一种LED透光基材及LED封装结构的制作方法

一种led透光基材及led封装结构
技术领域
1.本实用新型涉及led封装的技术领域，更具体地说，是涉及一种led透光基材及led封装结构。


背景技术：

2.现有led透光基材通常需要对其与支架相接的表面金属化，以获得与支架更强的结合力，金属化工艺流程如下：1.采用透光率较高的基材；2.对基材进行超声波清洗、清洗剂清洗或者酒精类液体清洗；3.对清洗后的基材进行烘干或者烤干作业；4.对基材丝印金属层，多数为银浆；5.对丝印后的基材进行烧结；6.利用皮秒激光器对烧结后的基材进行切割分离；7.或者利用高速刀轮机进行硬切割。
3.上述金属化工艺流程存在以下缺点：在步骤对烧结后的基材进行切割分离时，皮秒激光器射出的激光穿透基材后对金属层形成划伤，金属层和基材的相接处容易由于不同材料在激光切割过程中产生黑点，进而造成发光存在暗点，从而造成led芯片发光效果不佳。另外，利用高速刀轮切割效率低下，量产成本高。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种led透光基材及led封装结构，以解决现有技术中存在的led透光基材在激光切割过程中容易产生黑点以及切割效率低下的技术问题。
5.为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种led透光基材，包括：
6.透光基材，设置有多个预切割沟槽，多个所述预切割沟槽分隔所述透光基材的表面以形成多个金属化区域；
7.多个金属层，一一对应设置于所述金属化区域上。
8.本实施例提供的led透光基材的工作原理如下：
9.透光基材可以采用玻璃、石英或者蓝宝石，其透光率强，在透光基材上设置多个预切割沟槽，设置预切割沟槽的方式有多种，可以通过皮秒激光器射出激光，在透光基材上形成预切割沟槽，在此过程中，激光不穿透透光基材，使得透光基材仍然保持整体结构，利于后续的金属层的丝印加工；多个预切割沟槽将透光基材的表面分隔以形成多个金属化区域，再将金属层一一对应设置在金属化区域上，以形成金属化的led透光基材，其中相邻的两个金属化区域的金属层彼此隔离，在金属层设置完毕后，以预切割沟槽为界即可将透光基材以折断或者其他方式分离，使其分离成led透光基材的单体，即每一金属化区域上均设有金属层。
10.具体地，led透光基材的金属化制备工艺如下：
11.s1.采用透光基材；
12.s2.对透光基材进行超声波清洗、清洗剂清洗或者酒精类液体清洗；
13.s3.对清洗后的透光基材进行烘干或者烤干作业；
14.s4.利用皮秒激光器对透光基材进行预切割，形成预切割沟槽；
15.s5.对基材丝印金属层，多数为银浆；
16.s6.对丝印后的基材进行烧结；
17.s7.以预切割沟槽为界将透光基材折断以形成led透光基材的单体。
18.通过上述技术方案，透光基材设置多个预切割沟槽以形成多个金属化区域，再将金属层设置在金属化区域上，并且相邻的金属化区域的金属层彼此隔离，在完成金属层的设置后，以预切割沟槽为界将透光基材分离，避免了透光基材在设置金属层后再进行激光分割，避免了金属层和透光基材的交汇处形成黑点的问题，提高了led透光基材的出光效果。
19.在一个实施例中，所述预切割沟槽的深度为所述透光基材的厚度的20％-98％。
20.通过上述技术方案，透光基材在设置多个预切割沟槽后仍然保持整体结构，即透光基材的各个金属化区域仍然保持彼此相连的状态，以便于金属层的设置，金属层采用丝印的方式设置在透光基材上，其中每一金属层对应金属化区域设置，而相邻的两个金属化区域的金属层彼此隔离；预切割沟槽的深度为透光基材的厚度的20％-98％，使透光基材在设置预切割沟槽后能够维持彼此相连的状态，同时利于减少后续以预切割沟槽为界折断透光基材时需要施加的作用力。
21.在一个实施例中，相邻的两个所述预切割沟槽相互平行。
22.通过上述技术方案，多个预切割沟槽相互平行，使得预切割沟槽分隔形成的金属化区域规整，同时也利于透光基材的折断分离。
23.在一个实施例中，多个所述预切割沟槽沿着所述透光基材的横向和/或纵向分布。
24.通过上述技术方案，多个预切割沟槽纵横交错，以形成多个呈正方形或者长方形的金属化区域，使得金属化区域形状规整，同时也利于透光基材的折断分离。
25.在一个实施例中，多个所述预切割沟槽等距间隔分布。
26.通过上述技术方案，使得金属化区域形状规整，同时也利于透光基材的折断分离。
27.在一个实施例中，所述透光基材设有所述预切割沟槽的表面为平整表面。
28.通过上述技术方案，利于采用丝印的方式将金属层设置在透光基材上。
29.在一个实施例中，所述预切割沟槽的宽度为0-0.3mm。
30.通过上述技术方案，利于预切割沟槽的折断分离。
31.在一个实施例中，所述金属层为银浆层。
32.通过上述技术方案，利于金属层的丝印加工。
33.在一个实施例中，所述金属层的中部设有透光孔。
34.通过上述技术方案，led芯片发出的光通过透光孔射出至外部，透光孔的设计避免了金属层对led芯片发光的遮挡，提高了led芯片的出光率。
35.本实施例还提供一种led封装结构，包括多个led芯片和上述的led透光基材，多个所述led芯片安装于所述led透光基材上。
36.通过上述技术方案，可以同时对多个led芯片进行安装作业，提高了led封装结构的加工效率。
附图说明
37.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1是本实用新型实施例提供的led透光基材的俯视图；
39.图2是本实用新型实施例提供的透光基材的俯视图；
40.图3是本实用新型实施例提供的透光基材进行激光分隔的示意图；
41.图4是本实用新型实施例提供的led透光基材单体的俯视图；
42.图5是本实用新型实施例提供的led透光基材单体的主视图。
43.图中各附图标记为：
44.100-led透光基材；
45.1-透光基材；
46.2-金属层；
47.3-激光器
48.11-预切割沟槽；
49.12-金属化区域；
50.21-透光孔。
具体实施方式
51.为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
52.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接位于另一个元件上或者间接位于另一个元件上。当一个元件被称为“连接于”另一个元件，它可以是直接连接或间接连接至另一个元件。
53.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型，而不是指示装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
54.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性或指示技术特征的数量。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。以下结合具体实施例对本实用新型的具体实现进行更加详细的描述：
55.如图1至图3所示，本实用新型实施例提供的一种led透光基材100，包括：透光基材1和多个金属层2；
56.透光基材1，设置有多个预切割沟槽11，多个预切割沟槽11分隔透光基材1的表面以形成多个金属化区域12；
57.多个金属层2，一一对应设置于金属化区域12上。
58.本实施例提供的led透光基材100的工作原理如下：
59.透光基材1可以采用玻璃、石英或者蓝宝石，其透光率强，在透光基材1上设置多个预切割沟槽11，设置预切割沟槽11的方式有多种，可以通过皮秒激光器射出激光，在透光基
材1上形成预切割沟槽11，在此过程中，激光不穿透透光基材1，使得透光基材1仍然保持整体结构，利于后续的金属层2的丝印加工；多个预切割沟槽11将透光基材1的表面分隔以形成多个金属化区域12，再将金属层2一一对应设置在金属化区域12上，以形成金属化的led透光基材100；
60.其中相邻的两个金属化区域12的金属层2彼此隔离，在金属层2设置完毕后，以预切割沟槽11为界即可将透光基材1以折断或者其他方式分离，使其分离成led透光基材100的单体，即每一金属化区域12上均设有金属层2。
61.请一并参阅图4和图5，具体地，led透光基材100的金属化制备工艺如下：
62.s1.采用透光基材1；
63.s2.对透光基材1进行超声波清洗、清洗剂清洗或者酒精类液体清洗；
64.s3.对清洗后的透光基材1进行烘干或者烤干作业；
65.s4.利用皮秒激光器3对透光基材1进行预切割，形成预切割沟槽11；
66.s5.对透光基材1丝印金属层2，多数为银浆；
67.s6.对丝印后的透光基材1进行烧结；
68.s7.以预切割沟槽11为界将透光基材1折断以形成led透光基材100的单体。
69.通过上述技术方案，透光基材1设置多个预切割沟槽11以形成多个金属化区域12，再将金属层2设置在金属化区域12上，并且相邻的金属化区域12的金属层2彼此隔离，在完成金属层2的设置后，以预切割沟槽11为界将透光基材1分离，避免了透光基材1在设置金属层2后再进行激光分割，避免了金属层2和透光基材1的交汇处形成黑点的问题，提高了led透光基材100的出光效果；另外，本实施例无需利用高速刀轮切割形成透光基材1单体，直接以预切割沟槽11为界折断透光基材1即可，提高了分离效率，节约了生产成本。
70.在一个实施例中，预切割沟槽11的深度为透光基材1的厚度的20％-98％。
71.通过上述技术方案，透光基材1在设置多个预切割沟槽11后仍然保持整体结构，即透光基材1的各个金属化区域12仍然保持彼此相连的状态，以便于金属层2的设置，金属层2采用丝印的方式设置在透光基材1上，其中每一金属层2对应金属化区域12设置，而相邻的两个金属化区域12的金属层2彼此隔离；
72.具体地，预切割沟槽11的深度为透光基材1的厚度的20％-98％，使透光基材1在设置预切割沟槽11后能够维持彼此相连的状态，同时利于减少后续以预切割沟槽11为界折断透光基材1时需要施加的作用力。
73.在一个实施例中，相邻的两个预切割沟槽11相互平行。
74.通过上述技术方案，多个预切割沟槽11相互平行，使得预切割沟槽11分隔形成的金属化区域12规整，同时也利于透光基材1的折断分离。
75.在一个实施例中，多个预切割沟槽11沿着透光基材1的横向和纵向分布。
76.在另一个实施例中，多个预切割沟槽11沿着透光基材1的横向或纵向分布。
77.通过上述技术方案，多个预切割沟槽11纵横交错，以形成多个呈正方形或者长方形的金属化区域12，使得金属化区域12形状规整，同时也利于透光基材1的折断分离。
78.在一个实施例中，多个预切割沟槽11等距间隔分布。
79.通过上述技术方案，使得金属化区域12形状规整，同时也利于透光基材1的折断分离。
80.在一个实施例中，透光基材1设有预切割沟槽11的表面为平整表面。
81.通过上述技术方案，利于采用丝印的方式将金属层2设置在透光基材1上。
82.在一个实施例中，预切割沟槽11的宽度为0-0.3mm。
83.通过上述技术方案，利于预切割沟槽11的折断分离。
84.在一个实施例中，金属层2为银浆层。
85.通过上述技术方案，利于金属层2的丝印加工。
86.在一个实施例中，金属层2的中部设有透光孔21。
87.通过上述技术方案，led芯片发出的光通过透光孔21射出至外部，透光孔21的设计避免了金属层2对led芯片发光的遮挡，提高了led芯片的出光率。
88.本实施例还提供一种led封装结构，包括多个led芯片和上述的led透光基材100，多个led芯片安装于led透光基材100上。
89.通过上述技术方案，可以同时对多个led芯片进行安装作业，提高了led封装结构的加工效率；具体地，透光基材1设置多个预切割沟槽11以形成多个金属化区域12，再将金属层2设置在金属化区域12上，并且相邻的金属化区域12的金属层2彼此隔离，在完成金属层2的设置后，以预切割沟槽11为界将透光基材1分离，避免了透光基材1在设置金属层2后再进行激光分割，避免了金属层2和透光基材1的交汇处形成黑点的问题，提高了led透光基材100的出光效果；另外，本实施例无需利用高速刀轮切割形成透光基材1单体，直接以预切割沟槽11为界折断透光基材1即可，提高了分离效率，节约了生产成本。
90.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。