一种波长可调谐780nm半导体激光器的制作方法

技术特征：
1.一种波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，包括：光束传输系统、体布拉格光栅、温度传感器和加热单元；所述光束传输系统用于压缩入射光束的快轴发射角，并将入射光束的快慢轴旋转90
°
；所述体布拉格光栅用于压窄由所述光束传输系统出射的光束的光谱，以及锁定光束波长；所述温度传感器用于获取所述体布拉格光栅的实时温度；所述加热单元用于调整所述体布拉格光栅的温度。2.如权利要求1所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述光束传输系统，包括：快轴压缩镜和转折棱镜；所述快轴压缩镜表面为非球面，用于将光束的快轴发射角压缩至预设角度，以及对光束进行准直；所述转折棱镜用于将由所述快轴压缩镜出射产生的光斑旋转90
°
，获取圆形的远场光斑。3.如权利要求1所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括半导体激光器阵列和准直透镜组；所述半导体激光器阵列用于生成多条波长为780nm的连续光束，所述准直透镜组用于将由所述体布拉格光栅出射的波长锁定为780nm的光束聚焦整形后输出。4.如权利要求3所述的波长可调谐半导体激光器，其特征在于，所述光束传输系统、所述体布拉格光栅和所述准直透镜组均镀有780nm高透膜。5.如权利要求3所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器阵列包括多个bar条，所述体布拉格光栅的数量为多个，且所述多个bar条和多个体布拉格光栅数量一一对应。6.如权利要求1所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述加热单元为电阻式加热器。7.如权利要求1所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述电阻式加热器安装在所述体布拉格光栅上，所述电阻式加热器调整所述体布拉格光栅的温度的过程包括：所述电阻式加热器接收所述温度传感器的实时温度，根据所述实时温度和预设温度阈值调节所述电阻式加热器中加热电阻的电流，进而调整所述电阻式加热器的温度。8.如权利要求7所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述电阻式加热器采用温度反馈算法，根据所述实时温度调节加热电阻的电流。9.如权利要求7所述的波长可调谐780nm半导体激光器，其特征在于，所述体布拉格光栅、所述温度传感器和所述加热单元均为多个，所述体布拉格光栅、所述温度传感器和所述加热单元的数量相同；电阻式加热器采用温度反馈算法，根据对应的体布拉格光栅的实时温度调节加热电阻的电流，以使得各个体布拉格光栅的实时温度一致。10.一种光学系统，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的波长可调谐780nm半导体激光器。

技术总结
本申请适用于半导体激光器技术领域，提供了一种波长可调谐780nm半导体激光器，该激光器包括：光束传输系统、体布拉格光栅、温度传感器和加热单元；光束传输系统用于压缩入射光束的快轴发射角，并将入射光束的快慢轴旋转90


技术研发人员：马汉超 王媛媛 房玉锁 杨红伟 孙芮 孙奕涛 申正坤 刘亚岐 刘雨佳 黄乐乐 庞帅 牛丽媛 高健
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2021.12.17
技术公布日：2022/3/15