辨识分析模块,基于不同测量电压下局部放电特征量变化规律的分析,通过负脉冲最大放电量和正脉冲放电重复率与测量电压的变化规律辨识分析局部性缺陷的类型,所述局部性缺陷的类型包括电容屏短路缺陷、电晕放电缺陷和悬浮放电缺陷。2.根据权利要求1所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:本方法具体包括以下步骤:s1:对套管工频介损是否超标进行判断:若未超过标准规定值,则进入步骤s2;若其超过了标准规定值,则进入步骤s3;s2:对套管工频电容量变化率是否超标进行判断:若电容量的变化率未超过标准规定值,则进入步骤s4;若工频电容量变化率超标,则进入步骤s5;s3:对套管在不同测量电压下介电特征量频域曲线的变化规律进行分析:若套管的低频段介损曲线随测量电压升高出现上移,则进入步骤s6;若低频段介损曲线随测量电压升高未发生上移,则进入步骤s8;s4:对套管在标准电压下的最大放电量是否超标进行判断:若其未超过10pc,则转至步骤s7;若其超过10pc,则转至步骤s8;s5:对套管在标准电压下的最大放电量是否超标进行判断:若其未超过10pc,则判断套管存在电容屏短路缺陷,结束流程;若其超过10pc,则转至步骤s8;s6:对套管整体性缺陷进行辨识分析,获得结果后结束流程;s7:对套管工频介损变化量是否超标进行判断,判断结果后结束流程;s8:对套管局部性缺陷进行辨识分析,获得结果后结束流程。3.根据权利要求2所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:所述步骤s2中,具体包括:通过测量套管的工频电容量,与套管铭牌值进行对比,从而判断电容量的变化率。4.根据权利要求2所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:所述步骤s4中,具体包括:通过最大放电量判断套管是否存在局部性缺陷,其中,对于刚出厂的新套管,施加的工频测量电压,而对于已经投运的套管,施加的工频测量电压,其中u
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为套管铭牌上标注的最高电压;若最大放电量未超过预设阈值,则转至步骤s7;若最大放电量超过预设阈值,则转至步骤s8。5.根据权利要求2所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:所述步骤s5中,具体包括:通过最大放电量判断套管是否存在局部性缺陷,其中,对于刚出厂的新套管,施加的工频测量电压,而对于已经投运的套管,施加的工频测量电压,其中u
m
为套管铭牌上标注的最高电压;若其未超过预设阈值,则判断套管存在电容屏短路缺陷,结束流程;若其超过预设阈值,则转至步骤s8。6.根据权利要求2所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,
其特征在于:所述步骤s6中,具体包括:对套管开展不同电压下的频域介电响应测试,随测量电压升高,若套管的低频段电容实部曲线发生下移,则判断套管存在芯子受潮缺陷,结束流程;若随测量电压升高,套管的低频段电容实部曲线未发生下移,则判断套管存在绝缘油受潮缺陷,结束流程。7.根据权利要求2所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:所述步骤s7中,具体包括:若工频介损变化量未超过标准规定值,则判断套管不存在绝缘缺陷,为正常套管,结束流程;若工频介损变化量超过了标准规定值,则判断套管需加强监测,结束流程。8.根据权利要求2所述的辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,其特征在于:所述步骤s8中,对套管开展不同测量电压下局部放电测试,规定负脉冲最大放电量增长率的警戒值和正脉冲放电重复率增长率的警戒值,若两者同时超标,则判断套管存在电晕放电缺陷,结束流程;若两者未同时超标,则判断套管存在悬浮放电缺陷,结束流程。

技术总结
本发明涉及一种辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷和局部性缺陷的方法,属于电力设备绝缘缺陷检测分析领域,采用整体性缺陷辨识分析模块基于不同测量电压下的频域介电响应特性,通过对比不同测量电压下介电特征量频域曲线的变化规律辨识分析油浸式绝缘套管整体性缺陷的类型(芯子受潮缺陷、绝缘油受潮缺陷);采用局部性缺陷辨识分析模块基于不同测量电压下局部放电特征量变化规律的分析,通过负脉冲最大放电量和正脉冲放电重复率与测量电压的变化规律辨识分析局部性缺陷的类型(电容屏短路缺陷、电晕放电缺陷、悬浮放电缺陷)。本发明能最大程度地保障套管以及电力变压器的安全稳定运行。全稳定运行。全稳定运行。


技术研发人员:郝建 简政 史世林 刘清松 吴洁 廖瑞金 丁屹林 李滢
受保护的技术使用者:重庆大学
技术研发日:2022.01.11
技术公布日:2022/4/29
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