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改进的高次谐波生成装置的制作方法

2022-04-14 05:15:38 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种高次谐波生成组件,包括:空腔,被配置为接收输入辐射并且增加所述空腔内的所述输入辐射的强度,以形成适合用于高次谐波生成的驱动辐射;所述空腔内的相互作用区域,在使用中,所述相互作用区域处存在介质,所述介质被配置为当所述驱动辐射被入射到其上时通过高次谐波生成来生成谐波辐射;以及光学组件,被配置为引导所述驱动辐射多次穿过所述相互作用区域,并且包括输出耦合器,所述输出耦合器包括孔径,所生成的谐波辐射的至少一部分能够通过所述孔径离开所述空腔;其中所述光学组件还被配置为在所述驱动辐射穿过所述相互作用区域之前将所述驱动辐射整形为中空束。2.根据权利要求1所述的高次谐波生成组件,其中所述输出耦合器被定位为使得当所述驱动辐射已经以第一方向穿过所述相互作用区域时,所生成的谐波辐射的所述至少一部分能够离开所述空腔。3.根据权利要求2所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件包括另一输出耦合器,所述另一输出耦合器包括孔径,另一生成的谐波辐射的至少一部分能够通过所述孔径离开所述空腔,所述另一生成的谐波辐射由在第二方向上穿过所述相互作用区域的所述驱动辐射生成,可选地所述第二方向基本上与所述第一方向相反。4.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件被配置为在穿过所述相互作用区域之前将所述驱动辐射整形为会聚的中空束。5.根据权利要求3或4所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件被配置为在所述输出耦合器和/或所述另一输出耦合器处将所述驱动辐射整形为中空束形状,并且其中所述光学组件被配置为引导所述驱动辐射在一个方向上穿过所述相互作用区域,使得所生成的谐波辐射的至少一部分位于所述输出耦合器处的所述中空束的中空区域中,和/或所述另一生成的谐波辐射的至少一部分位于所述另一输出耦合器处的所述中空束的中空区域中,其中可选地,所述中空束是环形束。6.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件包括用于将所述驱动辐射整形为所述中空束的整形光学器件。7.根据权利要求6所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件包括用于将驱动辐射整形为所述中空束的第一整形光学器件和第二整形光学器件,可选地所述第一整形光学器件和所述第二整形光学器件被定位在所述空腔内的所述相互作用区域的不同侧。8.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,还包括被定位在所述输出耦合器的共轭平面中的光学元件和/或包括被定位在所述另一输出耦合器的共轭平面中的光学元件,使得在使用中,所述光学元件处的所述辐射的图像在所述输出耦合器和/或所述另一输出耦合器处被获得。9.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件包括所述相互作用区域周围的对称部分。10.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件包括校正光学器件,所述校正光学器件用于在所述驱动辐射一次或多次穿过所述相互作用区域之
后恢复所述驱动辐射。11.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,其中所述光学组件还包括用于放大所述输入辐射和/或驱动辐射以增加所述空腔内的辐射的所述强度的增益介质,可选地所述空腔被配置为通过输入辐射的相干叠加来增加所述空腔内的输入辐射的所述强度。12.根据前述权利要求中任一项所述的高次谐波生成组件,其中所述输入辐射包括脉冲辐射。13.一种用于通过高次谐波生成提供谐波辐射的方法,所述方法包括:将输入辐射接收到空腔中;从所述输入辐射形成适合用于高次谐波生成的驱动辐射;由光学组件将所述驱动辐射整形为会聚的中空束;由所述光学组件引导所述驱动辐射多次通过相互作用区域;由介质生成谐波辐射,其中所述介质存在于所述相互作用区域处,并且被配置为当所述驱动辐射被入射到其上时,通过高次谐波生成来生成谐波辐射;其中所生成的谐波辐射的至少一部分通过输出耦合器离开所述空腔。14.一种辐射源,包括根据权利要求1至12中任一项所述的高次谐波生成组件。15.一种量测装置,包括根据权利要求1至12中任一项所述的高次谐波生成组件。

技术总结
一种用于生成高次谐波辐射的高次谐波生成组件和方法。所述组件包括空腔,被配置为接收输入辐射,并且增加所述空腔内的所述输入辐射的所述强度,以形成适合用于高次谐波生成的驱动辐射。所述组件还包括:所述空腔内的相互作用区域,在使用中,所述相互作用区域存在介质,所述介质被配置为当所述驱动辐射被入射到其上时通过高次谐波生成来生成谐波辐射;以及光学组件,被配置为引导所述驱动辐射穿过所述相互作用区域,并且包括输出耦合器,所述输出耦合器包括孔径,通过所述孔径所生成的谐波辐射的至少一部分能够离开所述空腔。所述光学组件还被配置为在所述驱动辐射穿过所述相互作用区域之前将所述驱动辐射整形为会聚的中空束。束。束。


技术研发人员:A
受保护的技术使用者:ASML荷兰有限公司
技术研发日:2020.09.04
技术公布日:2022/4/13
再多了解一些

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