一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构
技术领域
1.本实用新型涉及芯片技术领域，具体为一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构。
背景技术：
2.mosfet全称metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor，中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或mos管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。mosfet芯片在在功率转换、过载保护上发挥着重要作用，例如type-c接口的快充接口，并且充电电流也越来越高。此类充电接口对封装产品的外形尺寸要求较高，sot23-6l封装外形尺寸较小，体积为2.9*2.8*1.1mm(长*宽*厚)，适用于此类小微型的电子产品中。
3.目前对于sot23-6l小体积mosfet芯片产品来讲，电流越大mosfet芯片面积越大，对引线框架基岛尺寸和可靠性要求越高。一般sot23-6l封装引线框架基岛左右位置有两排引线管脚，限制了基岛尺寸和承载芯片能力；其次mosfet芯片底部是d极电路，对产品分层现象比较敏感，容易造成产品失效，基岛尺寸也限制了抗分层功能的设计；另外mosfet芯片因为要承载较大电流，封装键合时线材直径达到40微米左右，对键合速度也有较大影响。
技术实现要素：
4.本实用新型的目的在于提供一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，包括mosfet芯片以及基岛，所述mosfet芯片安装在基岛的中心位置，基岛上侧设置有pin5脚位，基岛下侧设置有pin2脚位，基岛上右侧设置有pin6脚位，基岛下右侧设置有pin1脚位，基岛上左侧通过焊线连接有pin4脚位，基岛下左侧通过焊线连接有pin3脚位。
6.优选的，所述基岛上开设有锁定孔，且锁定孔设置在基板b靠右的位置。
7.优选的，所述基岛上开设有锁定孔，锁定孔设置在基板b靠右的位置，且锁定孔由一个长方形和两个半圆构成。
8.优选的，所述基岛上开设有锁定孔，锁定孔设置在基板b靠右的位置，且锁定孔由三个圆形构成。
9.优选的，所述基岛上开设有锁定孔，锁定孔设置在基板b靠右的位置，且锁定孔由三个三角形构成。
10.优选的，所述基岛在保证产品功能的基础上，将pin1脚位和pin6脚位与基岛合并连接。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
12.(1)该一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，在保证产品功能的基
础上，将pin1脚位和pin6脚位与基岛合并连接，基岛承载芯片尺寸能力提高20％。
13.(2)该一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，取消了原基岛与pin1脚位和pin6脚位的焊线连接，提高了50％的键合效率。
14.(3)该一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，基岛右侧增加锁定孔，当有塑封料注入时，锁定孔与塑封料形成锁扣型结构，增强了基岛部分与塑封体部分的结合强度，进而增强整体产品的抗分层能力。
附图说明
15.图1为原引线框架结构示意图；
16.图2为本实用新型实施例一、二的引线框架结构；
17.图3为本实用新型实施例三的引线框架结构；
18.图4为本实用新型实施例四的引线框架结构。
19.图中：a基岛；b mosfet芯片；e焊线；f锁定孔；g pin1脚位；h pin6脚位。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.实施例一：
22.请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，包括mosfet芯片b以及基岛a，所述mosfet芯片b安装在基岛a的中心位置，基岛a上侧设置有pin5脚位，基岛a下侧设置有pin2脚位，基岛a上右侧设置有pin6脚位h，基岛a下右侧设置有pin1脚位g，基岛a上左侧通过焊线e连接有pin4脚位，基岛a下左侧通过焊线e连接有pin3脚位。在保证产品功能的基础上，将pin1脚位和pin6脚位与基岛合并连接。
23.进一步的，所述基岛a上开设有锁定孔f，且锁定孔f设置在基板b靠右的位置。
24.实施例二：
25.请参阅图1-2，在实施例一的基础上，所述基岛a上开设有锁定孔f，锁定孔f设置在基板b靠右的位置，且锁定孔f由一个正方形和两个半圆构成，锁定孔f宽度为0.15mm，长度为0.5mm。
26.实施例三：
27.请参阅图1和图3，在实施例一的基础上，所述基岛a上开设有锁定孔f，锁定孔f设置在基板b靠右的位置，且锁定孔f由三个圆形构成，锁定孔f直径为0.15mm。
28.实施例四：
29.请参阅图1和图4，在实施例一的基础上，所述基岛a上开设有锁定孔f，锁定孔f设置在基板b靠右的位置，且锁定孔f由三个三角形构成。
30.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修
改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征：
1.一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，包括mosfet芯片b以及基岛a，其特征在于：所述mosfet芯片b安装在基岛a的中心位置，基岛a上侧设置有pin5脚位，基岛a下侧设置有pin2脚位，基岛a上右侧设置有pin6脚位h，基岛a下右侧设置有pin1脚位g，基岛a上左侧通过焊线e连接有pin4脚位，基岛a下左侧通过焊线e连接有pin3脚位。2.根据权利要求1所述的一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，其特征在于：所述基岛a上开设有锁定孔f，且锁定孔f设置在基板b靠右的位置。3.根据权利要求1所述的一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，其特征在于：所述基岛a上开设有锁定孔f，锁定孔f设置在基板b靠右的位置，且锁定孔f由一个长方形和两个半圆构成。4.根据权利要求1所述的一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，其特征在于：所述基岛a上开设有锁定孔f，锁定孔f设置在基板b靠右的位置，且锁定孔f由三个圆形构成。5.根据权利要求1所述的一种高效高可靠性sot23-6封装mosfet引线框架结构，其特征在于：所述基岛a上开设有锁定孔f，锁定孔f设置在基板b靠右的位置，且锁定孔f由三个三角形构成。
技术总结
本实用新型公开了一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结构，涉及芯片技术领域。该一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结构，包括MOSFET芯片以及基岛，所述MOSFET芯片安装在基岛的中心位置，基岛上侧设置有Pin5脚位，基岛下侧设置有Pin2脚位，基岛上右侧设置有Pin6脚位，基岛下右侧设置有Pin1脚位，基岛上左侧通过焊线连接有Pin4脚位，基岛下左侧通过焊线连接有Pin3脚位。在保证产品功能的基础上，将Pin1脚位和Pin6脚位与基岛合并连接，基岛承载芯片尺寸能力提高20％；取消了原基岛与Pin1脚位和Pin6脚位的焊线连接，提高了50％的键合效率。提高了50％的键合效率。提高了50％的键合效率。
技术研发人员：陈侠 陈明 蒙嘉源 黄祥 田沁丰
受保护的技术使用者：深圳电通纬创微电子股份有限公司
技术研发日：2021.10.28
技术公布日：2022/4/13
再多了解一些
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