一种MOS耐压及漏电流验证方法、系统和计算机终端与流程

技术特征：
1.一种mos耐压及漏电流验证方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：获取多电源域集成电路版图；s2：对多电源域集成电路版图进行mos耐压验证、有源区到n型阱的漏电流验证、p型阱到有源区的漏电流验证和p型阱到n型阱的漏电流验证，输出验证结果；s3：若所述验证结果为存在mos耐压、有源区到n型阱的漏电流、p型阱到有源区的漏电流或p型阱到n型阱的漏电流中的至少一种，则执行s4；否则，执行s5；s4：根据所述验证结果对多电源域集成电路版图进行修改，得到修改后的多电源域集成电路版图，执行所述s1-s3；s5：输出多电源域集成电路版图。2.根据权利要求1所述的一种mos耐压及漏电流验证方法，其特征在于，所述s2之前包括以下步骤：建立多电源域集成电路版图的连接关系数据库，所述连接关系数据库包括以下连接关系：金属与金属通过通孔连接、多晶硅与有源区通过接触孔连接、有源区与n型阱通过接触孔连接、有源区与p型阱通过接触孔连接、pmos的源极与漏极默认不连接、nmos的源极与漏极默认不连接，以及pmos的源极与漏极经处理后不连接；建立多电源域集成电路版图的图形数据库，所述图形数据库包括以下图形单元：负电压mos、0电压mos、低电压mos、中电压mos和高电压mos的栅极；负电压mos、0电压mos、低电压mos、中电压mos和高电压mos的源极；负电压mos、0电压mos、低电压mos、中电压mos和高电压mos的漏极；负电压mos、0电压mos、低电压mos、中电压mos和高电压mos的背栅；负电压n型阱、0电压n型阱、低电压n型阱、中电压n型阱和高电压n型阱；负电压p型阱、0电压p型阱、低电压p型阱、中电压p型阱和高电压p型阱；高电压mos、中电压mos和低电压mos。3.根据权利要求2所述的一种mos耐压及漏电流验证方法，其特征在于，所述mos耐压验证的方法为：验证多电源域电路版图中是否存在mos耐压验证规则中的一种或多种mos耐压情况；所述mos耐压验证规则包括：低电压mos的栅极接到中电压或高电压、中电压mos的栅极接到高电压、低电压mos的源极和漏极接到中电压或高电压，以及中电压mos的源极和漏极接到高电压；若存在mos耐压验证规则中的至少一种mos耐压情况，则根据所述连接关系数据库和所述图形数据库，输出与多电源域集成电路版图中存在的mos耐压情况相应的图形。4.根据权利要求2所述的一种mos耐压及漏电流验证方法，其特征在于，所述有源区到n型阱的漏电流验证的方法为：验证多电源域集成电路版图中是否存在有源区到n型阱的漏电流验证规则中的一种或多种漏电情况；所述有源区到n型阱的漏电验证规则包括：0电压有源区接到负电压n型阱，低电压有源区接到负电压n型阱或0电压n型阱，中电压有源区接到负电压n型阱、0电压n型阱或低电压n型阱，以及高电压有源区接到负电压n型阱、0电压n型阱、低电压n型阱或中电压n型阱；
若存在有源区到n型阱的漏电流验证规则中的至少一种漏电情况，则根据所述连接关系数据库和所述图形数据库，输出与多电源域集成电路版图中存在的漏电情况相应的图形。5.根据权利要求2所述的一种mos耐压及漏电流验证方法，其特征在于，所述p型阱到有源区的漏电流验证的方法为：验证多电源域集成电路版图中是否存在p型阱到有源区的漏电流验证规则中的一种或多种漏电情况；所述p型阱到有源区的漏电流验证规则包括：0电压p型阱接到负电压有源区，低电压p型阱接到负电压有源区或0电压有源区，中电压p型阱接到负电压有源区、0电压有源区或低电压有源区，以及高电压p型阱接到负电压有源区、0电压有源区、低电压有源区或中电压有源区；若存在所述p型阱到有源区的漏电流验证规则中的至少一种漏电情况，则根据所述连接关系数据库和所述图形数据库，输出与多电源域集成电路版图中存在的漏电情况相应的图形。6.根据权利要求2所述的一种mos耐压及漏电流验证方法，其特征在于，所述p型阱到n型阱的漏电流验证的方法为：验证多电源域集成电路版图中是否存在p型阱到n型阱的漏电流验证规则中的一种或多种漏电情况，所述p型阱到n型阱的漏电流验证规则包括：0电压p型阱接到负电压n型阱，低电压p型阱接到负电压n型阱或0电压n型阱，中电压p型阱接到负电压n型阱、0电压n型阱或低电压n型阱，以及高电压p型阱接到负电压n型阱、0电压n型阱、低电压n型阱或中电压n型阱；若存在所述p型阱到n型阱的漏电流验证规则中的至少一种漏电情况，则根据所述连接关系数据库和所述图形数据库，输出与多电源域集成电路版图中存在的漏电情况相应的图形。7.一种mos耐压及漏电验证系统，其特征在于，包括：数据获取模块，用于获取多电源域集成电路版图；验证模块，用于对所述多电源域集成电路版图进行mos耐压验证、有源区到n型阱的漏电流验证、p型阱到有源区的漏电流验证和p型阱到n型阱的漏电流验证，输出验证结果；验证结果判别模块，用于对所述验证结果的类型及数量进行判别，得到判别结果；修改模块，用于对存在mos耐压、有源区到n型阱的漏电流、p型阱到有源区的漏电流或p型阱到n型阱的漏电流的多电源域电路版图进行修改，得到修改后的多电源域集成电路版图；控制模块，用于根据所述判别结果控制所述数据获取模块、所述验证模块、所述验证判别模块和所述修改模块工作；数据输出模块，用于输出正确的多电源域集成电路版图。8.根据权利要求7所述的一种mos耐压及漏电验证系统，其特征在于，包括：连接关系数据库建立模块，用于定义多电源域集成电路版图中所有的器件连接关系，利用定义的器件连接关系建立连接关系数据库；图形数据库建立模块，用于获取多电源域集成电路版图中所有的器件图形，利用获取的器件图形建立图形数据库。
9.根据权利要求7所述的一种mos耐压及漏电验证系统，其特征在于，所述验证模块包括：mos耐压验证单元、有源区到n型阱的漏电流验证单元、p型阱到有源区的漏电流验证单元和p型阱到n型阱的漏电流验证单元。10.一种用于mos耐压及漏电流验证的计算机终端，包括处理器和存储器，其特征在于，所述存储器用于存储实现权利要求1-7中任意一项所述mos耐压验证及漏电验证的计算机程序；所述处理器用于执行所述存储器中的计算机程序。

技术总结
本发明公开了一种MOS耐压及漏电流验证方法、系统和计算机终端。其中，MOS耐压及漏电流验证方法包括以下步骤：S1：获取多电源域集成电路版图；S2：对多电源域集成电路版图进行MOS耐压验证和漏电流验证，输出验证结果；S3：若所述验证结果为存在MOS耐压或漏电流中的至少一种，则执行S4；否则，执行S5；S4：根据所述验证结果对多电源域集成电路版图进行修改，得到修改后的多电源域集成电路版图，执行所述S1-S3；S5：输出多电源域集成电路版图。本发明不依赖于人的经验，整个验证过程严格按照验证规则和既定流程执行，采用计算机验证替代人工检查，从而大幅提高验证效率和准确率。从而大幅提高验证效率和准确率。从而大幅提高验证效率和准确率。


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：四川创安微电子有限公司
技术研发日：2021.12.15
技术公布日：2022/3/15