CdSe/N型硅叠层电池的制作方法

技术特征：
1.一种cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，包括从下往上依次连接的n型硅基子电池、第一透明导电薄膜、钝化层、cdse吸收层、窗口层、以及第二透明导电薄膜；其中，所述cdse吸收层为n型薄膜。2.如权利要求1所述的cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，所述n型硅基子电池可以为topcon电池或hjt电池中的一种。3.如权利要求1所述的cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，所述钝化层为n型cds薄膜。4.如权利要求1所述的cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，所述窗口层为p型znse:n薄膜。5.如权利要求1所述的cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，所述第一透明导电薄膜和所述第二透明导电薄膜可以为fto、ito或cto中的一种。6.如权利要求1至5中任一项所述的cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，所述cdse/n型硅叠层电池还设置有电极；所述电极包括与所述n型硅基子电池叠层连接的金属背电极、及与所述第二透明导电薄膜叠层连接的金属前电极。7.如权利要求6所述的cdse/n型硅叠层电池，其特征在于，所述电极为au或ag中的一种。

技术总结
本申请涉及一种CdSe/N型硅叠层电池，包括从下往上依次连接的N型硅基子电池、第一透明导电薄膜、钝化层、CdSe吸收层、窗口层、以及第二透明导电薄膜；其中，所述CdSe吸收层为N型薄膜。本申请通过使用CdSe材料作为吸收层，进而改善传统N型硅叠层电池转化效率低的缺点，进而提高电池对太阳光谱的有效利用率，提升电池转换效率。转换效率。转换效率。


技术研发人员：李春秀 钱洪强 张静全 张树德
受保护的技术使用者：苏州腾晖光伏技术有限公司
技术研发日：2021.11.12
技术公布日：2022/3/19