掩模检查装置及利用该掩模检查装置的掩模检查方法与流程

1.本发明涉及一种能够检查定义有彼此不同的多个开口部的掩模的掩模检查装置及利用该掩模检查装置的掩模检查方法。


背景技术：

2.通常，亮度特性及视角特性优异，并且与液晶显示装置不同，不需要单独的光源部的有机发光显示装置(oled：organic light emitting diode display)作为下一代平板显示装置而受到关注。有机发光显示装置不需要单独的光源，从而可以制造成轻量化并且薄型。并且，有机发光显示装置具有诸如消耗电力低、亮度高及反应速度快等的特性。
3.有机发光显示装置包括分别包括阳极、发光层及阴极的多个发光元件。空穴和电子分别从阳极和阴极注入至发光层而形成激子(exciton)，激子跃迁至基态而使发光元件发光。当制造发光元件时，掩模布置于基板上，并且用于形成发光层的有机物质通过掩模的开口部而提供至基板上。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种能够检查定义有多个开口部的掩模的掩模检查装置及利用该掩模检查装置的掩模检查方法。
5.根据本发明的一实施例的一种掩模检查方法包括如下步骤：拍摄定义有多个开口部的单位掩模而获取图像；将所述图像中的与所述单位掩模的边缘相邻的区域设定为检查区域；对布置于所述检查区域的开口部的灰度与基准灰度进行比较；以及根据比较结果来确认所述单位掩模的缺陷。
6.根据本发明的一实施例的一种掩模检查装置包括：相机，拍摄定义有多个开口部的单位掩模而获取图像；光源，布置于所述单位掩模下方而向所述单位掩模提供光；以及控制部，利用所述图像来确认所述单位掩模的缺陷，其中，所述控制部将所述图像中的与所述单位掩模的边缘相邻的区域设定为检查区域，并对布置于所述检查区域的开口部的灰度与基准灰度进行比较，根据比较结果来确认所述单位掩模的缺陷。
7.根据本发明的实施例，在沉积工艺之前可以检查第一棒及第二棒弯曲而遮挡掩模的开口部的情形，因此，可以减少在沉积工艺中的不良率。
附图说明
8.图1是根据本发明的一实施例的掩模检查装置的立体图。
9.图2是图示图1所示的掩模框架、第一棒以及第二棒的布置的图。
10.图3是布置于图2所示的第一棒及第二棒上的掩模的平面图。
11.图4是放大图示图3所示的第一区域aa1的图。
12.图5a、5b及5c是图示图4所示的任意一个单位掩模的平面图。
13.图6是用于说明根据本发明的一实施例的掩模检查方法的流程图。
14.图7a及图7b是用于说明针对图4所示的aa2区域的掩模缺陷检查方法的图。
15.图8a及图8b是用于说明针对图4所示的aa3区域的掩模缺陷检查方法的图。
16.图9是利用图1所示的掩模而制造的显示面板的平面图。
17.图10是示意性地图示图9所示的任意一个像素的剖面的图。
18.图11是用于说明利用图1所示的掩模的沉积工艺的图。
19.附图标记说明：
20.mia：掩模检查装置
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fmm：掩模
21.cc：控制部
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cm：相机
22.ls：光源
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lu：光源单元
23.st1：第一棒
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cmk：单位掩模
24.op：开口部
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mf：掩模框架
25.sub：基板
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s1：第一边
26.fs1：第一框架边
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mop：掩模开口部
27.cha1：第一检查区域
具体实施方式
28.在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”、与另一构成要素“连接”或者“结合”时，其表示可以直接布置在另一构成要素之上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
29.相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，在附图中，为了针对技术内容进行有效的说明，构成要素的厚度、比率以及尺寸被夸大。
[0030]“和/或”包括相关的构成可以定义的一个以上的全部的组合。
[0031]
第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情形下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。只要在语境中没有明确表示出不同含义，单数的表述便包括复数的表述。
[0032]
并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中图示的构成的相关关系。所述术语为相对性的概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。
[0033]
只要没有被不同地定义，则本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。并且，诸如在通常使用的词典中定义的术语之类的术语应当被解释为与在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且只要没有被解释为理想的或者过于形式性的含义，则可以在此被明示性地定义。
[0034]“包括”或者“具有”等术语应当被理解为旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。
[0035]
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
[0036]
图1是根据本发明的一实施例的掩模检查装置的立体图。
[0037]
参照图1，掩模检查装置mia可以检查布置于掩模框架mf上的多个掩模fmm。在掩模框架mf上可以布置多个第一棒st1及多个第二棒st2。在第一棒st1及第二棒st2上可以布置掩模fmm。掩模fmm可以被第一棒st1及第二棒st2所支撑。
[0038]
掩模框架mf可以具有定义有掩模开口部mop的四边形的框形状。然而，这仅是示意性地图示的情形，掩模框架mf可以具有多种形状。掩模框架mf可以包括金属物质。例如，掩模框架mf可以包括因瓦合金(invar)，然而并不局限于此，可以包括多种金属物质。
[0039]
第一棒st1可以沿第一方向dr1排列，并且可以沿与第一方向dr1交叉的第二方向dr2延伸。第一棒st1可以具有沿第二方向dr2延伸的棒形状。然而，这仅是示意性地图示的情形，第一棒st1可以具有多种形状。并且，为了便于说明，图示了4个第一棒st1，然而第一棒st1的数量并不局限于此。以下，在图2中将详细说明第一棒st1。
[0040]
第二棒st2可以沿第一方向dr1延伸，并且可以沿第二方向dr2排列。第二棒st2可以具有沿第一方向dr1延伸的棒形状。然而，这仅是示意性地图示的情形，第二棒st2可以具有多种形状。并且，为了便于说明，图示了4个第二棒st2，然而第二棒st2的数量并不局限于此。以下，在图2中将详细说明第二棒st2。
[0041]
第一棒st1及第二棒st2可以包括金属物质。例如，第一棒st1及第二棒st2可以包括因瓦合金(invar)，然而并不局限于此，可以包括多种金属物质。
[0042]
以下，将与借由第一方向dr1及第二方向dr2而定义的平面实质上垂直交叉的方向定义为第三方向dr3。并且，在本说明书中，从平面上观察的含义可以表示沿第三方向dr3观察的状态。
[0043]
掩模fmm可以沿第一方向dr1延伸，并且可以沿第二方向dr2排列。掩模fmm可以具有沿第一方向dr1延伸得更长的矩形形状。然而，这仅是示意性地图示的情形，掩模fmm可以具有多种形状，并且不限于任意一个实施例。掩模fmm可具有借由第一方向dr1及第二方向dr2而定义的平面。为了便于说明，图示了5个掩模fmm，然而掩模fmm的数量并不局限于此。
[0044]
在掩模fmm中的每一个可以定义有多个单位掩模cmk。在掩模fmm中的每一个，单位掩模cmk可以沿第一方向dr1排列。在单位掩模cmk中的每一个可以定义有多个开口部op。
[0045]
以第三方向dr3为基准，掩模fmm中的每一个的厚度可以小于掩模框架mf的厚度。
[0046]
掩模检查装置mia可以包括相机cm、控制部cc及光源ls。相机cm可以布置于掩模fmm上。相机cm可以拍摄掩模fmm。例如，相机cm可以拍摄掩模fmm的整个区域。
[0047]
控制部cc可以从相机cm接收拍摄掩模fmm的图像。控制部cc可以检查从相机cm提供的图像来检查掩模fmm的缺陷与否。
[0048]
控制部cc可以通过通信电缆与相机cm连接。然而，这仅是示意性的情形，控制部cc与相机cm的连接关系并不局限于此。例如，控制部cc也可以通过无线通信从相机cm接收图像。控制部cc可以是包括用于与相机cm通信的通信接口及处理器的计算机，然而并不局限于此。
[0049]
光源ls可以布置于掩模框架mf下方。光源ls可以布置于掩模fmm下方而向掩模fmm提供光。当从平面上观察时，光源ls可以与定义于掩模框架mf的掩模开口部mop重叠。
[0050]
光源ls可以包括基板sub及光源单元lu。基板sub可以具有借由第一方向dr1及第二方向dr2而定义的四边形形状。基板sub可以布置于掩模fmm下方。
[0051]
光源单元lu可以布置于基板sub上。光源单元lu可以沿第一方向dr1及第二方向
dr2排列。光源单元lu可以布置为沿第一方向dr1及第二方向dr2以预定的间距彼此隔开，然而光源单元lu的布置并不局限于此。
[0052]
光源单元lu可以在单位掩模cmk下方向单位掩模cmk提供光。
[0053]
图2是图示图1所示的掩模框架、第一棒以及第二棒的布置的图。
[0054]
参照图2，定义于掩模框架mf的掩模开口部mop可以是借由第一方向dr1及第二方向dr2所定义的四边形形状的孔。
[0055]
在第二方向dr2上彼此相对的第一棒st1的两末端可以布置于与在第二方向dr2上彼此相对的掩模框架mf的第一框架边fs1相邻的掩模框架mf的上表面上。第一棒st1的两末端可通过焊接而贴附到掩模框架mf的上表面。第一棒st1可以布置为沿第一方向dr1以预定间隔彼此隔开。
[0056]
第二棒st2的两末端可以布置于与在第一方向dr1上彼此相对的掩模框架mf的第二框架边fs2相邻的掩模框架mf的上表面上。第二棒st2的两末端可以通过焊接而贴附到掩模框架mf的上表面。第二棒st2可以布置为沿第二方向dr2以预定间隔彼此隔开。
[0057]
第一棒st1可以布置于第二棒st2上，第一棒st1可以与第二棒st2交叉。第一棒st1与第二棒st2交叉的部分可以通过焊接而彼此贴附。然而，并不局限于此，第一棒st1可以不贴附于第二棒st2上而交叉。
[0058]
上述的单位掩模cmk可以分别与由彼此交叉的第一棒st1及第二棒st2所定义的区域重叠。
[0059]
图3是布置于图2所示的第一棒及第二棒上的掩模的平面图。
[0060]
参照图3，掩模fmm可以通过焊接而贴附于第一棒st1、第二棒st2及掩模框架mf。然而，并不局限于此，掩模fmm可以通过焊接而贴附于掩模框架mf，并且可以不贴附于第一棒st1及第二棒st2而布置于第一棒st1及第二棒st2。
[0061]
掩模fmm可以利用薄板(thin plate)制造。作为掩模fmm的材料可以使用不锈钢、因瓦合金(invar)、镍(ni)、钴(co)、镍合金、镍钴合金等。然而，这仅是示意性的情形，掩模fmm的材料不限于此，并且可以使用多种材料。
[0062]
掩模fmm可以布置为沿第二方向dr2彼此相邻。示意性地，掩模fmm可以沿第二方向dr2彼此接触，然而并不局限于此，并且掩模fmm也可以彼此隔开。
[0063]
定义在掩模fmm中的每一个的多个单位掩模cmk可以具有包括沿第一方向dr1延伸的长边及沿第二方向dr2延伸的短边的矩形形状。多个开口部op可以定义在单位掩模cmk。单位掩模cmk可以在第一棒st1及第二棒st2上沿第一方向dr1彼此相邻地布置。
[0064]
图4是放大图示图3所示的第一区域aa1的图。
[0065]
参照图4，多个开口部op可以布置于单位掩模cmk上。沿第一方向dr1排列的开口部op的数量可以大于沿第二方向dr2排列的开口部op的数量。开口部op可以布置为在第一方向dr1及第二方向dr2上以预定间距彼此隔开。开口部op可以与第一棒st1及第二棒st2不重叠。
[0066]
开口部op可以提供沉积物质通过的路径。开口部op可以暴露基板的沉积对象区域。开口部op可以暴露所要形成的沉积对象区域。
[0067]
单位掩模cmk可以包括：第一边s1(即，一对第一边s1)，沿第一方向dr1延伸，并且在第二方向dr2上彼此相对；以及第二边s2(即，一对第二边s2)，沿第二方向dr2延伸，并且
在第一方向dr1上彼此相对。
[0068]
第一棒st1可以沿第二方向dr2延伸并布置于第二边s2下方。第二棒st2可以沿第一方向dr1延伸并布置于第一边s1下方。
[0069]
图5a、图5b及图5c是图示图4所示的任意一个单位掩模的平面图。示意性地，图5a是正常的单位掩模的平面图。图5b及图5c是不良的单位掩模的平面图。为了便于说明，在图5a、图5b及图5c中仅图示了一个单位掩模和布置于单位掩模周边的第一棒及第二棒。
[0070]
参照图5a、图5b及图5c，开口部op以矩阵形态排列，然而开口部op的排列形态并不局限于此。
[0071]
在单位掩模cmk中可以定义有第一检查区域cha1及第二检查区域cha2。第一检查区域cha1及第二检查区域cha2可以借由控制部cc(在图1中图示)而定义。例如，相机cm(在图1中图示)可以拍摄掩模fmm，控制部cc可以在从相机cm提供的掩模fmm的单位掩模cmk的图像中设定第一检查区域cha1及第二检查区域cha2。
[0072]
示意性地，以任意一个单位掩模cmk为例进行说明如下。
[0073]
第一检查区域cha1可以设定为单位掩模cmk的与第二棒st2相邻的区域。第一检查区域cha1可以沿第一方向dr1延伸并且在第二方向dr2上彼此相对。第二检查区域cha2可以设定为单位掩模cmk的与第一棒st1相邻的区域。第二检查区域cha2可以沿第二方向dr2延伸并且在第一方向dr1上彼此相对。
[0074]
第一检查区域cha1及第二检查区域cha2设定为从第一棒st1及第二棒st2至包括两个开口部op的区域，然而并不局限于此，也可以设定为包括更多数量的开口部op。只是，根据本发明的实施例，设定了包括较少数量的开口部op的第一检查区域cha1及第二检查区域cha2，从而可以实现迅速的检查，并且可以提升检查的效率。
[0075]
第一棒st1及第二棒st2可能由于热而弯曲，并且可能由于制造过程中的缺陷而弯曲。并且，第一棒st1及第二棒st2可能在拉伸厚度较薄的第一棒st1及第二棒st2的过程中弯曲。
[0076]
参照图5b，示意性地图示了朝一个第一检查区域cha1的方向弯曲的一个第二棒st2。沿第一方向dr1延伸并沿第二方向dr2弯曲的一个第二棒st2可以布置于单位掩模cmk下方，并且可以与第一检查区域cha1重叠。
[0077]
弯曲的一个第二棒st2可以与在第一检查区域cha1的开口部op的一部分重叠。第一检查区域cha1的开口部op中的一部分可以被弯曲的一个第二棒st2遮挡孔的一部分或全部。
[0078]
参照图5c，示意性地图示了朝一个第二检查区域cha2的方向弯曲的一个第一棒st1。沿第二方向dr2延伸并沿第一方向dr1弯曲的一个第一棒st1可以布置于单位掩模cmk下方，并且可以与第二检查区域cha2重叠。
[0079]
弯曲的一个第一棒st1可以与第二检查区域cha2的开口部op中的一部分重叠。第二检查区域cha2的开口部op中的一部分可以被弯曲的一个第一棒st1遮挡孔的一部分或全部。
[0080]
图6是用于说明根据本发明的一实施例的掩模检查方法的流程图。
[0081]
以下，根据说明的需要，与图1所示的掩模检查装置一起进行说明。
[0082]
参照图1及图6，在步骤s110中，可以获取单位掩模cmk的图像。例如，可以借由掩模
检查装置mia的相机cm而拍摄掩模fmm。因此，可以借由相机cm获取掩模fmm的单位掩模cmk的图像。
[0083]
在步骤s120中，可以在单位掩模cmk的图像中设定检查区域。例如，如图5a至图5c所示，与单位掩模cmk中的每一个的第一边s1及第二边s2相邻的第一检查区域cha1及第二检查区域cha2可以被设定为检查区域。控制部cc可以在单位掩模cmk的图像中将与单位掩模cmk中的每一个的第一边s1及第二边s2相邻的第一检查区域cha1及第二检查区域cha2设定为检查区域。
[0084]
由于光源ls向单位掩模cmk提供光，因此通过单位掩模cmk的开口部op的光可以被提供至相机cm。因此，由相机cm拍摄的开口部op的图像可以借由光而具有预定的灰度。在图像中，开口部op的灰度可以基于光来确定。
[0085]
在步骤s130中，检查区域的开口部op的灰度可以与基准灰度进行比较。例如，控制部cc可以对借由相机cm而拍摄的图像中的检查区域的开口部op的灰度与基准灰度进行比较。虽然未图示，然而控制部cc还可以包括存储有基准灰度数据的存储器。
[0086]
布置于单位掩模cmk的第一检查区域cha1及第二检查区域cha2的开口部op的灰度可以与基准灰度进行比较。第一检查区域cha1的开口部op的灰度及第二检查区域cha2的开口部op的灰度可以与基准灰度依次进行比较。
[0087]
在步骤s140中，根据比较结果可以检查出单位掩模cmk的缺陷。例如，控制部cc可以将借由相机cm拍摄的图像中的检查区域的开口部op的灰度与基准灰度进行比较来确认单位掩模cmk的缺陷。
[0088]
在第一检查区域cha1及第二检查区域cha2的开口部op的灰度小于基准灰度的情况下，单位掩模cmk可以被检查为有缺陷的掩模。在第一检查区域cha1及第二检查区域cha2的开口部op的灰度大于或等于基准灰度的情况下，单位掩模cmk可以被确认为正常掩模。
[0089]
利用掩模检查装置mia可以在沉积工艺之前检查第一棒st1及第二棒st2弯曲而遮挡掩模fmm的开口部op的情形。因此，可以减少在沉积工艺中的不良率。
[0090]
图7a及图7b是用于说明针对图4所示的aa2区域的掩模缺陷检查方法的图。为了便于说明，示意性地示出了任意一个第二棒st2。
[0091]
以下，将一同说明在图6所示的掩模检查方法。
[0092]
参照图6及图7a，控制部cc(在图1中图示)可以确认第一检查区域cha1的开口部op的灰度，并且可以对第一检查区域cha1的开口部op的灰度与基准灰度进行比较，从而可以确认单位掩模cmk的正常或不良。
[0093]
基准灰度可以被设定为20至80灰度中的任意一个灰度。然而，基准灰度并不局限于此。以下，示意性地说明具有设定为30灰度的基准灰度的掩模检查方法。
[0094]
光源ls可以向第一检查区域cha1的开口部op提供光。由于光透过开口部op，因此光透过的开口部op的图像可以具有较高的灰度。由于第一检查区域cha1的开口部op没有被第二棒st2遮挡，因此可以具有大于或等于30的灰度。控制部cc可以将大于或等于30的灰度与基准灰度进行比较来将单位掩模cmk确认为正常的单位掩模cmk。
[0095]
参照图7b，第一检查区域cha1的开口部op可以与第二棒st2重叠。若第一检查区域cha1的开口部op被第二棒st2遮挡，则从光源ls提供的光可以被第二棒st2阻挡。因此，光被阻挡的开口部op的图像可以具有较低的灰度。被第二棒st2遮挡的第一检查区域cha1的开
口部op可以具有小于30的灰度。控制部cc可以将小于30的灰度与基准灰度进行比较来将单位掩模cmk确认为不良的单位掩模cmk。
[0096]
图8a及图8b是用于说明针对图4所示的aa3区域的掩模缺陷检查方法的图。为了便于说明，示意性地图示了第一棒st1。
[0097]
以下，将一同说明在图6所示的掩模检查方法。
[0098]
参照图6及图8a，光源ls可以向第二检查区域cha2的开口部op提供光。由于第二检查区域cha2的开口部op的图像没有被第一棒st1遮挡，因此可以具有大于或等于30的灰度。控制部cc可以将大于或等于30的灰度与基准灰度进行比较来将单位掩模cmk确认为正常的单位掩模cmk。
[0099]
参照图8b，第二检查区域cha2的开口部op可以与第一棒st1重叠。若第二检查区域cha2的开口部op被第一棒st1遮挡，则从光源ls提供的光可以被第一棒st1阻挡。被第一棒st1遮挡的第二检查区域cha2的开口部op可以具有小于30的灰度。控制部cc可以将小于30的灰度与基准灰度进行比较来将单位掩模cmk确认为不良的单位掩模cmk。
[0100]
图9是利用图1所示的掩模而制造的显示面板的平面图。
[0101]
参照图9，显示面板dp可以具有包括沿第二方向dr2延伸的长边及沿第一方向dr1延伸的短边的矩形形状，然而显示面板dp的形状并不局限于此。显示面板dp可以包括显示部da及围绕显示部da的非显示部nda。
[0102]
显示面板dp可以是发光型显示面板。显示面板dp可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点及量子棒等。以下，显示面板dp将以有机发光显示面板进行说明。
[0103]
显示面板dp可以包括多个像素px、多条扫描线sl1至slm、多条数据线dl1至dln、多条发光线el1至elm、第一控制线csl1及第二控制线csl2、第一电源线pl1及第二电源线pl2、连接线cnl及多个垫pd。m及n是正整数。
[0104]
像素px可以布置于显示部da。扫描驱动部sdv及发光驱动部edv可以布置于与显示面板dp的长边分别相邻的非显示部nda。数据驱动部ddv可以布置于与显示面板dp的短边中的一个短边相邻的非显示部nda。当从平面上观察时，数据驱动部ddv可以与显示面板dp的下端相邻。
[0105]
扫描线sl1至slm可以沿第一方向dr1延伸而连接于像素px及扫描驱动部sdv。数据线dl1至dln可以沿第二方向dr2延伸而连接于像素px及数据驱动部ddv。发光线el1至elm可以沿第一方向dr1延伸而连接于像素px及发光驱动部edv。
[0106]
第一电源线pl1可以沿第二方向dr2延伸并布置于非显示部nda。第一电源线pl1可以布置于显示部da与发光驱动部edv之间，然而并不局限于此，并且可以布置于显示部da与扫描驱动部sdv之间。
[0107]
连接线cnl可以沿第一方向dr1延伸并沿第二方向dr2排列。连接线cnl可以连接于第一电源线pl1及像素px。第一电压可以通过彼此连接的第一电源线pl1及连接线cnl而施加到像素px。
[0108]
第二电源线pl2可以布置于非显示部nda。第二电源线pl2可以沿显示面板dp的长边及显示面板dp的没有布置数据驱动部ddv的另一短边延伸。第二电源线pl2可以比扫描驱
动部sdv及发光驱动部edv布置在更外围。
[0109]
虽然未图示，然而第二电源线pl2可以朝显示部da延伸而连接于像素px。具有比第一电压低的电平的第二电压可以通过第二电源线pl2施加到像素px。
[0110]
第一控制线csl1可以连接于扫描驱动部sdv，并且当从平面上观察时，可以朝显示面板dp的下端延伸。第二控制线csl2可以连接于发光驱动部edv，并且当从平面上观察时，可以朝显示面板dp的下端延伸。数据驱动部ddv可以布置于第一控制线csl1与第二控制线csl2之间。
[0111]
垫pd可以布置于显示面板dp上。垫pd可以比数据驱动部ddv更靠近显示面板dp的下端。数据驱动部ddv、第一电源线pl1、第二电源线pl2、第一控制线csl1及第二控制线csl2可以连接于垫pd。数据线dl1至dln可以连接于数据驱动部ddv，并且数据驱动部ddv可以连接于与数据线dl1至dln对应的垫pd。
[0112]
多个显示面板dp的发光元件可以通过单位掩模cmk形成。
[0113]
虽然未图示，然而用于控制扫描驱动部sdv、数据驱动部ddv及发光驱动部edv的操作的时序控制器及用于生成第一电压及第二电压的电压生成部可以布置于印刷电路基板上。时序控制器及电压生成部可以通过印刷电路基板而连接于对应的垫pd。
[0114]
扫描驱动部sdv可以生成多个扫描信号，扫描信号可以通过扫描线sl1至slm而施加到像素px。数据驱动部ddv可以生成多个数据电压，并且数据电压可以通过数据线dl1至dln而施加到像素px。发光驱动部edv可以生成多个发光信号，并且发光信号可以通过发光线el1至elm而施加到像素px。
[0115]
像素px可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素px可以响应于发光信号而发出具有与数据电压对应的亮度的光来显示图像。像素px的发光时间可借由发光信号而被控制。
[0116]
图10是示意性地图示图9所示的任意一个像素的剖面的图。
[0117]
参照图10，像素px可以布置于基础基板bs上，并且可以包括晶体管tr及发光元件oled。发光元件oled可以包括第一电极ae、第二电极ce、空穴控制层hcl、电子控制层ecl及发光层eml。第一电极ae可以是阳极电极，第二电极ce可以是阴极电极。
[0118]
晶体管tr及发光元件oled可以布置于基础基板bs上。虽然示意性地图示了一个晶体管tr，然而实质上像素px可以包括用于驱动发光元件oled的多个晶体管及至少一个电容器。
[0119]
显示部da可以包括对应于像素px的发光部pa及发光部pa周边的非发光部npa。发光元件oled可以布置于发光部pa。
[0120]
基础基板bs可以包括柔性塑料基板。例如，基础基板bs可以包括透明的聚酰亚胺(pi：polyimide)。在基础基板bs上可以布置有缓冲层bfl，缓冲层bfl可以是无机层。
[0121]
在缓冲层bfl上可以布置有半导体图案。半导体图案可以包括多晶硅。然而并不局限于此，半导体图案还可以包括非晶硅或金属氧化物。
[0122]
半导体图案可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。半导体图案可以包括高掺杂区域和低掺杂区域。高掺杂区域的导电性可以大于低掺杂区域的导电性，实质上，可以起到晶体管tr的源极电极及漏极电极的作用。低掺杂区域实质上可以相当于晶体管的有源区域(或者沟道)。
[0123]
晶体管tr的源极s、有源区域a及漏极d可以形成为半导体图案。在半导体图案上可以布置有第一绝缘层ins1。在第一绝缘层ins1上可以布置有晶体管tr栅极g。在栅极g上可以布置有第二绝缘层ins2。在第二绝缘层ins2上可以布置有第三绝缘层ins3。
[0124]
连接电极cne可以布置于晶体管tr与发光元件oled之间而连接晶体管tr和发光元件oled。连接电极cne可以包括第一连接电极cne1及第二连接电极cne2。
[0125]
第一连接电极cne1可以布置于第三绝缘层ins3上，并且可以通过定义于第一绝缘层ins1至第三绝缘层ins3的第一接触孔ch1而连接于漏极d。第四绝缘层ins4可以布置于第一连接电极cne1上。在第四绝缘层ins4上可以布置有第五绝缘层ins5。
[0126]
第二连接电极cne2可以布置于第五绝缘层ins5上。第二连接电极cne2可以通过定义于第五绝缘层ins5的第二接触孔ch2而连接于第一连接电极cne1。在第二连接电极cne2上可以布置有第六绝缘层ins6。第一绝缘层ins1至第六绝缘层ins6可以是无机层或者有机层。
[0127]
在第六绝缘层ins6上可以布置有第一电极ae。第一电极ae可以通过定义于第六绝缘层ins6的第三接触孔ch3而连接于第二连接电极cne2。在第一电极ae及第六绝缘层ins6上可以布置有暴露第一电极ae的预定的部分的像素定义膜pdl。在像素定义膜pdl可以定义有用于暴露第一电极ae的预定的部分的开口部px_op。
[0128]
空穴控制层hcl可以布置于第一电极ae及像素定义膜pdl上。空穴控制层hcl可以共同布置于发光部pa和非发光部npa。空穴控制层hcl可以包括空穴传输层及空穴注入层。
[0129]
发光层eml可以布置于空穴控制层hcl上。发光层eml可以布置于与开口部px_op对应的区域。发光层eml可以包括有机物质和/或无机物质。发光层eml可以生成红光、绿光及蓝光中的任意一种光。
[0130]
电子控制层ecl可以布置于发光层eml及空穴控制层hcl上。电子控制层ecl可以共同布置于发光部pa和非发光部npa。电子控制层ecl可以包括电子传输层及电子注入层。
[0131]
第二电极ce可以布置于电子控制层ecl上。第二电极ce可以共同布置于像素px。从缓冲层bfl至发光元件oled的层可以被定义为像素层pxl。
[0132]
薄膜封装层tfe可以布置于发光元件oled上。薄膜封装层tfe可以布置于第二电极ce上而覆盖像素px。薄膜封装层tfe可以包括至少两个无机层及无机层之间的有机层。无机层可以保护像素px免受水分/氧气的影响。有机层可以保护像素px免受诸如灰尘颗粒之类的异物质的影响。
[0133]
第一电压可以通过晶体管tr施加到第一电极ae，并且具有低于第一电压的电平的第二电压可以施加到第二电极ce。注入至发光层eml的空穴和电子可以结合而形成激子(exciton)，并且激子可以跃迁至基态而使发光元件oled发光。
[0134]
图11是用于说明利用图1所示的掩模的沉积工艺的图。
[0135]
示意性地，在图11示出了单位掩模cmk的任意一个开口部op。
[0136]
参照图11，在基础基板bs上可以布置有单位掩模cmk。在第一电极上ae上可以布置有空穴控制层hcl，单位掩模cmk可以用于在空穴控制层hcl上形成发光层eml。
[0137]
沉积物质dpm可以通过定义于单位掩模cmk的开口部op而提供至空穴控制层hcl。发光层eml可以借由沉积物质dpm而形成。
[0138]
虽然参照上述实施例进行了说明，但是相关技术领域的熟练的技术人员可以理解
在不脱离权利要求书所记载的本发明的思想及范围内能够对本发明进行多样的修改及变更。并且，本发明中公开的实施例并非用于限定本发明的技术思想，权利要求书所记载的范围及与此等同的范围内的全部技术思想应当被理解为包含于本发明的权利范围。