晶片清洗装置及晶片清洗方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶片清洗装置及晶片清洗方法。


背景技术：

2.化学机械抛光(chemical mechanical polishing，简称cmp)技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，其借助超微粒子(例如二氧化硅粒子，氧化铝粒子)的研磨作用以及化学溶液的腐蚀作用在研磨的晶片表面上形成光洁平坦平面。在cmp工艺之后，超微粒子会附着在被抛光晶片上，成为污染物粒子，必须从晶片表面完全去除以保持电子器件的可靠性和生产线的清洁度。
3.现有去除污染物粒子的方法通常是对经过cmp工艺后的晶片持续喷射清洗液，以去除晶片表面的污染物粒子。但是该方法虽然能够有效的去除晶片表面的污染物粒子，但是该方法效率比较低，需要长时间对晶片进行喷射。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，本发明提供的晶片清洗装置及晶片清洗方法，通过设置清洁刷和清洗槽，能够同时对待清洗表面进行清洗，不但提高了清洗效果，同时还提高了清洗效率，缩短了清洗的时间。
5.第一方面，本发明提供一种晶片清洗装置，包括：支架、清洁刷、第一驱动件和清洗槽；
6.所述支架用于支撑所述晶片；
7.所述清洁刷用于对所述待清洗表面进行清洗；
8.所述清洗槽内装有清洗液，至少部分晶片位于所述清洗液内；
9.所述第一驱动件与所述晶片连接，所述第一驱动件用于驱动所述晶片绕第一方向旋转，所述第一方向垂直于所述待清洗表面。
10.可选地，所述晶片清洗装置还包括：第二驱动件；
11.所述第二驱动件与所述清洁刷连接，所述第二驱动件用于驱动所述清洁刷沿第二方向旋转，所述第二方向与所述待清洁表面平行。
12.可选地，所述清洁刷包括：刷体和固定设置在所述刷体表面的刷毛；
13.所述刷体的形状为圆柱型，且所述刷体的中心轴与所述第二方向平行。
14.可选地，所述刷毛固定设置在所述刷体周侧的表面。
15.可选地，所述清洁刷的数量至少为两个，且至少两个清洁刷分别位于所述晶片的两侧。
16.可选地，每个清洁刷分别与对应的第二驱动件连接；
17.所述第二驱动件分驱动晶片两侧的清洁刷朝相反的方向旋转。
18.可选地，所述清洗液为弱酸溶液或弱碱溶液。
19.可选地，所述晶片清洗装置还包括：第三驱动件；
20.所述第三驱动件与所述支架或所述清洁刷连接；
21.所述第三驱动件用于调整所述晶片相对所述清洁刷的位置，以使所述晶片相对所述清洁刷沿第三方向移动，所述第三方向与所述第二方向在同一平面内，且所述第三方向与所述第二方向相交。
22.第二方面，本发明提供一种晶片清洗方法，包括：
23.将待清洗的晶片安装在如上所述晶片清洗装置的支架上；
24.启动所述第一驱动件，以带动所述晶片旋转，使所述待清洗表面经清洗液和清洁刷进行清洗。
25.可选地，所述方法还包括：
26.启动第二驱动件，以驱动清洁刷旋转；
27.启动第三驱动件，以调整所述晶片相对所述清洁刷的位置。
28.本发明实施例提供的晶片清洗装置及晶片清洗方法，通过设置清洁刷和清洗槽，能够同时对待清洗表面进行清洗，不但提高了清洗效果，同时还提高了清洗效率，缩短了清洗的时间。
附图说明
29.图1为本技术一实施例的晶片清洗装置的示意性结构图。
30.附图标记
31.1、晶片；2、清洁刷；3、清洗槽；4、清洗液。
具体实施方式
32.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
33.第一方面，结合图1，本发明提供一种晶片清洗装置，包括：工作台、固定架、支架、清洁刷2、第一驱动件、清洗槽3和第二驱动件。
34.其中，支架与固定件均与工作台固定连接；清洗槽3固定设置于工作台内；支架用于支撑晶片1，以使晶片1竖直位于该晶片清洗装置中；晶片1的待清洗表面为晶片1中两个相对的竖直表面；清洁刷2的数量为两个，且两个清洁刷2分别位于晶片1的左右两侧，并位于清洗槽3的上方，与固定架转动连接；每个清洁刷2均包括：刷体和固定设置在刷体周侧表面的刷毛；刷毛用于对晶片1的待清洗表面进行清洗；清洗槽3内装有清洗液4；清洗液4为弱酸溶液或弱碱溶液，例如，hf溶液或nh4oh溶液，在本实施例中以nh4oh溶液为例；晶片1中五分之二或二分之一的部分位于清洗液4内，在本实施例中，晶片1中五分之二的部分位于清洗液4内；第一驱动件与晶片1连接，第一驱动件用于驱动晶片1绕第一方向旋转；第一方向垂直于待清洗表面，在本实施例中第一方向为左右方向。通过设置清洁刷2和清洗槽3，能够同时对待清洗表面进行清洗，不但提高了清洗效果，同时还提高了清洗效率，缩短了清洗的时间。
35.在本实施例中，刷体的形状为圆柱型，且刷体的中心轴与第二方向平行。每个刷体
与对应的第二驱动件连接，第二驱动件用于驱动对应的刷体沿第二方向朝相反的方向旋转，第二方向与待清洁表面平行，具体的，第二方向为前后方向，刷体的中心轴与晶片1的转轴中心线在同一水平面内，且刷体的长度不小于晶片1的直径。如此在第一驱动件停止带动晶片1旋转时，清洁刷2也能够通过自身的旋转对晶片1进行清理。
36.在一种可选的实施例中，晶片清洗装置还包括：第三驱动件。第三驱动件与刷体或支架连接，在本实施例中，第三驱动件与刷体连接，以使第三驱动件通过带动清洁刷2沿第三方向移动，从而调整晶片1相对清洁刷2的位置，进而使得清洁刷2能够对晶片1不同的位置进行清理。其中，第三方向与第二方向在同一平面内，且第三方向与第二方向相交；具体的，第三方向为上下方向。如此在第一驱动件停止带动晶片1旋转时，清洁刷2也能够在第三驱动件的带动下对晶片1不同的位置进行清理。
37.第二方面，基于第一方面的晶片清洗装置，本发明提供一种晶片清洗方法，包括：
38.首先，将待清洗的晶片1安装在支架上。然后，启动第一驱动件，以带动晶片1旋转，使待清洗表面经清洗液4和清洁刷2进行清洗；启动第二驱动件，以驱动清洁刷2旋转；启动第三驱动件，以调整晶片1相对清洁刷2的位置。
39.第三方面，基于第一方面的晶片清洗装置，本发明提供一种晶片清洗方法，包括：
40.首先，将待清洗的晶片1竖直安装在支架上，并使晶片1中五分之二的部分位于清洗液4内。
41.然后，启动第二驱动件，使清洁刷2开始转动，启动第三驱动件，使清洁刷2往复的对位于清洁液上方的待清洗表面进行清理。
42.等待一段时间后，使清洗液4充分的与晶片1侵入其中的部分进行接触，启动第一驱动件，使晶片1转动一定角度，即将清片其他位置处的表面与清洗液4接触，并重复上述步骤，直至待清洗表面的一周均与清洗液4充分接触。
43.而对于晶片1中未浸入清洗液4表面以下的部分，可由其他接触清洗液4的部分附带出清洗液4通过清洗液4的重力流动至晶片1未浸入清洗液4表面以下的位置，并在清洁刷2的作用下将他接触清洗液4的部分附带出清洗液4刷至晶片1未浸入清洗液4表面以下的位置，以对晶片1未浸入清洗液4表面以下的部分进行清洗。
44.第四方面，基于第一方面的晶片清洗装置，本发明提供一种晶片清洗方法，包括：
45.首先，将待清洗的晶片1竖直安装在支架上，并使晶片1中五分之二的部分位于清洗液4内。
46.然后，启动第一驱动件和第二驱动件，使清洁刷2自身转动的同时，通过第一驱动件带动晶片1旋转，以对待清洗表面进行清理。
47.由于刷体的中心轴与晶片1的转轴中心线在同一水平面内，且刷体的长度不小于晶片1的直径，如此使得清洁刷2全面地对待清洗表面进行清洗。
48.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。