一种硅片不良片的制绒处理方法与流程

1.本发明涉及微电子加工技术领域，尤其涉及一种硅片不良片的制绒处理方法。


背景技术：

2.近年来，微电子行业迅速发展，提倡节约、杜绝浪费、降低生产成本是企业生产控制的主要目标。
3.在实际生产过程中，由于设备或者工艺问题，各个工序都会产生不合格的产品，如果不对这些不合格产品进行处理，直接报废，会对企业造成很大损失，从而造成资源浪费，增加生产成本。


技术实现要素：

4.本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种硅片不良片的制绒处理方法，能够有效减少资源浪费，降低生产成本。
5.为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种硅片不良片的制绒处理方法，包括：
6.将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150w；
7.对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；
8.将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；
9.对碱制绒后的硅片进行清洗处理。
10.进一步地，所述碱性制绒液由naclo3溶液与naoh溶液配制而成，naclo3溶液与naoh溶液的浓度比为30：1，溶剂为去离子水。
11.进一步地，所述对碱制绒后的硅片进行清洗处理，具体包括：
12.将碱制绒后的硅片放置在去离子中漂洗10min；
13.将漂洗后的硅片放置在浓度为5％的hcl溶液中酸洗1min；
14.将酸洗后的硅片放置在去离子水中漂洗10min。
15.进一步地，所述方法还包括：
16.采用光刻胶对清洗后的硅片进行处理，相应制成成品。
17.与现有技术相比，本发明实施例提供了一种硅片不良片的制绒处理方法，通过将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150w；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理；能够对不良片进行再次处理并重新使用，从而能够有效减少资源浪费，降低生产成本。
附图说明
18.图1是本发明提供的一种硅片不良片的制绒处理方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
19.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
20.本发明实施例提供了一种硅片不良片的制绒处理方法，参见图1所示，是本发明提供的一种硅片不良片的制绒处理方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤s11至步骤s14：
21.步骤s11、将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150w；
22.步骤s12、对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；
23.步骤s13、将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；
24.步骤s14、对碱制绒后的硅片进行清洗处理。
25.作为上述方案的改进，所述碱性制绒液由naclo3溶液与naoh溶液配制而成，naclo3溶液与naoh溶液的浓度比为30：1，溶剂为去离子水。
26.作为上述方案的改进，所述对碱制绒后的硅片进行清洗处理，具体包括：
27.将碱制绒后的硅片放置在去离子中漂洗10min；
28.将漂洗后的硅片放置在浓度为5％的hcl溶液中酸洗1min；
29.将酸洗后的硅片放置在去离子水中漂洗10min。
30.作为上述方案的改进，所述方法还包括：
31.采用光刻胶对清洗后的硅片进行处理，相应制成成品。
32.在具体实施时，首先将刻蚀后的硅片不良片仿置在紫外灯下照射20分钟，所使用的紫外灯的功率为150w；接着以80℃的加热温度对预先配置好的碱性制绒液进行加热处理，并将紫外灯照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5分钟，以对硅片进行碱制绒处理；其中，预先配置好的碱性制绒液由naclo3溶液与naoh溶液配制而成，且naclo3溶液与naoh溶液的浓度比为30：1，溶剂为去离子水；最后对碱制绒后的硅片进行清洗处理，先将硅片从碱性制绒液中取出，再将碱制绒后的硅片放置在去离子中漂洗10分钟，之后将漂洗后的硅片放置在浓度为5％的hcl溶液中酸洗1分钟，之后将酸洗后的硅片放置在去离子水中二次漂洗10分钟，将二次漂洗后的硅片甩干，相应完成对硅片不良片的制绒处理步骤。
33.相应的，可以采用光刻胶对完成制绒处理后的硅片进行粘接、电路连接等处理工艺，从而将硅片不良片重新制成成品使用，能够使良品率达到90％。
34.综上，本发明实施例所提供的一种硅片不良片的制绒处理方法，通过将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150w；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理；能够对不良片进行再次处理并重新使用，从而能够有效减少资源浪费，降低生产成本，同时，还能够大大提高良品率。
35.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形
也应视为本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种硅片不良片的制绒处理方法，其特征在于，包括：将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150w；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理。2.如权利要求1所述的硅片不良片的制绒处理方法，其特征在于，所述碱性制绒液由naclo3溶液与naoh溶液配制而成，naclo3溶液与naoh溶液的浓度比为30：1，溶剂为去离子水。3.如权利要求1所述的硅片不良片的制绒处理方法，其特征在于，所述对碱制绒后的硅片进行清洗处理，具体包括：将碱制绒后的硅片放置在去离子中漂洗10min；将漂洗后的硅片放置在浓度为5％的hcl溶液中酸洗1min；将酸洗后的硅片放置在去离子水中漂洗10min。4.如权利要求1～3任一项所述的硅片不良片的制绒处理方法，其特征在于，所述方法还包括：采用光刻胶对清洗后的硅片进行处理，相应制成成品。

技术总结
本发明公开了一种硅片不良片的制绒处理方法，包括：将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150W；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够有效减少资源浪费，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。


技术研发人员：杨圣合
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：2020.09.09
技术公布日：2022/3/25