用于制造微机电结构的方法和微机电结构与流程

技术特征：
1.一种用于制造微机电结构(4)的方法，所述方法具有以下步骤：在衬底(30)上方形成至少一个第一绝缘层(31)；在所述第一绝缘层(31)上形成第一功能层(41)，其中，所述第一功能层(41)设有在所述第一功能层(41)的整个厚度上延伸的槽口(18)；在所述第一功能层(41)上形成第二绝缘层(32)；在所述第二绝缘层(32)上方形成第二功能层(42)，其中，所述第二功能层(42)设有在所述第二功能层(42)的整个厚度上延伸的槽口(26)；在所述第二功能层(42)上方形成第三绝缘层(33)；在所述第三绝缘层(33)上形成第三功能层(43)，其中，所述第三功能层(43)的横向区域如此结构化成具有槽口(2)，使得结构化的横向区域(25)限定可运动的结构(1)，其中，所述第一、第二和第三绝缘层(31，32，33)以及所述第一和第二功能层(41，42)分别具有横向区域，所述横向区域布置在所述第三功能层(43)的结构化的横向区域(25)下方并且相应于所述结构化的横向区域(25)的垂直投影；蚀刻所述第一、第二和第三绝缘层(31，32，33)，其中，完全去除在所述第三绝缘层(33)的横向区域中的第三绝缘层(33)并且由此使所述可运动的结构(1)暴露，其中，至少部分地去除在所述横向区域中的第二绝缘层(32)并且从所述横向区域中至少部分地去除所述第三绝缘层(33)；其中，所述第一功能层(41)的布置在所述第一功能层(41)的横向区域中的所有槽口(18)通过窄的沟槽(18)形成，所述沟槽的宽度(22)小于所述第一与第三功能层(41，43)之间的垂直距离(15)的两倍，其中，所述第一功能层(41)如此形成，使得所述第一功能层在所述横向区域中具有至少一个电绝缘部段(19)，所述电绝缘部段通过沟槽(18)与所述第一功能层(41)的剩余部分分开。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一功能层(41)的横向区域中的沟槽(18)的宽度(22)大于所述第一功能层(41)的厚度的一半。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二功能层(42)如此形成，使得所述第二功能层具有至少一个第一和第二部段(20，20
‘
)并且这两个部段(20，20
‘
)彼此电绝缘，其中，所述第一功能层(41)如此形成，使得所述第一功能层具有第一和第二电绝缘部段(19、19
‘
)，所述第一和第二电绝缘部段通过沟槽(18)彼此分开并且与所述第一功能层(41)的剩余部分分开，其中，所述第一功能层(41)的第一部段(19)布置在所述第二功能层(42)的第一部段(20)下方并且所述第一功能层(41)的第二部段(19
‘
)布置在所述第二功能层(42)的第二部段(20
‘
)下方。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一功能层(41)如此形成，使得所述第一功能层在所述横向区域中具有屏蔽部段(21)，所述屏蔽部段通过沟槽(18)与所述第一功能层(41)的剩余部分分开，其中，所述屏蔽部段(21)布置在所述第二功能层(42)的槽口(26)下方并且与所述第二功能层(42)的至少一个部段(20)导电连接。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一功能层(41)如此形成，使得所述第一功能层在所述横向区域中具有第一和第二屏蔽部段(21，21
‘
)，所述第一和第二屏蔽部段布置在所述第二功能层的槽口(26)下方的周围环境中，其中，所述第一屏蔽部段(21)与所述第二功能层(42)的第一部段(20)导电连接，并且所述第二屏蔽部段(20
‘
)与所
述第二功能层(42)的第二部段(20
‘
)导电连接。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述第二功能层(42)中的槽口(26)通过以下子步骤形成：在所述第二功能层(42)中形成沟槽，所述沟槽在所述第二功能层(42)的整个厚度上延伸，其中，随后通过形成第一辅助层来填充所述沟槽；在所述第一辅助层中形成蚀刻通道，所述蚀刻通道使所述第二功能层(42)部分暴露，其中，通过后续蚀刻去除所述第二功能层(42)的子区域并且所述蚀刻通道在形成所述第三功能层(43)之前由所述第三绝缘层(33)封闭；其中，在蚀刻所述第三绝缘层(33)时至少部分地去除所述第一辅助层。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在蚀刻时如此去除所述第一绝缘层(31)和所述第二绝缘层(32)的子区域，使得所述第一绝缘层(31)的保留的子区域(23)形成用于所述第一功能层(41)的第一绝缘部段(19)的基座结构(23)并且所述第二绝缘层(32)的保留的子区域(23
‘
)形成用于所述第二功能层(42)的部段(20)的基座结构(23
‘
)。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过所述第一功能层(41)形成至少一个印制导线，和/或，通过所述第三功能层(43)形成至少一个电极、尤其是探测电极。9.一种微机电结构(4)，所述微机电结构具有衬底(30)以及第一、第二和第三功能层(41，42，43)，其中，所述第三功能层(43)具有结构化的横向区域(25)，所述结构化的横向区域形成可运动的结构(1)，其中，所述第一和第二功能层(41，42)分别具有横向区域，所述横向区域布置在所述第三功能层(43)的结构化的横向区域(25)下方并且相应于所述结构化的横向区域(25)的垂直投影；其中，所述第一功能层(41)的布置在所述第一功能层(41)的横向区域中的所有槽口(18)通过窄的沟槽(18)形成，所述沟槽的宽度(22)小于所述第一与第三功能层(41，43)之间的垂直距离(15)的两倍，其中，所述第一功能层(41)在所述横向区域中具有至少一个电绝缘部段(19)，所述电绝缘部段通过沟槽(18)与所述第一功能层(41)的剩余部分分开。10.根据权利要求9所述的微机电结构(4)，其中，所述第二功能层(42)具有至少一个第一和第二部段(20，20
‘
)，并且这两个部段(20，20
‘
)彼此电绝缘，其中，所述第一功能层(41)具有第一和第二电绝缘部段(19，19
‘
)，所述第一和第二电绝缘部段通过沟槽(18)彼此分开并且与所述第一功能层(41)的剩余部分分开，其中，所述第一功能层(41)的第一部段(19)布置在所述第二功能层(42)的第一部段(20)下方并且所述第一功能层(41)的第二部段(19
‘
)布置在所述第二功能层(42)的第二部段(20
‘
)下方。

技术总结
提出用于制造微机电结构的方法，具有以下步骤：形成具有槽口的第一和第二功能层、第三功能层及三个布置其间的绝缘层，第三功能层的结构化横向区域限定可运动结构，绝缘层及第一和第二功能层分别具有布置在第三功能层结构化横向区域下方且相应于结构化横向区域垂直投影的横向区域；蚀刻绝缘层，完全去除第三绝缘层横向区域中的第三绝缘层并使可运动结构暴露，第一功能层的布置在第一功能层横向区域中的所有槽口通过窄的沟槽形成，其宽度小于第一与第三功能层之间的垂直距离的两倍，第一功能层如此形成，使得其在横向区域中具有通过沟槽与第一功能层的剩余部分分开的至少一个电绝缘部段。此外提出具有衬底及第一、第二和第三功能层的微机电结构。三功能层的微机电结构。三功能层的微机电结构。


技术研发人员：J
受保护的技术使用者：罗伯特
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2022/3/25