声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置与流程

技术特征：
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：压电基底；位于所述压电基底内的金属扩散部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，在第一方向上，所述第一总线与所述第二电极条之间具有第一间隔，所述第二总线与所述第一电极条之间具有第二间隔，并且，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于所述电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层；与所述金属扩散部对应的扩散区域；对应于所述第一间隔的第一间隔区域；对应于所述第二间隔的第二间隔区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第一间隔区域之间的第一区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第二间隔区域之间的第二区域；所述第一电极条位于所述第一间隔区域、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中；所述第二电极条位于所述第二间隔区域、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中。2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，声波在所述第一区域传播的波速、以及声波在所述第二区域传播的波速均小于声波在所述扩散区域传播的波速，并且，声波在所述第一间隔区域传播的波速、以及声波在所述第二间隔区域传播的波速均大于声波在所述扩散区域传播的波速。3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一区域的宽度、所述第二区域的宽度均小于所述扩散区域的宽度。4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述压电基底的材料包括铌酸锂或钽酸锂，所述金属扩散部内的扩散金属包括钛、镍和铬中至少一种的。5.一种滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至4中任一所述的声表面波谐振装置。6.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置和至少一个如权利要求5所述的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。7.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置和至少一个如权利要求5所述的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。8.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求5所述的滤波装置。9.一种声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一间隔区、第一区、扩散区、第二区和第二间隔区；在所述扩散区内形成金属扩散部；
形成所述金属扩散部后，在所述压电基底表面形成电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区、所述第一区、所述金属扩散部和所述第二区表面，所述第二电极条位于所述第二间隔区、所述第一区、所述金属扩散部和所述第二区表面；在所述电极层表面和暴露的压电基底表面上形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层。10.如权利要求9所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述在所述扩散区内形成金属扩散部，包括：在所述扩散区表面形成金属层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区；形成所述金属层后进行加热步骤，使所述金属层扩散进入所述扩散区，形成所述金属扩散部。11.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，在所述扩散区表面形成金属层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区，包括：在所述压电基底表面形成金属材料层；在所述金属材料层表面形成掩膜层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区上的所述金属材料层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属材料层，直至暴露出所述压电基底表面。12.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，采用剥离工艺在所述扩散区表面形成所述金属层。13.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述加热步骤采用的温度范围为250℃~1100℃。14.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围是50纳米~150纳米。15.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钛、镍和铬中的至少一种。

技术总结
一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底内的金属扩散部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、若干第一电极条、若干第二电极条，第一总线与第二电极条之间具有第一间隔，第二总线与第一电极条之间具有第二间隔，第一电极条和第二电极条交替排布；位于电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层。从而，可使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态，以抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。改善或消除插入损耗问题。改善或消除插入损耗问题。


技术研发人员：邹雅丽 王斌 韩兴 周建
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.03.01
技术公布日：2022/4/12