电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备与流程

1.本公开涉及电子装置和生产该电子装置的方法、成像方法和成像设备。


背景技术：

2.近年来，包括有机半导体的光电转换装置已被开发并已在市场上可得。
3.目前，广泛可得的光电转换装置如电子照相感光体大多是由有机材料形成的有机电子装置。然而，有机电子装置具有下列问题：与无机电子装置相比，有机电子装置的使用寿命较短。使用寿命短的原因之一是有机电子装置中包括的有机材料导致的阻气性差。与无机材料的致密膜相比，有机材料树脂膜具有很多间隙。因此，将食品包裹材料(如聚丙烯(pp))与铝层压以增强内容物的耐候性。
4.作为与硅系太阳能电池相比低成本的有机太阳能电池，已开发了包括有机增感染料的染料增感太阳能电池。
5.然而，由于染料增感太阳能电池包括作为有机材料的有机增感染料，与硅系太阳能电池相比，应用材料趋于因温度、湿度和气体(例如，氧气、臭氧、nox、氨气)而劣化，因此染料增感太阳能电池的功能趋于退化。因此，染料增感太阳能电池具有与硅系太阳能电池相比耐久性差的问题。
6.在显示元件如有机电致发光(el)元件、发光二极管显示元件、液晶显示元件、和电泳墨显示元件中，显示元件，如夹在正极和负极之间的有机el层，被层压在基板上。与液晶显示装置相比，有机el显示装置具有广视角和高响应速度，并且因此由于有机材料具有的发光多样性而预期成为下一代显示装置。
7.作为有机el元件的形成方法，鉴于生产力和成本，采用利用涂覆的形成方法。此外，有机el元件趋于因暴露于热或气体(如水分和氧气)而劣化。因此，存在有机el元件的使用寿命短的问题。
8.已尝试提高阻气性以延长有机电子装置如用于打印机的电子照相感光体、染料增感太阳能电池和有机el元件的使用寿命。然而，工艺数量大，这对有机电子装置造成不利影响，因此成本和耐久性之间的平衡存在改善空间。
9.作为具有优越耐磨性和图像性质稳定性的电子照相感光体，例如，提出了包括保护层的电子照相感光体，该保护层包括用表面处理剂处理的p型半导体颗粒(参见例如ptl 1)。
10.作为使用寿命长、效率提高并且驱动电压低的有机el元件，例如提出了这样的有机el元件：其中有机el元件的有机空穴传输层被替换为无机p型半导体(参见例如ptl 2)。
11.此外，提出了层压材料，其中100微米以下的颗粒材料如陶瓷材料和金属材料通过气溶胶沉积而在基板上形成膜，以形成多晶脆性材料层(参见例如ptl 3)。
12.通过设置包括p型半导体的金属氧化物作为表面层可以提高阻气性。作为金属氧化物的成膜，具有优越大宗(bulk)生产力的气溶胶沉积被适当地应用。当原料粉末的流动性差时，金属氧化物的成膜趋于不均匀，工艺能力不足，因此作为工业产品的大量生产不可
实现。
13.引用列表
14.专利文献
15.ptl 1：日本专利号5664538
16.ptl 2：日本未审查专利申请公开号2000-150166
17.ptl 3：日本未审查专利申请公开号2008-201004


技术实现要素：

18.技术问题
19.本公开的一个目的是提供可以抑制金属氧化物层的成膜不均并且具有金属氧化物层厚度高度均匀性的电子装置。
20.问题解决方案
21.根据本公开的一个方面，电子装置包括：载体；包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；和金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方，其中金属氧化物层包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒，并且金属氧化物层中包括的二氧化硅或金属氧化物颗粒的量为相对于金属氧化物层0.5质量％以上但1.5质量％以下。
22.本发明的有利效果
23.本公开可以提供可以抑制金属氧化物层成膜不均并且具有金属氧化物层厚度高度均匀性的电子装置。
附图说明
24.[图1]图1是示例本公开的成像设备的一个实例的示意结构图。
[0025]
[图2]图2是示例本公开的成像设备的另一实例的示意结构图。
[0026]
[图3]图3是示例本公开的成像设备中的成像单元的一个实例的示意结构图。
[0027]
[图4]图4是示例本公开的成像设备的另一实例的示意结构图。
[0028]
[图5]图5是示例本公开的成像设备的另一实例的示意结构图。
[0029]
[图6]图6是示例本公开的电子装置(电子照相感光体)的一个实例的横截面图。
[0030]
[图7]图7是示例本公开的电子装置(太阳能电池)的一个实例的横截面图。
[0031]
[图8]图8是示例本公开的电子装置(有机el元件)的一个实例的横截面图。
[0032]
[图9]图9是示例本公开的用于形成金属氧化物层的气溶胶沉积装置的一个实例的示意结构图。
[0033]
[图10a]图10a是描绘成膜陶瓷的一个实例的照片。
[0034]
[图10b]图10b是描绘成膜陶瓷的一个实例的照片。
[0035]
[图10c]图10c是描绘成膜陶瓷的一个实例的照片。
具体实施方式
[0036]
《电子装置》
[0037]
本公开的电子装置包括：载体；包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；和金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方。金属氧化物层包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒。金属氧化物层中包括的二氧化硅或金属氧化物颗粒的量为相对于金属氧化物层0.5质量％以上但1.5质量％以下。
[0038]
电子装置没有具体限制并且可以根据预期目的适当地选择。电子装置的实例包括诸如电子照相感光体、太阳能电池、有机电致发光(el)元件、晶体管、集成电路、激光二极管和发光二极管的装置。
[0039]
此外，本公开的电子装置是基于以下见解而完成的。即，存在这样的情况：本领域已知的电子装置可能不具有金属氧化物层厚度的高度均匀性(厚度变异(变动，variations)较少)，其中抑制金属氧化物层的成膜不均。
[0040]
根据包括p型半导体的金属氧化物利用本领域已知的气溶胶沉积而进行的成膜，当原料粉末的流动性差时，金属氧化物的形成趋于不均匀，并且工艺能力不足，因此其作为工业产品大量生产不可实现。
[0041]
本公开包括电荷传输层或增感染料电极层上的金属氧化物层，其中金属氧化物层包括金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒，该金属氧化物包括p型半导体。因此，可以抑制金属氧化物层的成膜不均，并且可以提供金属氧化物层厚度具有高度均匀性且抑制成膜不均的电子装置。
[0042]
在ptl 1(日本专利号5664538)的提案中，保护层包括陶瓷作为p型半导体，但该陶瓷不是膜形式，而是颗粒半导体形式。ptl 1的图1示例了颗粒半导体分散在保护层中的概念图。此处的膜形式表示图10a、10b和10c中所见的最白表层的实施方式。
[0043]
ptl2(日本未审查专利申请公开号2000-150166)公开了使用包括无机p型半导体的空穴传输层，但ptl 2未公开空穴传输层包括二氧化硅。
[0044]
在ptl 3(日本未审查专利申请公开号2008-201004)的提案中，形成了由颗粒形成的致密多晶脆性材料层，但ptl 3未公开该颗粒中包括二氧化硅。
[0045]
《金属氧化物层》
[0046]
金属氧化物层包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒。在本公开中，p型半导体金属氧化物优选为铜铁矿氧化物。
[0047]
《《铜铁矿氧化物》》
[0048]
铜铁矿氧化物(下文可称为“p型半导体”或“p型金属化合物半导体”)没有具体限制并且可以根据预期目的适当地选择，只要该铜铁矿氧化物具有作为p型半导体的功能。铜铁矿氧化物的实例包括p型金属氧化物半导体、包括一价铜的p型金属化合物半导体以及其它p型金属化合物半导体。
[0049]
p型金属氧化物半导体的实例包括：coo、nio、feo、bi2o3、moo2、mos2、cr2o3、srcu2o2、和cao-al2o3。
[0050]
包括一价铜的p型金属化合物半导体的实例包括：cui、cuinse2、cu2o、cuscn、cus、cuins2、cualo、cualo2、cualse2、cugao2、cugas2、和cugase2.
[0051]
其它p型金属化合物半导体的实例包括：gap、gaas、si、ge、和sic。
[0052]
在以上列出的实例中，鉴于电荷迁移率和透光性，铜铝氧化物如cualo和cualo2是
可优选的。
[0053]
《《二氧化硅》》
[0054]
本公开的金属氧化物层中包括的二氧化硅可以被适当地合成以使用，或者可以选自商业产品。商业产品的实例包括reolosil zd-30s(可得自tokuyama corporation)、hdk h-2000(可得自wacker asahikasei silicone co.,ltd.)和aerosil r976和aerosil ra200hs(可得自nippon aerosil co.,ltd.)。
[0055]
二氧化硅优选为颗粒形式。二氧化硅颗粒的体积平均粒径优选为1微米以上但50微米以下。
[0056]
二氧化硅颗粒的平均粒径可以通过可得自microtracbel corp.的粒度分布分析仪mt3300ex等测量。
[0057]
金属氧化物层中包括的二氧化硅的量为，相对于金属氧化物层，0.5质量％以上但1.5质量％以下，优选为0.7质量％以上但1.3质量％以下。当二氧化硅的量在上述范围内时，可以抑制金属氧化物层的成膜不均，并且可以获得金属氧化物层厚度具有高度均匀性的电子装置。
[0058]
《《金属氧化物颗粒》》
[0059]
本公开的金属氧化物层中包括的金属氧化物颗粒的实例包括氧化铝、钛酸钡、氧化铬、氧化铜、铁氧化物、氧化镁、氧化锰、钛酸锶、氧化锡、氧化钛、氧化锌、和氧化锆。
[0060]
金属氧化物颗粒可以被适当地合成以使用，或者可以选自商业产品。商业产品的实例包括氧化铝akp-50(可得自sumitomo chemical company,limited)、氧化铝akp-20(可得自sumitomo chemical company,limited)、氧化铝tm-dar(可得自taimei chemicals co.,ltd.)和氧化锌sf-10(可得自sakai chemical industry co.,ltd.)。
[0061]
金属氧化物颗粒的体积平均粒径优选是具有p型半导体的金属氧化物颗粒(基础颗粒)的尺寸的1/100至1/10，更优选为1微米以上但3微米以下。
[0062]
金属氧化物颗粒的体积平均粒径可以通过与二氧化硅颗粒的测量方法相同的方法测量。
[0063]
金属氧化物层中包括的金属氧化物颗粒的量为，相对于金属氧化物层，0.5质量％以上但1.5质量％以下，优选为0.7质量％以上但1.3质量％以下。当金属氧化物颗粒的量在上述范围内时，可以抑制金属氧化物层的成膜不均，并且可以获得金属氧化物层厚度具有高度均匀性的电子装置。
[0064]
《《金属氧化物层的厚度》》
[0065]
在本公开中，金属氧化物层的平均厚度优选为1.2微米以上但1.8微米以下。更优选地，金属氧化物层的平均厚度为1.2微米以上但1.8微米以下，并且金属氧化物层厚度的标准偏差为0.07微米以下。
[0066]
在作为本公开的电致变色装置实施方式的电子照相感光体的情况下，例如，感光体的厚度在长度为380mm并且外径为100mm的圆柱形感光鼓的5个点处测量，其中这5个点沿长度方向从距感光鼓边缘100mm的位置到距其边缘300mm的位置以50mm的间隔取得。上述厚度测量对20个感光鼓进行，以获得总共100个点的厚度数据。厚度测量通过根据日本专利号5521607所述的利用光干涉的方法进行。确定标准偏差以及由所得数据的平均值确定厚度。
[0067]
当金属氧化物层的平均厚度为1.2微米以上但1.8微米以下时，其是有利的，因为
可以形成耐磨性和静电性之间具有优越平衡且使用寿命长久的高质量打印图像。此外，当金属氧化物层厚度的标准偏差为0.07微米以下时，其是有利的，因为打印图像具有优越的层次(gradation)再现性，这影响人体肌肤或风景的打印图像的表观的。
[0068]
《《工艺能力》》
[0069]
此外，根据以下等式(1)～(3)由所得厚度平均值和标准偏差计算工艺能力指数cpk。工艺能力指数是评价厚度的算术平均值x相对于标准中值的偏移程度的值。cpk较大意为生产稳定质量的电子装置的能力较高。
[0070]
[数学1]
[0071]
cpk＝cp(1-k)
ꢀꢀꢀ
(1)
[0072]
[数学2]
[0073][0074]
[数学3]
[0075][0076]
在以上等式中，usl为标准的上限值，lsl为标准的下限值，x为厚度的算术平均值，并且σ为标准偏差。此外，cp是6σ与标准宽度之间的比较，6σ表示成膜工艺中的变异。
[0077]
《金属氧化物层的生产》
[0078]
金属氧化物层的生产方法(成膜方法)没有具体限制，并且可以适当地选自一般采用的无机材料成膜方法。其实例包括蒸镀法、液相生长法和固相生长法。
[0079]
蒸镀法被分类为例如物理蒸镀法(pvd)和化学蒸镀法(cvd)。
[0080]
物理蒸镀法的实例包括真空蒸镀、电子束蒸镀、激光磨削、激光磨削mbe、mombe、反应性蒸镀、离子镀敷、簇状离子束、辉光放电溅射(glow discharge sputtering)、离子束溅射和反应性溅射。
[0081]
化学蒸镀法的实例包括热cvd、mocvd、rf等离子体cvd、ecr等离子体cvd、光cvd和激光cvd。
[0082]
液相生长法的实例包括lpe、电镀、无电镀敷和涂覆。
[0083]
固相生长法的实例包括spe、重结晶、制图外延法(graphoepitaxy)、lb法、溶胶-凝胶法和气溶胶沉积(ad)。
[0084]
在以上列出的实例中，ad是优选的，因为ad不会不利地影响诸如电子照相感光体的相对大面积的膜的均匀成膜或电子照相感光体的性质。
[0085]
《《气溶胶沉积(ad)》》
[0086]
气溶胶沉积(ad)是将预先制备的颗粒或微颗粒与气体混合以形成气溶胶并通过喷嘴将气溶胶喷射到成膜目标(基板)以形成膜的技术。
[0087]
作为ad的特性，成膜可以在室温环境下进行，并且成膜可以在原料的晶体结构保
持基本上相同的状态下进行。因此，ad适用于在电子装置(特别是电子照相感光体)上进行的成膜。
[0088]
将描述按照气溶胶沉积形成金属氧化物层的方法。
[0089]
在这种方法中，使用图9示例的气溶胶沉积装置。图9示例的气瓶110储存用于生成气溶胶的惰性气体。气瓶110通过管道120a与气溶胶生成器130连接，并且管道120a在气溶胶生成器130内部被导向。一定量的由金属氧化物或半导体化合物形成的颗粒200被置于气溶胶生成器130内中。连接至气溶胶生成器130的另一管道120b与成膜室140内的喷射喷嘴150联接。
[0090]
在本公开中，由p型半导体金属氧化物和二氧化硅形成的颗粒200被引入气溶胶生成器130中并生成气溶胶，并且所生成的气溶胶通过管道120b被引导至喷嘴150。可选地，p型半导体金属氧化物和二氧化硅的气溶胶由其中包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅的气溶胶生成器(未示例)生成，以及二氧化硅的气溶胶由其中包括二氧化硅的气溶胶生成器(未示例)生成，并且所生成的气溶胶通过管道被传输并分别从2个喷嘴朝基板以高速喷射。
[0091]
在成膜室140内，基板160由基板保持件170保持以面向喷射喷嘴150。作为基板160，可以使用圆筒状导电性载体或电子装置，如感光体、太阳能电池、和el元件。用于调节成膜室140内的真空度的排气泵180通过管道120c与成膜室140连接。
[0092]
虽然未示例，但本实施方式的用于形成电极的成膜装置包括被配置以在利用旋转单元170a使基板保持件170旋转时使喷射喷嘴150以高速横向移动的系统。通过横向移动喷射喷嘴150进行成膜，可以在基板160上形成期望面积的金属氧化物层。
[0093]
在形成金属氧化物层的过程中，首先，关闭压缩阀190，以利用排气泵180使从成膜室140到气溶胶生成器130的内部气氛形成真空。接下来，打开压缩阀190以将气瓶110内的气体通过管道120a引入气溶胶生成器130中，以使颗粒200分散在容器内。由此，生成颗粒200分散在气体中的状态下的气溶胶。所生成的气溶胶通过管道120b由喷嘴150朝基板160以高速喷射。在压缩阀190打开的状态下时间经过0.5秒时，接下来0.5秒关闭压缩阀190。此后，再次打开压缩阀190，并且以0.5秒的周期重复压缩阀190的打开和关闭。来自气瓶110的气体的流速为5l/min，成膜持续时间为1小时，压缩阀190关闭时成膜室140内的真空度为约10pa，并且压缩阀190打开时成膜室140内的真空度为约100pa。
[0094]
气溶胶的喷射速度由喷嘴150的形状、管道120b的长度或内径、气瓶110的内部气压或排气泵180排出的气体量(成膜室140的内部压力)控制。当气溶胶生成器130的内部压力为数万pa，成膜室140的内部压力为数十至数百pa，并且喷嘴150的开口形状为具有1mm内径的圆形时，例如，通过气溶胶生成器130与成膜室140之间的内部压力差可以将气溶胶的喷射速度设定为每秒数百米。当成膜室140的内部压力保持至5pa至100pa的范围并且气溶胶生成器130的内部压力保持至50,000pa时，可以形成具有5％至30％的孔隙率的金属氧化物层。金属氧化物层的平均厚度优选地被调节至0.1微米至10微米的范围——通过在上述条件下调节气溶胶的供应持续时间。
[0095]
可以将金属氧化物层的平均厚度调节至相对于各电子装置的合适厚度。
[0096]
在作为电子装置实例的电子照相感光体的情况下，作为获得电子装置耐久性和高打印质量的最佳模式的条件，金属氧化物层的优选平均厚度为1.2微米至1.8微米。
[0097]
气溶胶中通过加速获得动能的颗粒200被压碎到基板160中，并且颗粒200通过碰
撞能量被精细地粉碎。当粉碎颗粒结合到基板160并且粉碎颗粒彼此结合时，金属氧化物层被顺序地形成在电荷传输层上。
[0098]
成膜通过利用线图案的几次图案化或感光鼓的旋转来进行。通过在基板160上沿纵向方向和横向方向扫描基板(鼓)保持件170或喷射喷嘴150，来形成期望面积的金属氧化物层。
[0099]
《电子照相感光体》
[0100]
本公开的电子装置的实施方式是电子照相感光体。
[0101]
电子照相感光体(下文可称为“感光体”)包括作为载体的导电性载体；电荷传输层，其包括电荷传输材料，其中电荷传输层被设置在导电性载体上或上方；和金属氧化物层，其被设置在电荷传输层上或上方。电子照相感光体进一步包括电荷生成层，并且可以根据需要进一步包括其它层，例如中间层和保护层。
[0102]
作为该金属氧化物层，适当地使用上述金属氧化物层。
[0103]
注意，其中电荷生成层和电荷传输层被顺序地层压的层可以称为感光层。
[0104]
以下将描述电子装置是电子照相感光体的实例，但是电子装置的实例不限于电子照相感光体，并且本公开还可以应用于其它电子装置。
[0105]
将参考图6描述作为电子照相感光体的电子装置10a的结构。图6是示例电子照相感光体的一个实例的横截面图。
[0106]
图6中示例了电子照相感光体的实施方式。在图6的实施方式中，电子照相感光体10a包括依如下顺序设置在导电性载体51上的中间层52、电荷生成层53、电荷传输层54、硅酮硬涂层55和金属氧化物层56。中间层52和硅酮硬涂层55可以被任意省略。
[0107]
《《载体(导电性载体)》》
[0108]
导电性载体没有具体限制并且可以根据预期目的适当地选择，只要导电性载体呈现体积电阻值为10
10
ohm
·
cm以下的导电性。其实例包括：通过蒸镀或溅射用金属(例如，铝、镍、铬、镍铬合金、铜、银、金、铂和铁)或氧化物(例如，氧化锡和氧化铟)涂覆的膜或圆柱形塑料或纸；和通过诸如牵引熨烫(drawing ironing)、冲击熨烫(impact ironing)、挤出熨烫(extruded ironing)、挤出牵引(extruded drawing)和机械加工的方法，然后进行表面处理如机械加工、超精加工(superfinishing)和研磨来将铝、铝合金、镍、不锈钢等板材变成管而获得的管。
[0109]
《《中间层》》
[0110]
电子照相感光体可以包括设置在导电性载体和感光层之间的中间层。设置中间层是出于改善粘附性、防止摩尔纹、改善上层的涂覆性以及防止从导电性载体注入电荷的目的。
[0111]
中间层一般包括树脂作为主要组分。由于在中间层上施加感光层，中间层中使用的树脂优选为难溶于有机溶剂的热固性树脂。在热固性树脂中，聚氨酯、三聚氰胺树脂和醇酸-三聚氰胺树脂较优选作为用于中间层的树脂，因为以上列出的树脂中的多种实现了上述目的。
[0112]
有机溶剂的实例包括四氢呋喃、环己酮、二恶烷、二氯乙烷和丁酮。中间层的涂覆材料可以通过用有机溶剂适当地稀释树脂来制备。
[0113]
此外，为调节导电性或防止摩尔纹，可以将金属、金属氧化物等的颗粒添加到中间
层。金属氧化物优选为氧化钛或氧化锌。中间层的涂覆材料可以通过以下制备：通过球磨机、磨碎机、砂磨机等使颗粒分散在有机溶剂中来制备分散液，以及将分散液和树脂组分混合。
[0114]
中间层的生产方法(成膜方法)的实例包括：通过浸涂、喷涂、珠涂等将涂覆材料施加在导电性载体上而成膜的方法，以及任选地加热所得膜以固化的方法。中间层的平均厚度通常适当地为约2微米至约20微米。当感光体的残留电位过度累积时，中间层的平均厚度可以小于3微米。
[0115]
《《感光层》》
[0116]
感光体的感光层是层压感光层，其中电荷生成层和电荷传输层被依此顺序层压。
[0117]
《《电荷生成层》》
[0118]
电荷生成层是层压感光层的一部分。具有因曝光而生成电荷的功能的电荷生成层包括电荷生成材料作为主要组分，并且可以根据需要进一步包括粘合剂树脂。电荷生成材料的实例包括无机电荷生成材料和有机电荷生成材料。
[0119]
无机电荷生成材料的实例包括晶体硒、非晶硒、硒-碲、硒-碲-卤素、硒-砷化合物和非晶硅。作为非晶硅，优选地使用其中悬空键终止于氢原子或卤素原子的非晶硅，以及掺杂有硼原子、磷原子等的非晶硅。
[0120]
作为有机电荷生成材料，可以使用已知的材料。其实例包括：金属酞菁，如钛氧基酞菁和氯镓酞菁；无金属酞菁；薁盐颜料；方酸次甲基颜料；具有咔唑骨架的对称或不对称偶氮颜料；具有三苯胺骨架的对称或不对称偶氮颜料；具有芴酮骨架的对称或不对称偶氮颜料；和苝系颜料。在以上列出的实例中，金属酞菁、具有芴酮骨架的对称或不对称偶氮颜料、具有三苯胺骨架的对称或不对称偶氮颜料和苝系颜料是优选的，因为电荷生成的量子效率极高。以上列出的电荷生成材料可以单独使用或组合使用。
[0121]
粘合剂树脂的实例包括聚酰胺、聚氨酯、环氧树脂、聚酮、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、硅酮树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯基酮、聚苯乙烯、聚-n-乙烯基咔唑和聚丙烯酰胺。
[0122]
在以上列出的实例中，聚乙烯醇缩丁醛是通常使用的并且是有效的。以上列出的粘合剂树脂可以单独使用或组合使用。
[0123]
《《电荷生成层的生产方法》》
[0124]
电荷生成层的生产方法大致分为真空薄膜形成法和溶液分散系统的铸造法。
[0125]
真空薄膜形成法的实例包括真空蒸镀、辉光放电分解、离子镀敷、溅射、反应性溅射和化学蒸镀(cvd)。以上列出的方法适用于生产由无机电荷生成材料或有机电荷生成材料形成的层。
[0126]
作为通过铸造法进行的电荷生成层的生产方法，使无机电荷生成材料或有机电荷生成材料任选地与粘合剂树脂一起通过球磨机、磨碎机、砂磨机等分散在有机溶剂中，以制备分散液，将分散液适当地稀释并涂覆所得物。
[0127]
有机溶剂的实例包括四氢呋喃、环己酮、二恶烷、二氯乙烷和丁酮。在以上列出的实例中，甲基乙基酮、四氢呋喃和环己酮是优选的，因为上述溶剂与氯苯、二氯甲烷、甲苯和二甲苯相比具有低环境负荷。
[0128]
涂覆可以通过浸涂、喷涂、珠涂等进行。
[0129]
电荷生成层的平均厚度优选为0.01微米至5微米。
[0130]
当剩余电位的降低和高灵敏度非常重要时，电荷生成层的厚度增加通常可以改善上述性质。另一方面，厚电荷生成层通常可使带电性如电荷的保留或空间电荷的形成劣化。为平衡上述优点和上述缺点，电荷生成层的平均厚度更优选为0.05微米至2微米。
[0131]
此外，可以将低分子化合物如抗氧化剂、增塑剂、润滑剂和uv吸收剂以及流平剂任选地添加到电荷生成层。以上列出的化合物可以单独使用或组合使用。当低分子化合物和流平剂与电荷生成层的其它组分组合使用时，灵敏度可通常劣化。因此，低分子化合物和流平剂的量总体上优选为0.1phr至20phr，更优选为0.1phr至10phr。流平剂的使用量优选为0.001phr至0.1phr。
[0132]
《《电荷传输层》》
[0133]
电荷传输层是层压感光层的一部分，并且具有注入和传输电荷生成层中生成的电荷以中和带电感光体的表面电荷的功能。电荷传输层包括电荷传输材料和将电荷传输材料粘合的粘合剂组分作为主要组分。
[0134]
电荷传输材料包括电子传输材料和空穴传输材料。
[0135]
电子传输材料的实例包括电子接受性材料，如不对称联苯醌衍生物、芴衍生物和萘酰亚胺衍生物。以上列出的电子传输材料可以单独使用或组合使用。
[0136]
作为空穴传输材料，优选地使用电子供应性材料。其实例包括恶唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、9-(对二乙基氨基苯乙烯基蒽)、1,1-双-(4-二苄基氨基苯基)丙烷、苯乙烯基蒽、苯乙烯基吡唑啉、苯基腙、α-苯基芪衍生物、噻唑衍生物、三唑衍生物、非那定(fenadine)衍生物、吖啶衍生物、苯并呋喃衍生物、苯并咪唑衍生物和噻吩衍生物。以上列出的空穴传输材料可以单独使用或组合使用。
[0137]
粘合剂组分的实例包括热塑性或热固性树脂，如聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、硅酮树脂、氟树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、尿烷树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。在以上列出的实例中，聚苯乙烯、聚酯、聚丙烯酸酯和聚碳酸酯有效地用作电荷传输组分的粘合剂组分，因为其中多种呈现优越的电荷传输性质。
[0138]
当电惰性聚合物化合物用于电荷传输层的改性时，具有大骨架的cardo聚合物型聚酯，如芴、聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯)、其中双酚聚碳酸酯如c型聚碳酸酯的酚组分的3,3'位被烷基取代的聚碳酸酯、其中双酚a的偕甲基被具有2个以上碳原子的长链烷基取代的聚碳酸酯、具有联苯基或联苯醚骨架的聚碳酸酯、聚己内酯、具有长链烷基骨架的聚碳酸酯，如聚己内酯(例如，被公开于日本未审查专利申请公开号07-292095)、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、氢化丁二烯等是有效的。
[0139]
在本说明书中，术语“电惰性聚合物化合物”表示不具有呈现感光性的化学结构如三芳基胺结构的聚合物化合物。当这种树脂作为添加剂与粘合剂树脂联用时，考虑到光减衰灵敏度相关的限制，其量优选为相对于电荷传输层的总固体含量50质量％以下。
[0140]
当使用电荷传输材料时，电荷传输材料的量总体上优选为40phr至200phr，更优选为70phr至100phr。优选使用共聚物，其中树脂组分以如下量共聚：相对于100质量份的电荷传输组分，0质量份至200质量份，优选约80质量份至约150质量份。
[0141]
电荷传输层可以通过以下形成：将包括电荷传输组分和粘合剂组分作为主要组分的混合物或共聚物溶解或分散在适当的溶剂中以制备电荷传输层涂覆材料，以及施加和干
燥该涂覆材料。作为涂覆方法，可以采用浸涂、喷涂、环涂(ring coating)、辊涂机涂覆(roll coater coating)、凹版涂覆、喷嘴涂覆、丝网印刷等。
[0142]
制备电荷传输层涂覆材料时使用的分散溶剂的实例包括：酮类，如甲基乙基酮、丙酮、甲基异丁基酮和环己酮；醚类，如二恶烷、四氢呋喃和乙基溶纤剂(ethyl cellosolve)；芳烃类，如甲苯和二甲苯；卤素类，如氯苯和二氯甲烷；和酯类，如乙酸乙酯和乙酸丁酯。在以上列出的实例中，甲基乙基酮、四氢呋喃和环己酮是优选的，因为所述溶剂与氯苯、二氯甲烷、甲苯和二甲苯相比具有低环境负荷。以上列出的溶剂可以单独使用或组合使用。
[0143]
为确保实践时所需的灵敏度和带电性，电荷传输层的平均厚度优选为10微米至40微米，更优选为15微米至30微米。
[0144]
此外，低分子化合物，如抗氧化剂、增塑剂、润滑剂和uv吸收剂，以及流平剂——其将在下文被描述——可以被任选地添加到电荷传输层。当低分子化合物和流平剂与电荷传输层的其它组分组合使用时，灵敏度通常可劣化。因此，以上列出的化合物的量总体上为0.1phr至20phr，优选为0.1phr至10phr。流平剂的量适当地为约0.001phr至约0.1phr。
[0145]
《《硅酮硬涂层》》
[0146]
硅酮硬涂层通过交联具有羟基或可水解基团的有机硅化合物而形成。硅酮硬涂层可以根据需要进一步包括催化剂、交联剂、有机二氧化硅溶胶、硅烷偶联剂或聚合物如丙烯酸聚合物。
[0147]
交联没有具体限制并且可以根据预期目的适当地选择。交联优选是热交联。
[0148]
具有羟基或可水解基团的有机硅化合物的实例包括具有烷氧基甲硅烷基的化合物、具有烷氧基甲硅烷基的化合物的部分水解缩合物及其混合物。
[0149]
具有烷氧基甲硅烷基的化合物的实例包括：四烷氧基硅烷，如四乙氧基硅烷；烷基三烷氧基硅烷，如甲基三乙氧基硅烷；和芳基三烷氧基硅烷，如苯基三乙氧基硅烷。
[0150]
注意，可以将环氧基、甲基丙烯酰基或乙烯基引入以上列出的化合物中的任一种中。
[0151]
具有烷氧基甲硅烷基的化合物的部分水解缩合物可以通过本领域已知的任何方法，如通过向具有烷氧基甲硅烷基的化合物添加预定量的水、催化剂等以使混合物反应。
[0152]
作为硅酮硬涂层的原料，可以使用商业产品。其具体实例包括gr-coat(可得自daicel corporation)、glass resin(可得自owens corning japan llc.)、无热玻璃(可得自ohashi chemical industries ltd.)、nsc(可得自nippon fine chemical co.,ltd.)、玻璃原液go150sx和go200cl(可得自fine glass technologies co.,ltd.)、以及作为烷氧基甲硅烷基化合物与丙烯酸树脂或聚酯树脂之间的共聚物的mkc硅酸酯(可得自mitsubishi chemical corporation)、和硅酸酯/丙烯酸清漆xp-1030-1(可得自dainippon shikizai kogyo co.,ltd.)。
[0153]
硅酮硬涂层的厚度优选为0.1微米以上但4.0微米以下，更优选为0.3微米以上但1.5微米以下。
[0154]
《《金属氧化物层》》
[0155]
电子照相感光体的金属氧化物层及其生产方法适当地从对本公开的电子装置的金属氧化物层及其生产方法的详细描述中选择。
[0156]
《电子装置的生产方法》
[0157]
本公开的用于生产电子装置的方法是如下电子装置的生产方法：该电子装置包括：载体；包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；和金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方。该方法包括喷涂p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒，以形成金属氧化物层。
[0158]
用于喷涂p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒的方法没有具体限制并且可以根据预期目的适当地选择。该方法优选是气溶胶沉积。
[0159]
《成像设备和成像方法》
[0160]
本公开的成像设备包括电子装置(电子照相感光体)。成像设备进一步包括静电潜像形成单元和显影单元，并且可以根据需要进一步包括其它单元。
[0161]
本公开相关的成像方法至少包括静电潜像形成步骤和显影步骤，并且可以根据需要进一步包括其它步骤。
[0162]
成像方法通过成像设备适当地进行，静电潜像形成步骤通过静电潜像形成单元适当地进行，显影步骤通过显影单元适当地进行，并且上述其它步骤通过上述其它单元适当地进行。
[0163]
《成像设备的实施方式》
[0164]
下文将参考附图描述成像设备的结构实例。
[0165]
图1示例了成像设备的实例。充电装置12是被配置以使电子照相感光体11的表面均匀带电的单元。作为充电装置12，可以使用任何已知的单元，如corotron、scorotron、固态充电器和充电辊。鉴于功耗的降低，充电装置12优选地用于被布置与电子照相感光体11接触或相邻。为防止充电装置12的污染，优选在电子照相感光体11相邻处设置的充电系统，在电子照相感光体11与充电装置12的表面之间具有适当的间隙。一般，上述充电器可以用作转印装置16。作为转印装置16，转印充电器和分离充电器的组合是有效的。
[0166]
电子照相感光体11由驱动单元1c驱动。通过充电装置12进行的充电、通过曝光装置13进行的图像曝光、通过转印装置16进行的显影、转印、通过预清洁曝光装置1b进行的预清洁曝光、通过清洁装置17进行的清洁、通过电荷清除装置1a进行的电荷清除反复执行。润滑剂3a、用于涂覆润滑剂的涂覆刷3b和涂覆刮刀3c沿电子照相感光体11的行进方向被设置在清洁装置17和充电装置12之间，如图1所示例。
[0167]
在图1中，用于预清洁曝光的光从电子照相感光体11的载体这侧施加(在这种情况下，载体是透光的)。
[0168]
上述光电过程是一个实例。例如，预清洁曝光从图1中的载体这侧进行，但预清洁曝光也可以从感光层那侧进行。此外，图像曝光光和电荷清除光的施加可以从载体这侧进行。同时，图像曝光光、预清洁曝光光和电荷清除光被示例作为光照射步骤。然而，除光照射步骤以外，可以进行转印预曝光、图像曝光的预曝光和本领域已知的其它光照射步骤，以对电子照相感光体进行光照射。
[0169]
此外，上述成像单元可以与复印机、传真机或打印机一起固定和整合。可选地，成像单元可以与上述装置中的任意种以处理盒的形式整合。处理盒的形状的多种实例可以被列举，但作为一般实例，图2中示例的形状被列举。电子照相感光体11具有鼓形，但是电子照相感光体11可以是片材或环形带的形状。
[0170]
处理盒至少包括电子照相感光体——其上承载静电潜像、显影单元——被配置以用调色剂使在电子照相感光体上承载的静电潜像显影以形成可视图像、以及润滑剂供应单元——被配置以将润滑剂供应到电子照相感光体上。处理盒可以根据需要进一步包括适当选择的其它单元，如充电单元、曝光单元、转印单元、清洁单元和电荷清除单元。显影单元至少包括显影剂容器——被配置以在其上存储调色剂或显影剂，以及显影剂承载器——被配置以承载和传输存储在显影剂容器中的调色剂或显影剂。显影单元可以进一步包括层厚度调节构件，其被配置以调节承载在显影剂承载器上的调色剂层的厚度。处理盒可以被可拆卸地安装在各种电子照相成像设备、传真机和打印机中，并且特别优选地被可拆卸地安装在本公开的成像设备中。
[0171]
图3示例了成像设备的另一实例。在成像设备中，充电装置12、曝光装置13、黑色(bk)、青色(c)、品红色(m)和黄色(y)显影装置14bk、14c、14m和14y、作为中间转印构件的中间转印带1f和清洁装置17被依此顺序设置在电子照相感光体11的外周。
[0172]
注意，图3中所描绘的字母(bk、c、m和y)表示调色剂的颜色，并且在必要时被适当省略。显影装置14bk、14c、14m、14y的各颜色可以被独立地控制，并且仅用于成像的颜色的显影装置被驱动。通过设置在中间转印带1f内侧的第一转印装置1d，在电子照相感光体11上形成的调色剂图像被转印到中间转印带1f上。
[0173]
第一转印装置1d被设置使得所述第一转印装置1d可以与电子照相感光体11接触，并且中间转印带1f仅在转印操作期间与电子照相感光体11接触。进行各颜色的成像，并且叠加在中间转印带1f上的调色剂图像通过第二转印装置1e被共同转印到打印介质18上，然后通过定影装置19定影以形成图像。第二转印装置1e还被设置使得第二转印装置1e可以与中间转印带1f接触，并且仅在转印操作期间与中间转印带1f接触。
[0174]
在转印鼓系统的成像设备中，被静电吸附到转印鼓的不同颜色的调色剂图像被顺序地转印到打印介质，因此存在转印鼓系统的成像设备不能在厚纸上进行打印的限制。同时，在中间转印系统的成像设备中，如图3所示例，不同颜色的调色剂图像被叠加在中间转印构件1f上。因此，对使用的打印介质没有限制。上述中间转印系统不仅可以应用于图3所示例的装置，还可应用于图1、2、4和5示例的成像设备。
[0175]
润滑剂3a以及用于涂覆润滑剂的涂覆刷3b和涂覆刮刀3c相对于电子照相感光体11的旋转方向被设置在清洁装置17和充电装置12之间，如图3所示例。
[0176]
图4示例了成像设备的另一实例。成像设备利用4色的调色剂，即黄色(y)、品红色(m)、青色(c)和黑色(bk)，并且各颜色的成像单元被设置在成像设备中。此外，设置用于4色的电子照相感光体11y、11m、11c和11bk。在每个电子照相感光体11y、11m、11c或11bk的外周，设置充电装置12y、12m、12c或12bk、曝光装置13y、13m、13c或13bk、显影装置14y、14m、14c或14bk、清洁装置17y、17m、17c或17bk等。
[0177]
此外，传送转印带1g由驱动单元1c保持，所述传送转印带1g是转印材料承载器，其进入和离开沿直线设置的电子照相感光体11y、11m、11c和11bk的各转印位置。转印装置16y、16m、16c和16bk被设置在转印位置处，分别经由传送转印带1g面对电子照相感光体11y、11m、11c和11bk。
[0178]
图4中示例的串联系统成像设备包括各颜色的电子照相感光体11y、11m、11c或11bk，并且所有颜色的调色剂图像被顺序地转印到在传送转印带1g上保持的打印介质上。
因此，与包括仅一个电子照相感光体的全色成像设备相比，串联系统成像设备可以以显著高的速度输出全色图像。在充当转印材料的打印介质18上显影的调色剂图像从电子照相感光体11bk和转印装置16bk彼此面对的位置被传输至定影装置19，并且调色剂图像通过定影装置19被定影在打印介质18上。
[0179]
此外，成像设备可以具有图5示例实施方式中的结构。具体地，可以采用图5中示例的利用中间转印带1f的结构来代替利用图4中示例的利用传送转印带1g的直接转印系统。
[0180]
在图5示例的实例中，成像设备包括各颜色的电子照相感光体11y、11m、11c或11bk，通过电子照相感光体形成的所有颜色的调色剂图像通过作为第一转印单元的一次转印单元1d被顺序地转印并层压到中间转印带1f上，该中间转印带1f由包括辊1c的驱动单元驱动和支撑，从而形成全色图像。
[0181]
接下来，中间转印带1f被进一步驱动，并且其上承载的全色图像被传输至作为第二转印装置的二次转印单元1e和被设置以面对二次转印单元1e的辊的位置。然后，全色图像通过二次转印单元1e被二次转印到转印材料18上，从而在转印材料上形成期望的图像。
[0182]
《太阳能电池》
[0183]
本公开的电子装置的一种实施方式是太阳能电池。
[0184]
太阳能电池包括载体、增感染料电极层——其包括增感染料、以及金属氧化物层——被设置在增感染料电极层上或上方。太阳能电池进一步包括第一电极、空穴阻挡层和第二电极，并且可以根据需要进一步包括其它构件。
[0185]
下文将描述电子装置为太阳能电池的实例，但电子装置不限于太阳能电池，并且可应用于其它电子装置。
[0186]
下文将参考附图描述本公开的太阳能电池(电子装置)。注意，本公开不限于以下描述的实施方式。以下描述的实施方式可以被改变，例如可以采用另外的实施方式，或者可以在本领域技术人员可以实现的范围内对以下描述的实施方式进行添加、矫正或省略，并且任何上述实施方式都被包括在本公开的范围内，只要呈现本公开的功能和效果。
[0187]
太阳能电池(电子装置)包括基板——充当载体、第一电极、空穴阻挡层、电子传输层、增感染料电极层、陶瓷半导体膜——用作金属氧化物层、和第二电极。
[0188]
将参考图7描述电子装置10b的结构，其为太阳能电池。图7是示例太阳能电池的一个实例的横截面图。
[0189]
在图7示例的实施方式中，在充当载体的基板1上形成第一电极2，在第一电极2上形成空穴阻挡层3，在空穴阻挡层3上形成电子传输层，光增感材料5被吸附在电子传输层4的电子传输材料上，并且金属氧化物6被设置在第一电极2和在第一电极2对面的第二电极7之间。此外，在图7中，示例了其中引线8和9被设置以将第一电极2和第二电极7电连接的结构的实例。
[0190]
金属氧化物和电子传输层4可以相互渗透以部分地渗入彼此。
[0191]
下文描述细节。
[0192]
《《载体(基板)》》
[0193]
充当载体的基板1没有具体限制并且可以从本领域已知的基板选择。基板1优选是透明材料。其实例包括玻璃、透明塑料板、透明塑料膜和无机透明晶体。
[0194]
《第一电极》
[0195]
第一电极2没有具体限制，只要第一电极2是对可见光透明的导电性材料。作为第一电极2，可以使用本领域已知的电极，例如一般光电转换元件和液晶面板。
[0196]
第一电极的材料的实例包括氧化铟锡(下文称为ito)、掺氟氧化锡(下文称为fto)、掺锑氧化锡(下文称为ato)、氧化铟锌、氧化铌钛和石墨烯。以上列出的材料可以单独使用或作为层压体组合使用。
[0197]
第一电极的平均厚度优选为5nm至10微米，更优选为50nm至1微米。
[0198]
此外，为保持一定的硬度，第一电极优选地被设置在由对可见光透明的材料形成的基板1上。作为基板，使用例如玻璃、透明塑料板、透明塑料膜、无机透明晶体等。
[0199]
可以使用本领域已知的与基板整合的第一电极。其实例包括fto涂覆玻璃、ito涂覆玻璃、氧化锌：铝涂覆玻璃、fto涂覆透明塑料膜、ito涂覆透明塑料膜。
[0200]
此外，第一电极可以是通过使氧化锡或氧化铟掺杂具有不同价态的阳离子或阴离子而制备的透明电极，以及设置在基板如玻璃基板上的具有可透过光的结构如网或条带的金属电极。
[0201]
以上列出的实例可以单独，或混合，或层压使用。
[0202]
此外，为降低电阻，可以组合使用金属引线等。
[0203]
金属引线的材料的实例包括金属，如铝、铜、银、金、铂和镍。金属引线通过蒸镀、溅射、压接等被设置在基板上，并且其上设置ito或fto。
[0204]
《《空穴阻挡层》》
[0205]
构成空穴阻挡层3的材料没有具体限制，只要该材料是对可见光透明的并且是电子传输材料。其材料特别优选为氧化钛。
[0206]
空穴阻挡层被设置以抑制当电极与电解质空穴阻挡层接触时电解质中的空穴与电极表面存在的电子之间的再结合(即，逆电子传输)引起的电力减少。空穴阻挡层3的上述作用于固体染料增感太阳能电池尤其显著呈现。这是因为，与利用电解质溶液的湿染料增感太阳能电池相比，利用有机空穴传输材料等的固体染料增感太阳能电池具有在空穴传输材料中的空穴与电极表面存在的电子之间的高再结合(逆电子传输)速度。
[0207]
形成空穴阻挡层的方法没有具体限制，但是具有高内阻对于防止由于室内光引起的电流损失是重要的。因此，形成空穴阻挡层的方法也是重要的。其实例一般包括作为湿式成膜的溶胶凝胶法。溶胶凝胶法可能不能充分地防止电流损失。因此，其方法更优选干式成膜，如溅射，并且干式成膜可以提供足够高的膜密度，并且可以防止电流损失。
[0208]
形成空穴阻挡层的目的是防止第一电极2和空穴传输层6之间的电子接触。空穴阻挡层的平均厚度没有具体限制。空穴阻挡层的平均厚度优选为5nm至1微米。在湿式成膜中，其平均厚度更优选为500nm至700nm。在干式成膜中，其平均厚度更优选为10nm至30nm。
[0209]
《《电子传输层》》
[0210]
太阳能电池包括设置在空穴阻挡层3上的多孔电子传输层4。电子传输层可以是单层或多层。
[0211]
电子传输层由电子传输材料形成。作为电子传输材料，优选地使用半导体颗粒。
[0212]
在多层的情况下，可以施加各自包括不同粒度的半导体颗粒的分散液以形成多个层，或者可以提供各自包括不同类型的半导体颗粒或各自具有不同的树脂或添加剂组成的涂层以形成多个层。当一个涂层不能提供足够的平均厚度时，多层涂覆是有效的。
[0213]
随着电子传输层的平均厚度增加，总体上，每单位投影面积的光增感材料承载量增加，因此光捕获率增加。然而，注入电子的扩散长度增加，因此因再结合而引起的电荷损失也增加。因此，电子传输层的平均厚度优选为100nm至100微米。
[0214]
半导体没有具体限制，并且可以使用本领域已知的任何半导体作为该半导体。其具体实例包括：单一半导体，如硅和锗；化合物半导体，如金属硫属化物；以及具有钙钛矿结构的化合物。
[0215]
金属硫属化物的实例包括：钛、锡、锌、铁、钨、锆、铪、锶、铟、铈、钇、镧、钒、铌和钽的氧化物；镉、锌、铅、银、锑和铋的硫化物；镉和铅的硒化物；和镉的碲化物。
[0216]
其它化合物半导体的实例包括：锌、镓、铟和镉的磷化物；镓砷化物；铜铟硒化物；和铜铟硫化物。
[0217]
此外，具有钙钛矿结构的化合物优选为钛酸锶、钛酸钙、钛酸钠、钛酸钡或铌酸钾是优选的。
[0218]
在以上列出的实例中，氧化物半导体是优选的，并且氧化钛、氧化锌、氧化锡和氧化铌是特别优选的。以上列出的实例可以单独使用或作为混合物组合使用。以上列出的半导体的晶体类型没有具体限制。其晶体类型可以是单晶、多晶或非晶。
[0219]
半导体颗粒的初级颗粒的平均粒径没有具体限制。其平均粒径优选为1nm至100nm，更优选为5nm至50nm。
[0220]
此外，由于散射入射光的作用，通过混合或层压具有较大平均粒径的半导体颗粒可以提高效率。在这种情况下，半导体的平均粒径优选为50nm至500nm。
[0221]
电子传输层的生产方法没有具体限制。其生产方法包括在真空中形成薄膜的方法，如溅射和湿式成膜法。
[0222]
鉴于生产成本，湿式成膜法是特别优选的。优选这样的方法：其中制备其中分散半导体颗粒粉末或溶胶的糊剂，并将该糊剂施加到集电子电极基板上。
[0223]
当采用湿式成膜法时，涂覆方法没有具体限制，并且可以根据本领域已知的任何方法进行涂覆。涂覆可以按照各种方法进行，如浸涂、喷涂、线棒涂覆(wire bar coating)、旋涂、辊涂、刮刀涂覆、凹版涂覆和湿式印刷法(例如，凸版印刷(relief printing)、胶版印刷、凹版印刷(gravure printing)、凹雕印刷(intaglio printing)、橡胶板印刷和丝网印刷)。
[0224]
当通过机械粉碎或利用研磨机形成半导体颗粒的分散液时，通过将至少单独半导体颗粒或包括半导体颗粒和树脂的混合物分散在水或有机溶剂中而形成分散液。使用的树脂的实例包括下列的聚合物或共聚物：乙烯基化合物，如苯乙烯、乙酸乙烯酯、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯；硅酮树脂；苯氧树脂；聚砜树脂；聚乙烯醇缩丁醛树脂；聚乙烯醇缩甲醛树脂；聚酯树脂；纤维素酯树脂；纤维素醚树脂；尿烷树脂；酚醛树脂；环氧树脂；聚碳酸酯树脂；聚丙烯酸酯树脂；聚酰胺树脂；和聚酰亚胺树脂。
[0225]
用于分散半导体颗粒的溶剂的实例包括：水；醇系溶剂，如甲醇、乙醇、异丙醇和α-松油醇；酮系溶剂，如丙酮、甲基乙基酮和甲基异丁基酮；酯系溶剂，如甲酸乙酯、乙酸乙酯和乙酸正丁酯；醚系溶剂，如二乙醚、二甲氧基乙烷、四氢呋喃、二氧戊环和二恶烷；酰胺系溶剂，如n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺和n-甲基-2-吡咯烷酮；卤代烃系溶剂，如二氯甲烷、氯仿、溴仿、甲基碘、二氯乙烷、三氯乙烷、三氯乙烯、氯苯、邻二氯苯、氟苯、溴苯、碘
214730、2000-106224、2001-76773和2003-7359中公开的花菁染料；日本未审查专利申请公开号11-214731、11-238905、2001-52766、2001-76775和2003-7360中公开的份菁染料；日本未审查专利申请公开号10-92477、11-273754、11-273755和2003-31273中公开的9-芳基呫吨化合物；日本未审查专利申请公开号10-93118和2003-31273中公开的三芳基甲烷化合物；和日本未审查专利申请公开号09-199744、10-233238、11-204821、11-265738、j.phys.chem.,2342，第91卷(1987)、j.phys.chem.b,6272，第97卷(1993)、electroanal.chem.,31，第537卷(2002)、日本未审查专利申请公开号2006-032260、j.porphyrins phthalocyanines,230,第3卷(1999)、angew.chem.int.ed.,373，第46卷(2007)和langmuir,5436，第24卷(2008)中公开的酞菁化合物和香豆素化合物。在以上列出的实例中，金属络合物化合物、香豆素化合物、多烯化合物、二氢吲哚化合物和噻吩化合物是特别优选使用的。
[0239]
作为使光增感材料5吸附在电子传输层4上的方法，可以采用将包括半导体颗粒的集电子电极浸渍在光增感材料溶液或分散液中的方法，或将溶液或分散液施加到电子传输层以使半导体颗粒吸附在其上的方法。
[0240]
在前者方法的情况下，可以采用浸渍、浸涂、辊涂、气刀涂覆等。
[0241]
在后者方法的情况下，可以采用线棒涂覆、滑动料斗涂覆(slide hopper coating)、挤出、幕涂、旋涂、喷涂等。
[0242]
此外，半导体颗粒的吸附可在超临界流体中利用二氧化碳等进行。
[0243]
当使光增感材料吸附时，可以组合使用缩合剂。
[0244]
缩合剂可以是具有催化功能以使光增感材料和电子传输化合物物理地或化学地结合到无机材料表面上的用剂，或者是化学计量地作用于有利地改变化学平衡的用剂。此外，可以添加硫醇或羟基化合物作为缩合助剂。
[0245]
用于溶解或分散光增感材料的溶剂的实例包括：水；醇系溶剂，如甲醇、乙醇和异丙醇；酮系溶剂，如丙酮、甲基乙基酮和甲基异丁基酮；酯系溶剂，如甲酸乙酯、乙酸乙酯和乙酸正丁酯；醚系溶剂，如二乙醚、二甲氧基乙烷、四氢呋喃、二氧戊环和二恶烷；酰胺系溶剂，如n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺和n-甲基-2-吡咯烷酮；卤代烃系溶剂，如二氯甲烷、氯仿、溴仿、甲基碘、二氯乙烷、三氯乙烷、三氯乙烯、氯苯、邻二氯苯、氟苯、溴苯、碘苯和1-氯萘；以及烃系溶剂，如正戊烷、正己烷、正辛烷、1,5-己二烯、环己烷、甲基环己烷、环己二烯、苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、乙苯和异丙苯。以上列出的实例可以单独使用或组合使用。
[0246]
此外，存在当根据光增感材料的类型抑制化合物分子间的聚集时更有效地发挥作用的光增感材料。因此，可以组合使用聚集解离剂。
[0247]
聚集解离剂优选为甾族化合物(例如，胆酸和鹅脱氧胆酸)、长链烷基羧酸或长链烷基膦酸。可以根据使用的光增感材料适当地选择聚集解离剂。
[0248]
聚集解离剂量为，相对于1质量份光增感材料，优选0.01质量份至500质量份，更优选0.1质量份至100质量份。
[0249]
光增感材料或光增感材料和聚集解离剂的组合的吸附温度优选为-50℃以上但200℃以下。此外，吸附可以在静置或搅拌下进行。
[0250]
搅拌方法的实例包括利用搅拌器、球磨机、漆料调节机、砂磨机、磨碎机和分散机
的搅拌，以及超声分散，但方法不限于以上列出的实例。吸附所需的时间优选为5秒以上但1000小时以下，更优选为10秒以上但500小时以下，更优选为1分钟以上但150小时以下。此外，吸附优选在黑暗中进行。
[0251]
《《金属氧化物层》》
[0252]
太阳能电池中的金属氧化物层6及其生产方法适当地从对本公开的电子装置的金属氧化物层及其生产方法的描述中选择。
[0253]
《《第二电极》》
[0254]
第二电极在形成金属氧化物层之后设置。
[0255]
此外，与第一电极相同的电极一般可以用作第二电极。载体不必设置在强度和气密性充分保持的结构中。
[0256]
第二电极的材料的具体实例包括：金属，如铂、金、银、铜和铝；碳系化合物，如石墨、富勒烯、碳纳米管和石墨烯；导电性金属氧化物，如ito、fto和ato；和导电性聚合物，如聚噻吩和聚苯胺。
[0257]
第二电极的平均厚度没有具体限制。此外，以上列出的材料可以单独使用或组合使用。
[0258]
可以根据使用的材料或空穴传输层的类型，通过诸如涂覆、层压、蒸镀、cvd和粘合的方法，在空穴传输层上适当地形成第二电极。
[0259]
为了使所述电子装置充当光电转换装置(光电转换元件)，第一电极或第二电极或两者是基本上透明的。
[0260]
在本公开的电子装置中，设置有第一电极的那侧是透明的，并且优选地从第一电极的那侧施加太阳光。在这种情况下，优选地在第二电极的那侧使用反射光的材料，并且该材料优选是通过蒸镀涂覆有金属或导电性氧化物的玻璃或塑料，或金属膜。
[0261]
此外，在施加太阳光的那侧设置抗反射层也是有效的。
[0262]
本公开的光电转换元件可以应用于太阳能电池和包括该太阳能电池的电源。应用实例可以是利用了太阳能电池或利用太阳能电池的电源的任何装置。例如，光电转换元件可以用于台式电子计算器或手表的太阳能电池。利用本公开的光电转换元件的性质的实例包括手机、电子记事本、电子纸等的电源。此外，光电转换元件可以用作辅助电源，以延长充电式或干电池式电器的连续使用时间。此外，光电转换元件可以用作与二次电池组合的一次电池替代品，充当传感器的自足型电源。
[0263]
《有机电致发光元件》
[0264]
本公开的电子装置的一种实施方式是有机电致发光(el)元件。
[0265]
有机el元件包括载体、设置在载体上或上方的包括电荷传输材料的电荷传输层、和设置在电荷传输层上或上方的金属氧化物层。有机el元件进一步包括正极(第一电极)、空穴传输层、发光层和负极(第二电极)，并且可以进一步包括其它层，如阻挡膜。
[0266]
注意，包括正极(第一电极)、空穴传输层、发光层、充当电荷传输层的电子传输层和负极(第二电极)的层可以被称为“有机el层”。
[0267]
下文将描述电子装置为有机el元件的实例，但电子装置不限于有机el元件，并且可以应用于电子装置的其它实施方式。
[0268]
图8示例了作为本公开的电子装置的实施方式的有机el元件10c。提供了在有机el
层的最外侧表层具有金属氧化物层的有机el元件。有机el元件10c包括充当载体的基板20、有机el层30和金属氧化物层40。
[0269]
注意，本公开不限于以下描述的实施方式。以下描述的实施方式可以被改变，如可以采用另外的实施方式，或者可以在本领域技术人员能够实现的范围内在下述实施方式中进行添加、矫正或省略，并且任何上述实施方式都被包括在本公开的范围内，只要呈现本公开的功能和效果。
[0270]
《《载体(基板)》》
[0271]
充当载体的基板20是绝缘基板。基板20可以是塑料或膜基板。
[0272]
阻挡膜可以被设置在基板20的主表面20a上。
[0273]
阻挡膜是例如由硅、氧和碳形成的膜，或者由二氧化硅、氧、碳和氮形成的膜。阻挡膜的材料的实例包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。阻挡膜的平均厚度优选为100nm以上但10微米以下。
[0274]
《《有机el层》》
[0275]
有机el层30包括发光层，并且是根据施加在正极和负极之间的电压而促进发光层发光(如载流子迁移或载流子再结合)的功能部分。例如，有机el层通过从支撑基板20的那侧依此顺序层压正极、空穴传输层、发光层、电子传输层和负极而形成。
[0276]
有机el层30没有具体限制并且可以根据预期目的从本领域已知的有机el元件中适当地选择。
[0277]
透明电极被层压作为负极。
[0278]
透明电极通过利用导电性金属氧化物如sno2、in2o3、ito、izo和zno:al形成。当透明电极被用作负极时，电子注入层期望地被设置为有机el层的最上层以提高电子注入效率。透明电极对波长为400nm至800nm的光具有优选50％以上的透射率，更优选85％以上。透明电极的平均厚度优选为50nm以上，更优选为50nm至1微米，甚至更优选为100nm至300nm。
[0279]
《《金属氧化物层》》
[0280]
有机el元件的金属氧化物层40及其生产方法适当地从对本公开的电子装置的金属氧化物层及其生产方法的描述中选择。
[0281]
金属氧化物层40被设置在负极上以将有机el层30嵌入其中。金属氧化物层40被设置在有机el层30上，与设置基板20的那侧相反。金属氧化物层40具有气体阻挡功能，具体地水分阻挡功能。
[0282]
实施例
[0283]
将通过实施例和比较例更详细地描述本公开。本公开不应被解释为限于这些实施例。在以下描述中，“份”表示“质量份”。
[0284]-制备铜铝氧化物-[0285]
以下列方式制备铜铝氧化物。氧化亚铜和氧化铝被称取等摩尔数。将收集的氧化亚铜和氧化铝转移到美奶滋瓶(mayonnaise bottle)中，并通过管式混合器(t2c型，可得自willy a.bachofen ag maschinenfabrik)搅拌其中的混合物以获得粉末混合物。将获得的粉末混合物在1,100℃下加热40小时，并使所得物通过具有100微米孔径的筛网。
[0286]
《粉末混合物材料》
[0287]
氧化亚铜(nc-803，可得自nc tech co.,ltd.)：12kg
[0288]
氧化铝(aa-03，可得自sumitomo chemical company,limited)：8.58kg
[0289]
将获得的铜铝氧化物通过drystar sda1(可得自ashizawa finetech ltd.)粉碎，以获得10％(d10)、50％(d50)和90％(d90)的粒度累积数分别为0.7
±
0.1微米、5.0
±
0.5微米、26
±
3微米的铜铝氧化物粉末。将铜铝氧化物的粉末在100℃下真空干燥，以将铝铜氧化物的水分含量调节至0.2质量％以下。
[0290]
铜铝氧化物的粒径是通过microtrac mt3300(microtracbel corp.)利用0.2％六偏磷酸钠水溶液作为分散介质以10秒的测量持续时间测量得到的值。
[0291]
至于铜铝氧化物的水分含量测量，使用karl fischer水分计(ca-200，可得自mitsubishi chemical analytech co.,ltd.)。
[0292]
铜铝氧化物的元素组成比通过x射线荧光光谱仪(zsx primusiv，可得自rigaku corporation)来确定，并且晶体结构通过x射线衍射仪(x’pert pro，可得自spectris co.,ltd.)来测量。
[0293]
《实施例1》
[0294]-电子照相感光体的生产实例-[0295]
实施例1的20个电子照相感光体各自以下列方式生产。实施例1的各电子照相感光体包括依下列顺序设置在导电性载体上的中间层、电荷生成层、电荷传输层、硅酮硬涂层和金属氧化物层。
[0296]
‑‑
形成中间层
‑‑
[0297]
通过浸涂将以下中间层涂覆液施加到铝导电性载体(外径：100mm，厚度：1.5mm)上，以形成中间层。在150℃下干燥30分钟后，中间层的平均厚度为5微米。
[0298]
《中间层涂覆液》
[0299]
氧化锌颗粒(mz-300，可得自tayca corporation)：350份
[0300]
3,5-二叔丁基水杨酸(可得自tokyo chemical industry co.,ltd.)：1.5份
[0301]
封端异氰酸酯(sumidur(注册商标)3175，固体含量：75质量％，可得自sumika bayer urethane co.,ltd.)：60份
[0302]
通过将缩丁醛树脂(20质量％)溶解在2-丁酮(bm-1，可得自sekisui chemical co.,ltd.)中而获得的溶液：225份
[0303]
2-丁酮：365份
[0304]
‑‑
形成电荷生成层
‑‑
[0305]
通过浸涂将以下电荷生成层涂覆液施加至所获得的中间层上，以形成电荷生成层。电荷生成层的平均厚度为0.2微米。
[0306]
《电荷生成层涂覆液》
[0307]
y型钛氧基酞菁：6份
[0308]
缩丁醛树脂(s-lec bx-1，可得自sekisui chemical co.,ltd.)：4份
[0309]
2-丁酮(可得自kanto chemical co.,inc.)：200份
[0310]
‑‑
形成电荷传输层
‑‑
[0311]
通过浸涂将以下电荷传输层涂覆液施加至所获得的电荷生成层上，以形成电荷传输层。
[0312]
在135℃下干燥20分钟后，电荷传输层的平均厚度为22微米。
[0313]
《电荷传输层涂覆液》
[0314]
双酚z聚碳酸酯(panlite ts-2050，可得自teijin limited)：10份
[0315]
具有以下结构式的低分子电荷传输材料：10份
[0316]
[化学1]
[0317][0318]
四氢呋喃：80份
[0319]-形成硅酮硬涂层-[0320]
通过环涂将以下硅酮硬涂层涂覆液施加至所获得的电荷传输层上，以形成硅酮硬涂层。
[0321]
在135℃下干燥20分钟后，硅酮硬涂层的平均厚度为0.5微米。
[0322]
(硅酮硬涂层涂覆液)
[0323]
硅酮硬涂层液(nsc-5506，可得自nippon fine chemical co.,ltd.)：80份
[0324]
四氢呋喃：20份
[0325]
‑‑
形成金属氧化物层
‑‑
[0326]
作为成膜室，使用通过对商业可得的蒸镀装置进行改动而获得的腔室。
[0327]
将商业可得的搅拌器(t.k.agi homo mixer 2m-03，可得自primix corporation)用于气溶胶生成器。注意，作为气溶胶生成器，可以使用超声波清洁器(sus-103，可得自shimadzu corporation)，其中设置有体积为1l的商业可得的压力供应瓶(rbn-s，可得自kato stainless kagaku co.)。
[0328]
将内径为4mm的管从气溶胶生成器引到成膜室，并将喷射喷嘴(yb1/8mssp37，可得自spraying systems co.)附接至该管的边缘。将感光体设置在距喷射喷嘴50mm的位置处。作为感光体保持件，设置可以使感光鼓旋转的机构。作为喷射喷嘴，使用可以横向移动的喷射喷嘴。气溶胶生成器和充有氮气的气瓶用内径为4mm的管道连接。
[0329]
利用上述装置，按以下方式生产平均厚度为1.5微米的目标金属氧化物层。
[0330]
向气溶胶生成器中装入包括以上述方式获得的铜铝氧化物和二氧化硅颗粒(reolosil zd-30s，可得自tokuyama corporation)的99.5％:0.5％质量比的粉末混合物，该二氧化硅颗粒已用二甲基二氯硅烷和六甲基二硅氮烷进行表面处理，具有190
±
25m2/g的bet表面积和2.9质量％的碳含量。
[0331]
接下来，利用排气泵从成膜室至气溶胶生成器进行抽真空。然后，将氮气从气瓶送入气溶胶生成器中，并开始搅拌以生成气溶胶，其中颗粒分散在氮气中。将生成的气溶胶通过管从喷射喷嘴喷向感光体。氮气的流速为13l/min至20l/min。此外，成膜持续时间为20分钟，并且金属氧化物层形成期间的成膜室内部的真空度为约50pa至约150pa。
[0332]
通过x射线荧光光谱仪(zsx primusiv，可得自rigaku corporation)确定感光体表面包括的二氧化硅颗粒量。感光体中包括的二氧化硅颗粒量与装入量相同。
[0333]
《实施例2》
[0334]
以与实施例1相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒的量改为1.0质量％。
[0335]
《实施例3》
[0336]
以与实施例1相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒的量改为1.5质量％。
[0337]
《实施例4》
[0338]
以与实施例2相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒改为已用二甲基二氯硅烷进行表面处理，具有200
±
25m2/g的bet比表面积并且具有2.8质量％的碳含量的二氧化硅颗粒(hdk h-2000，可得自wacker asahikasei silicone co.,ltd.)。
[0339]
《实施例5》
[0340]
以与实施例2相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒改为已用二甲基二氯硅烷进行表面处理，具有250
±
25m2/g的bet比表面积并且具有1.8质量％的碳含量的aerosil r976(可得自nippon aerosil co.,ltd.)。
[0341]
《实施例6》
[0342]
以与实施例2相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒改为已用三甲基甲硅烷基和氨基进行表面处理，具有140
±
25m2/g的bet比表面积并且具有1.8质量％的碳含量的aerosil ra200hs(可得自nippon aerosil co.,ltd.)。
[0343]
《比较例1》
[0344]
以与实施例1相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将二氧化硅颗粒添加到用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中。
[0345]
《比较例2》
[0346]
以与实施例1相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒的量改为0.3质量％。
[0347]
《比较例3》
[0348]
以与实施例1相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒的量改为2.0质量％。
[0349]
《实施例7》
[0350]
以与实施例1相同的方式生产20个电子照相感光体，除了利用包括99.5％:0.5％质量比的铜铝氧化物和具有0.20微米的体积平均粒径和10.3m2/g的bet比表面积的氧化铝颗粒(akp-50，可得自sumitomo chemical company,limited)的粉末混合物形成金属氧化物层。
[0351]
《实施例8》
[0352]
以与实施例7中相同的方式生产20个电子照相光电到体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒的量改为1.0质量％。
[0353]
《实施例9》
[0354]
以与实施例7中相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒的量改为1.5质量％。
[0355]
《实施例10》
[0356]
以与实施例8中相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒改为具有0.46微米的体积平均粒径和4.3m2/g的bet比表面积的氧化铝(akp-20，可得自sumitomo chemical company,limited)。
[0357]
《实施例11》
[0358]
以与实施例8中相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒改为具有0.10微米的体积平均粒径和14.5m2/g的bet比表面积的tm-dar(可得自taimei chemicals co.,ltd.)。
[0359]
《实施例12》
[0360]
以与实施例8中相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒改为具有0.28微米的粒径和11.0m2/g的bet比表面积的sf-10(可得自sakai chemical industry co.,ltd.)。
[0361]
《比较例4》
[0362]
以与实施例7中相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒的量改为0.3质量％。
[0363]
《比较例5》
[0364]
以与实施例7中相同的方式生产20个电子照相感光体，除了将用于形成金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒的量改为2.0质量％。
[0365]
《评价电子照相感光体》
[0366]
在以上述方式生产的实施例1至12和比较例1至5的各电子照相感光体中，对长度为380mm且外径为100mm的圆柱形感光鼓的厚度在从距鼓边缘100mm位置到距鼓边缘300mm位置沿纵向方向以50mm间隔取得的5个点处进行测量。对20个感光鼓进行厚度测量以获得总共100个点的厚度数据。厚度的测量通过根据日本专利号5521607所述的利用光干涉的方法进行。除了从所得数据的平均值确定厚度外，还确定标准偏差。
[0367]
基于获得的厚度平均值和标准偏差，按照以下等式(1)至(3)计算工艺能力指数cpk。结果显示于表1中。工艺能力指数是评价厚度的算术平均值x相对于标准中值的偏移程度的值。较大的cpk意为生产质量稳定的感光鼓的能力较高。
[0368]
[数学4]
[0369]
cpk＝cp(1-k)
ꢀꢀꢀ
(1)
[0370]
[数学5]
[0371][0372]
[数学6]
[0373][0374]
在以上等式中，usl为标准上限值，lsl为标准下限值，x为厚度的算术平均值，并且σ为标准偏差。此外，cp是表示成膜工艺的变异的6σ与标准宽度的比较。
[0375]
由于在判断工艺能力对上市产品的影响时无法测量大量感光体，可以通过在缩短测量间隔的情况下获得总共100个点的厚度测量值来进行评价。
[0376]
[0377]
由表1的结果发现，实施例1至12中获得的各电子照相感光体中的金属氧化物层其厚度不均较小。
[0378]
发现当将用于金属氧化物层的包括铜铝氧化物和二氧化硅颗粒的粉末混合物中的二氧化硅颗粒的量从实施例1的0.5质量％变为实施例3的1.5质量％时，获得高cpk。
[0379]
此外，发现当将用于金属氧化物层的包括铜铝氧化物和金属氧化物颗粒的粉末混合物中的金属氧化物颗粒的量从实施例7的0.5质量％变为实施例9的1.5质量％时，获得高cpk。
[0380]
例如，本公开的实施方式如下：
[0381]
《1》电子装置，包括：
[0382]
载体；
[0383]
包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；和
[0384]
金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方，
[0385]
其中金属氧化物层包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒，以及
[0386]
其中金属氧化物层中包括的二氧化硅或金属氧化物颗粒的量为相对于金属氧化物层0.5质量％以上但1.5质量％以下。
[0387]
《2》根据《1》的电子装置，
[0388]
其中金属氧化物层的平均厚度为1.2微米以上但1.8微米以下，并且金属氧化物的厚度的标准偏差为0.07微米以下。
[0389]
《3》根据《1》或《2》的电子装置，
[0390]
其中p型半导体金属氧化物为铜铁矿氧化物。
[0391]
《4》根据《3》的电子装置，
[0392]
其中铜铁矿氧化物为铜铝氧化物。
[0393]
《5》用于生产电子装置的方法，所述方法包括：
[0394]
喷涂p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒以形成金属氧化物层，
[0395]
其中所述电子装置包括：
[0396]
载体；
[0397]
包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；以及
[0398]
金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方。
[0399]
《6》根据《5》的方法，
[0400]
其中喷涂是气溶胶沉积。
[0401]
《7》成像方法，包括：
[0402]
利用根据《1》至《4》中任一项的电致变色装置形成图像。
[0403]
《8》成像设备，包括：
[0404]
根据《1》至《4》中任一项的电致变色装置。
[0405]
根据《1》至《4》中任一项的电子装置、根据《5》或《6》的用于生产电子装置的方法、根据《7》的成像方法、和根据《8》的成像设备可以解决本领域中存在的上述各种问题，并且可以实现本公开的目的。
[0406]
参考标记列表
[0407]
1a：电荷清除装置
[0408]
1b：预清洁曝光装置
[0409]
1c：驱动单元
[0410]
1d：第一转印装置
[0411]
1e：第二转印装置
[0412]
1f：中间转印构件
[0413]
1g：传送转印带
[0414]
3：润滑剂涂覆装置
[0415]
3a：润滑剂
[0416]
3b：涂覆刷
[0417]
3c：涂覆刮刀
[0418]
3d：压力弹簧
[0419]
10a：静电潜像承载器(电子照相感光体)
[0420]
10b：太阳能电池
[0421]
10c：有机电致发光元件
[0422]
11、11bk、11c、11m、11y：电子照相感光体
[0423]
12、12y、12m、12c、12bk：充电装置
[0424]
13、13y、13m、13c、13bk：曝光装置
[0425]
14、14bk、14c、14m、14y：显影装置
[0426]
15：调色剂
[0427]
16、16y、16m、16c、16bk：转印装置
[0428]
17、17y、17m、17c、17bk：清洁装置
[0429]
18：打印介质
[0430]
19：定影装置