异质结太阳能电池及光伏组件的制作方法

技术特征：
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底正面的第一本征非晶层、第一掺杂层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层、第二透明导电膜层以及第二集电极；所述第一本征非晶层的厚度小于所述第二本征非晶层的厚度。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层的厚度为4-6nm，所述第二本征非晶层的厚度为5-10nm。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二本征非晶层的厚度为6-8nm。4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层均为非晶硅膜。5.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层为微晶氧化硅膜或微晶碳化硅膜。6.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层为微晶硅膜。7.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度小于所述第二掺杂层的厚度。8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为4-8nm，所述第二掺杂层的厚度为5-15nm。9.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅衬底为n型单晶硅，所述第一掺杂层为n型掺杂膜，所述第二掺杂层为p型掺杂膜。10.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的厚度不大于所述第二透明导电膜层的厚度。11.一种光伏组件，其特征在于，具有权利要求1-10任意一项所述的异质结太阳能电池。

技术总结
本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底正面的第一本征非晶层、第一掺杂层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层、第二透明导电膜层以及第二集电极；所述第一本征非晶层的厚度小于所述第二本征非晶层的厚度；本发明中第一本征非晶层厚度相对较小可以有效降低异质结太阳能电池正面的短波吸收，提高异质结太阳能电池的短路电流；而第二本征非晶层相对较厚可以提高异质结太阳能电池背面的钝化效果，提升异质结太阳能电池的开路电压。升异质结太阳能电池的开路电压。升异质结太阳能电池的开路电压。


技术研发人员：吴华德 姚铮 张达奇
受保护的技术使用者：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/3/10