一种提高低压有机薄膜晶体管偏压稳定性的方法及其制备工艺与流程

技术特征：
1.一种提高低压有机薄膜晶体管偏压稳定性的方法及其制备工艺，包括依次设置的衬底、金属栅电极、plasma等离子处理high-k聚合物介电层、有机小分子2，7-dioctyl[1]benzothieno[3，2-b][1]benzothiophene(c8-btbt)与惰性聚合物混合体系、金属电极以及高速中心旋涂。2.根据权利要求1所述的有机小分子c8-btbt与聚合物混合的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机小分子c8-btbt与惰性聚合物共同混合体系，有机小分子的量不变，聚合物的占比较高，优选为50％～80％。3.根据权利要求1所述高速中心旋涂有机小分子与惰性聚合物混合体系，其特征在于高速旋涂在被plasma等离子处理的high-k聚合物介电层，形成相分离结构从修饰high-k表面从而提高偏压稳定性，旋涂速度优选为4000r/min～6000r/min。4.根据权利要求1所述plasma等离子处理high-k电介层，其特征在于，high-k介电层为弛豫铁电聚合物p(vdf-trfe-cfe)且plasma等离子处理增加介电层的亲水性。5.根据权利要求1～4任意一项提高有机小分子薄膜晶体管偏压稳定性的方法及其制备工艺，包括以下步骤：(1)在所述玻璃，硅衬底上覆盖金属电极，形成gate电极；(2)在所述镀有电极的基板上制备介电层；(3)在所述介电层上进行plasma等离子处理制备表面修饰层；(4)在所述表面修饰层上制备c8-btbt/polymer混合半导体层；(5)在所述半导体层上固定位置制备源漏电极对。

技术总结
本发明提供了一种提高低压有机薄膜晶体管偏压稳定性的方法及其制备工艺，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、金属栅电极、plasma等离子处理的P(VDF-TrFE-CFE)介电层。有机小分子C8-BTBT与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂法、金属栅电极。本发明通过控制混合体系的比例用高速中心旋涂法使共混体系发生相分离，使底部聚合物修饰plasma等离子处理P(VDF-TrFE-CFE)介电层，可以在低压的操作条件下实现偏压稳定性的提高，共混体系的引入，一方面辅助小分子成膜，另一方面减弱了high-k栅介电层P(VDF-TrFE-CFE)的极化作用，我们所制备的低压薄膜晶体管在栅极电压-5V，源漏极电压-0.5V，的持续3200s的偏压应力下，阈值电压变化＜0.5V。阈值电压变化＜0.5V。阈值电压变化＜0.5V。


技术研发人员：李金华 郭松阳 周慧 王贤保
受保护的技术使用者：湖北大学
技术研发日：2020.09.14
技术公布日：2022/3/14