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一种磁分离装置的制作方法

2022-04-17 05:11:44 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种磁分离装置,其特征在于,其包括机壳(1)、磁盘组(2)、第一孔板(3)和第二孔板(4),所述机壳(1)内具有容置腔,所述机壳(1)在长度方向的两侧分别设置有第一开口(11)和第二开口(12),所述第一开口(11)和所述第二开口(12)分别与所述容置腔连通,所述磁盘组(2)可转动的设置在所述容置腔内,所述磁盘组(2)的轴线方向与所述机壳(1)的宽度方向一致,所述第一孔板(3)设置在所述磁盘组(2)与所述第一开口(11)之间,所述第二孔板(4)设置在所述磁盘组(2)与所述第二开口(12)之间,所述第一孔板(3)和所述第二孔板(4)上分别设置有若干个透水孔。2.根据权利要求1所述的磁分离装置,其特征在于,所述机壳(1)的内腔中设置有隔板结构(13),所述隔板结构(13)将所述机壳(1)的内腔分为上下两部分,其中上部分为所述容置腔。3.根据权利要求2所述的磁分离装置,其特征在于,所述第二开口(12)低于所述第一开口(11),所述隔板结构(13)沿所述机壳(1)的长度方向包括依次相连的第一隔板(131)、第二隔板(132)和第三隔板(133),所述第一隔板(131)与所述机壳(1)设有所述第一开口(11)的内壁连接,所述第一隔板(131)位于所述第一开口(11)下方,所述第一隔板(131)远离所述第一开口(11)的一端向下倾斜,所述第二隔板(132)向下凹陷,所述磁盘组(2)位于所述第二隔板(132)与所述机壳(1)的顶板之间,所述第三隔板(133)与所述机壳(1)设有所述第二开口(12)的内壁连接,所述第三隔板(133)与所述机壳(1)的连接端不高于所述第二开口(12)。4.根据权利要求3所述的磁分离装置,其特征在于,所述第一孔板(3)位于所述第一隔板(131)上方,所述第一孔板(3)的长度方向与所述机壳(1)的宽度方向一致,所述第一孔板(3)长度方向的两端分别延伸至所述机壳(1)在宽度方向上的两个内壁,所述第一孔板(3)高度方向的一端向下延伸至所述第一隔板(131)。5.根据权利要求4所述的磁分离装置,其特征在于,所述机壳(1)的顶板设置有第一通孔(14),所述第一通孔(14)与所述容置腔连通,所述第一通孔(14)位于所述磁盘组(2)朝所述第一开口(11)方向上的斜上方。6.根据权利要求5所述的磁分离装置,其特征在于,所述第一通孔(14)朝向所述第一开口(11)的侧壁向下延伸有延伸部(141),所述第一孔板(3)与所述延伸部(141)固定连接。7.根据权利要求3所述的磁分离装置,其特征在于,所述第二孔板(4)位于所述第三隔板(133)上方,所述第二孔板(4)的长度方向与所述机壳(1)的宽度方向一致,所述第二孔板(4)长度方向的两端分别延伸至所述机壳(1)在宽度方向上的两个内壁,所述第二孔板(4)高度方向的一端向下延伸至所述第三隔板(133)。8.根据权利要求7所述的磁分离装置,其特征在于,所述第二孔板(4)的一侧设置有调节板(5),所述调节板(5)能够被调节的上下移动。9.根据权利要求8所述的磁分离装置,其特征在于,所述第二孔板(4)与所述机壳(1)设有所述第二开口(12)的内壁固定连接,所述机壳(1)在宽度方向上的两个内壁分别设置有限位条(15),所述限位条(15)位于所述第二孔板(4)远离所述第二开口(12)的一侧,所述限位条(15)竖直设置,所述调节板(5)位于所述限位条(15)与所述第二孔板(4)之间,所述调节板(5)与所述机壳(1)的顶板通过丝杆(6)可调节连接。10.根据权利要求7所述的磁分离装置,其特征在于,所述第三隔板(133)包括第一部分
(1331)和第二部分(1332),所述第一部分(1331)与所述第二隔板(132)连接,所述第二部分(1332)与所述机壳(1)设有所述第二开口(12)的内壁连接,所述第二部分(1332)低于所述第一部分(1331),所述第二孔板(4)位于所述第一部分(1331)上方,所述第二孔板(4)高度方向的一端向下延伸至所述第一部分(1331)。

技术总结
本实用新型公开一种磁分离装置,其包括机壳、磁盘组、第一孔板和第二孔板,所述机壳内具有容置腔,所述机壳在长度方向的两侧分别设置有第一开口和第二开口,所述第一开口和所述第二开口分别与所述容置腔连通,所述磁盘组可转动的设置在所述容置腔内,所述磁盘组的轴线方向与所述机壳的宽度方向一致,所述第一孔板设置在所述磁盘组与所述第一开口之间,所述第二孔板设置在所述磁盘组与所述第二开口之间,所述第一孔板和所述第二孔板上分别设置有若干个透水孔。本申请的磁分离装置,其在入水口和出水口位置分别设置有孔板,可以使得流过磁盘组的水流更加均匀,避免渣料堆积,提高磁吸附效果,还可以调节水流大小,进而控制磁分离装置内的液面高度。置内的液面高度。置内的液面高度。


技术研发人员:许爱华 何学军 李玉贤 李印国
受保护的技术使用者:苏州必源环保工程有限公司
技术研发日:2021.10.29
技术公布日:2022/4/15
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