滤波器组件及其制造方法、电子设备与流程

技术特征：
1.一种滤波器组件，包括：基底；多个滤波器，其设置在所述基底上，所述多个滤波器包括在水平方向上彼此相邻设置的第一滤波器和第二滤波器，第一滤波器具有多个膜层形成的第一叠置结构，第二滤波器具有多个膜层形成的第二叠置结构，其中：第一叠置结构中的至少两个膜层的厚度不同于第二叠置结构中的对应膜层的厚度。2.根据权利要求1所述的组件，其中：第一滤波器与第二滤波器之间在水平方向上的距离在5μm-200μm的范围内。3.根据权利要求1所述的组件，其中：第一叠置结构的多个膜层包括叠置的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，第二叠置结构的多个膜层包括叠置的第二底电极、第二压电层和第二顶电极；第一底电极、第一压电层和第一顶电极中至少两个膜层的厚度不同于第二底电极、第二压电层和第二顶电极中的对应膜层的厚度。4.根据权利要求3所述的组件，其中：第一底电极、第一压电层和第一顶电极中至少两个膜层的厚度大于第二底电极、第二压电层和第二顶电极中对应膜层的厚度的至少10％。5.根据权利要求1所述的组件，其中：第一叠置结构的多个膜层包括叠置的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，以及包括第一温补层、第一质量负载层和第一钝化层中的至少一层，第二叠置结构的多个膜层包括叠置的第二底电极、第二压电层和第二顶电极，以及包括第二温补层、第二质量负载层、第二钝化层中的至少一层。6.根据权利要求1所述的组件，其中：所述第一滤波器的频率与所述第二滤波器的频率相差超过10％；和/或所述第一滤波器内的谐振器的机电耦合系数与所述第二滤波器内的谐振器的机电耦合系数之间的差值不小于1％。7.根据权利要求1所述的组件，其中：第一滤波器的膜层与第二滤波器的对应膜层相接且两者之间存在台阶部，所述台阶部形成的角度在0-90
°
的范围内；或者所述第一滤波器的膜层与第二滤波器的对应膜层均在水平方向上断开，或者所述第一滤波器的膜层与第二滤波器的对应膜层除了压电层之外均在水平方向上断开。8.根据权利要求1-7中任一项所述的组件，其中：第一滤波器为单个rx滤波器，第二滤波器为单个tx滤波器；且所述组件还包括一个围绕结构，所述一个围绕结构包括在水平方向上依次相接布置的封装环、划片道和密封胶，所述第一滤波器和第二滤波器同时布置在所述一个围绕结构内。9.根据权利要求8所述的组件，其中：所述第一滤波器的所有谐振器的相同膜层具有相同的厚度，且所述第二滤波器的所有谐振器的相同膜层具有相同的厚度。10.一种滤波器组件的制造方法，所述滤波器组件至少包括第一滤波器和第二滤波器，
所述方法包括步骤：提供基底；在基底上依次形成第一滤波器和第二滤波器的多个膜层，第一滤波器的多个膜层形成第一叠层结构，第二滤波器的多个膜层形成第二叠层结构，其中：所述方法包括步骤a：利用遮罩掩膜使得第一叠层结构的一个膜层的厚度不同于第二叠层结构的对应膜层的厚度。11.根据权利要求10所述的方法，其中：在形成了第一叠层结构的一个膜层以及第二叠层结构的对应膜层之后，所述方法还包括利用遮罩掩膜减薄所述对应膜层的厚度。12.根据权利要求11所述的方法，其中：所述遮罩掩膜包括无图形区域以及有图形区域，所述步骤a包括：使得所述无图形区域处于对应于第一叠层结构的所述一个膜层的位置而所述有图形区域则处于对应于第二叠层结构的所述对应膜层的位置；以及从所述有图形区域刻蚀或移除所述对应膜层的一部分以减薄所述对应膜层。13.根据权利要求11所述的方法，其中：所述减薄对应膜层的厚度的减薄工艺通过利用遮罩掩膜执行；且对应膜层依次基于沉积工艺、减薄工艺和图形化工艺而形成，或者依次基于沉积工艺、图形化工艺和减薄工艺而形成，或者依次基于沉积工艺、减薄工艺、沉积工艺和图形化工艺而形成。14.根据权利要求10所述的方法，其中：所述步骤a包括：在形成了第一叠层结构的一个膜层以及第二叠层结构的对应膜层之后，所述方法还包括利用遮罩掩膜以沉积的方式增加所述一个膜层的厚度；或者所述步骤a包括：利用遮罩掩膜以沉积的方式形成所述一个膜层的一层之后，利用沉积工艺形成所述对应膜层以及在所述一层上沉积另一层以形成所述一个膜层，所述对应膜层的厚度等于所述另一层的厚度。15.根据权利要求14所述的方法，其中：所述遮罩掩膜包括无图形区域以及有图形区域，所述步骤a包括：使得所述有图形区域处于对应于第一叠层结构的所述一个膜层的位置而所述无图形区域则处于对应于第二叠层结构的所述对应膜层的位置；以及在所述有图形区域执行沉积工艺以增加所述一层膜层的厚度。16.根据权利要求14所述的方法，其中：所述增加所述一层膜层的厚度的加厚工艺通过利用遮罩掩膜执行；且所述一个膜层依次基于沉积工艺、加厚工艺和图形化工艺而形成，或者依次基于加厚工艺、沉积工艺、图形化工艺而形成。17.根据权利要求10所述的方法，其中：所述步骤a包括：利用遮罩掩膜以沉积的方式分别形成所述一个膜层和所述对应膜层，所述一个膜层的厚度不同于所述对应膜层的厚度。18.根据权利要求17所述的方法，其中：
所述遮罩掩膜包括无图形区域以及有图形区域，所述步骤a包括：在形成所述一个膜层时，使得所述有图形区域处于对应于第一叠层结构的所述一个膜层的位置，而所述无图形区域则处于对应于第二叠层结构的所述对应膜层的位置；以及在形成所述对应膜层时，使得所述有图形区域处于对应于第二叠层结构的所述对应膜层的位置，而所述无图形区域则处于对应于第一叠层结构的所述一个膜层的位置。19.根据权利要求10所述的方法，其中：第一叠置结构的多个膜层包括叠置的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，第二叠置结构的多个膜层包括叠置的第二底电极、第二压电层和第二顶电极；所述步骤a包括：利用遮罩掩膜使得第一叠层结构中至少两个膜层的厚度不同于第二叠层结构中的对应膜层的厚度。20.根据权利要求10所述的方法，其中：第一叠置结构的多个膜层包括叠置的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，以及包括第一温补层、第一质量负载层和第一钝化层中的至少一层，第二叠置结构的多个膜层包括叠置的第二底电极、第二压电层和第二顶电极，以及包括第二温补层、第二质量负载层、第二钝化层中的至少一层；所述步骤a包括：利用遮罩掩膜使得第一叠层结构中至少两个膜层的厚度不同于第二叠层结构中的对应膜层的厚度。21.根据权利要求10-20中任一项所述的方法，其中：通过步骤a，使得：所述第一滤波器的膜层厚度与第二滤波器的对应膜层厚度的厚度差不小于10％；和/或所述第一滤波器的频率与所述第二滤波器的频率相差不小于10％；和/或所述第一滤波器内的谐振器的机电耦合系数与所述第二滤波器内的谐振器的机电耦合系数之间的差值不小于1％。22.根据权利要求10-20中任一项所述的方法，其中：第一滤波器为单个rx滤波器，第二滤波器为单个tx滤波器；且所述方法还包括步骤：使用一个围绕结构封装所述组件，所述一个围绕结构包括在水平方向上依次相接布置的封装环、划片道和密封胶，所述第一滤波器和第二滤波器同时布置在所述一个围绕结构内。23.一种电子设备，包括根据权利要求1-9中任一项所述的滤波器组件。

技术总结
本发明涉及一种滤波器组件及其制造方法，所述组件包括：基底；多个滤波器，其设置在所述基底上，所述多个滤波器包括在水平方向上彼此相邻设置的第一滤波器和第二滤波器，第一滤波器具有多个膜层形成的第一叠置结构，第二滤波器具有多个膜层形成的第二叠置结构，其中：第一叠置结构中的至少两个膜层的厚度不同于第二叠置结构中的对应膜层的厚度。本发明还涉及一种包括该组件的电子设备。一种包括该组件的电子设备。一种包括该组件的电子设备。


技术研发人员：庞慰 黄源清 张孟伦
受保护的技术使用者：诺思（天津）微系统有限责任公司
技术研发日：2020.09.09
技术公布日：2022/3/25