一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置的制作方法

1.本发明涉及扬声器领域，具体地来说，提供一种用于扬声器的磁场装置，此装置也可以应用于其他需要匀强磁场的地方。
2.

背景技术：
:磁场设计千变万化，理论涉及面广，应用中呈现的效果也是五花八门。由于磁场的特性，做一个匀强磁场也不难，但是做一个高强度高品质高利用率的匀强磁场就很难，特别是永磁材料组成一个高强度高品质高利用率的磁场就更难。(如扬声器的磁路即磁场)我们经过多年研究与实践，发明了一种扬声器(喇叭)用高品质高强磁场高利用率的匀强磁场。
3.

技术实现要素：
本发明的目的是提供一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置。
4.本发明的技术方案：一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，其特征在于，所述的t型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述t型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。
5.作为优选，所述环状永磁材料内侧设置有磁屏蔽材料。
6.作为优选，所述内空柱体的根部和磁柱的根部具有环状凹槽。
7.作为优选，所述凹槽为方形凹槽或孤形凹槽。
8.作为优选，所述内空柱体顶端与磁柱根部之间的距离为磁缸间隙1.2～3倍。
9.本发明的有益效果：本发明磁场装置结构科学合理，其磁场的有效磁路长，可使音圈线圈区永不逃逸出磁缸或碰缸底，从而形成一个均衡的超强磁场的匀强磁场。
10.附图说明:图1是本发明实施例一的结构示意图；图2是本发明实施例二的结构示意图；图3是本发明实施例三的结构示意图；图4是本发明实施例四的结构示意图。
11.图中： 1、匀强磁场，2、盖板， 3、磁柱，4、环状永磁材料，5、内空柱体，6、底板，7、凹槽，8、孤形凹槽，9、圆角，10圆弧结构，11、磁屏蔽材料，12、u型导磁体，13、柱型磁性材料，14、凸台，15、弧形槽。
具体实施方式
12.实施例1如图1所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板导磁体，t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料4，所述的t型磁缸底板导磁体由底板6和磁柱3构成，所述t型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板2和内空柱体5构成，内空柱体5的顶端与磁柱3根部之间的距离为磁缸间隙1.2倍（磁缸间隙为匀强磁场的两极之间的距离）。本匀强磁场装置还具有外壳，t型磁缸底板导
磁体、t型柱内空磁缸上盖板与环状永磁材料4组装后置于外壳中。内空柱体5与磁柱3之间形成匀强磁场1。
13.实施例2如图2所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板导磁体，t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料4，所述的t型磁缸底板导磁体由底板6和磁柱3构成，所述t型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板2和内空柱体5构成，内空柱体5的顶端与磁柱3根部之间的距离为磁缸间隙2倍（磁缸间隙为匀强磁场的两极之间的距离）。所述内空柱体的根部具有环状凹槽，所述磁柱的根部具有环状凹槽。本匀强磁场装置还具有外壳，t型磁缸底板导磁体、t型柱内空磁缸上盖板与环状永磁材料4组装后置于外壳中。内空柱体5与磁柱3之间形成匀强磁场1。
14.实施例3如图3所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板导磁体，t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料4，所述的t型磁缸底板导磁体由底板6和磁柱3构成，所述t型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板2和内空柱体5构成，内空柱体5的顶端与磁柱3根部之间的距离为磁缸间隙3倍（磁缸间隙为匀强磁场的两极之间的距离）。所述环状永磁材料4的内侧设置有磁屏蔽材料11。所述磁柱的根部具有环状凹槽，凹槽转角处具有圆角。所述内空柱体的根部具有环状凹槽，凹槽转角处具有圆角。或者所述磁柱的根部具有孤形槽。或者所述内空柱体的根部具有环状孤形槽。本匀强磁场装置还具有外壳，t型磁缸底板导磁体、t型柱内空磁缸上盖板与环状永磁材料4组装后置于外壳中。内空柱体5与磁柱3之间形成匀强磁场1。
15.实施例4如图4所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由柱型磁性材料13与u型导磁体12构成。u型导磁体12为盖板和底板的统一体。柱型磁性材料13位于u型导磁体12的正中央，u型导磁体12的底部具有凸台14，柱型磁性材料13的底部放置在凸台14上，柱型磁性材料13底部大于凸台14约1毫米以上。u型导磁体12底部与柱型磁性材料13底部的磁极型相反。柱型磁性材料13与u型导磁体12内壁之间的间隙为匀强碰场1。


技术特征：
1.一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，t型磁缸底板导磁体与t型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，其特征在于，所述的t型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述t型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。2.根据权利要求1所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述环状永磁材料内侧设置有磁屏蔽材料。3.根据权利要求1或2所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述内空柱体的根部和磁柱的根部具有环状凹槽。4.根据权利要求3所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述凹槽为方形凹槽或孤形凹槽。5.根据权利要求4所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述内空柱体顶端与磁柱根部之间的距离为磁缸间隙1.2～3倍。

技术总结
本发明公开了一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，所述的T型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。本发明磁场装置结构科学合理，其磁场的有效磁路长，可使音圈线圈区永不逃逸出磁缸或碰缸底，从而形成一个均衡的超强磁场的匀强磁场。磁场的匀强磁场。磁场的匀强磁场。


技术研发人员：郑治龙 覃仕明
受保护的技术使用者：张家界龙仕高科技有限公司
技术研发日：2020.10.03
技术公布日：2022/4/22