一种直插式LED器件的制作方法

一种直插式led器件
技术领域
1.本技术涉及发光二极管技术领域，特别是涉及一种直插式led器件。


背景技术：

2.led(light-emitting diode，发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。
3.直插式led器件中led晶片固晶后，焊接导线，利用导线将led晶片与直插式led器件的支架连接，焊接导线的过程中存在击伤led晶片、虚焊、脱焊、断线、塌陷等一系列问题，从而导致直插式led器件失效，另一方面，用户使用直插式led器件时多使用机插方式，在经过高温后较容易出现焊线断线的问题，从而导致直插式led器件失效。
4.因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。


技术实现要素：

5.本技术的目的是提供一种直插式led器件，以提升直插式led器件的品质和良率。
6.为解决上述技术问题，本技术提供一种直插式led器件，包括：
7.支架；
8.led共晶晶片，所述led共晶晶片的正极和负极均与所述支架电连接；
9.包覆所述led共晶晶片的封装体。
10.可选的，还包括：
11.与所述支架电连接的基板；
12.相应的，所述led共晶晶片的所述正极和所述负极与所述基板电连接。
13.可选的，还包括：
14.设于所述基板上且位于所述led共晶晶片周围的白墙。
15.可选的，所述基板为陶瓷基板。
16.可选的，所述封装体为环氧树脂封装体。
17.可选的，还包括：
18.设于所述封装体表面的增透膜。
19.本技术所提供的一种直插式led器件，包括支架；led共晶晶片，所述led共晶晶片的正极和负极均与所述支架电连接；包覆所述led共晶晶片的封装体。
20.可见，本技术直插式led器件包括支架、led共晶晶片和封装体，晶片为led共晶晶片，其正极和负极均与所述支架电连接，无需使用导线将晶片与支架进行焊接，led共晶晶片免受焊接带来的损伤，以及避免出现虚焊、脱焊、断线、塌陷等状况，提升直插式led器件的性能，提高生产良率，同时避免直插式led器件在使用过程中出现断线的状况，提升用户使用感。
附图说明
21.为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1为相关技术中直插式led器件的结构示意图；
23.图2为本技术实施例所提供的一种直插式led器件的结构示意图；
24.图3为本技术实施例所提供的另一种直插式led器件的结构示意图；
25.图4为本技术实施例中led共晶晶片和白墙位于陶瓷基板上的示意图。
具体实施方式
26.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
28.相关技术中直插式led器件的结构示意图如图1所示，需要依靠导线4(例如金线、合金线等)将led晶片2'的一个电极与支架1的一个引脚连接，焊接导线的过程中存在击伤led晶片2'、虚焊、脱焊、断线、塌陷等一系列问题，从而导致直插式led器件失效，另一方面，用户使用直插式led器件时多使用机插方式，在经过高温后较容易出现焊线断线的问题，从而导致直插式led器件失效。
29.有鉴于此，本技术提供了一种直插式led器件，请参考图2，图2为本技术实施例所提供的一种直插式led器件的结构示意图，包括：
30.支架1；
31.led共晶晶片2，所述led共晶晶片2的正极和负极均与所述支架1电连接；
32.包覆所述led共晶晶片2的封装体3。
33.需要指出的是，支架1远离led共晶晶片2的一端露于所述封装体3的外部。
34.支架1包括第一支架部11和第二支架部12，第一支架部11和第二支架部12之间绝缘，第一支架部11和第二支架部12一个作为正极引脚，另一个作为负极引脚，对应于led共晶晶片2的正极和负极电连接。
35.需要说明的是，本技术中对led共晶晶片2的发光类型不做限定，视情况而定。例如，led共晶晶片2为红光led共晶晶片，或者绿光led共晶晶片，或者蓝光led共晶晶片等等。
36.led共晶晶片2的正极和负极位于led共晶晶片2的同一表面。本技术中对led共晶晶片2的正极不做限定，例如，正极可以为金电极，或者金锡合金电极，或者银电极等等。同理，本技术中对led共晶晶片2的负极也不做限定，例如，负极可以为金电极，或者金锡合金电极，或者银电极等等。
37.可选的，作为一种具体实施方式，所述封装体3为环氧树脂封装体，环氧树脂封装
体封装性能优异，可以提升直插式led器件的性能。但是本技术对此并不做具体限定，作为另一种具体实施方式，封装体3还可以为硅胶封装体。
38.封装体3的上表面可以为平面或者弧面，本技术不做限定。
39.本技术直插式led器件包括支架1、led共晶晶片2和封装体3，晶片为led共晶晶片2，其正极和负极均与所述支架1电连接，无需使用导线将晶片与支架1进行焊接，led共晶晶片2免受焊接带来的损伤，以及避免出现虚焊、脱焊、断线、塌陷等状况，提升直插式led器件的性能，提高生产良率，同时避免直插式led器件在使用过程中出现断线的状况，提升用户使用感。
40.请参考图3，图3为本技术实施例所提供的另一种直插式led器件的结构示意图。在上述实施例的基础上，直插式led器件还包括：
41.与所述支架1电连接的基板6；
42.相应的，所述led共晶晶片2的所述正极和所述负极与所述基板6电连接。
43.本技术中对基板6与支架1之间的连接介质体5不做限定，可自行设置。例如，连接介质体5可以为锡膏，或者银浆等导电体。
44.需要说明的是，本技术中的基板6包括但不限于陶瓷基板、厚铜箔、铜基板。
45.进一步的，为了提升直插式led器件的光效，直插式led器件还包括：
46.设于所述基板6上且位于所述led共晶晶片2周围的白墙7。
47.白墙7呈白色，具有高反射率，良好的光稳定性、热稳定性，以及良好的粘接性，由一种添加了钛白粉颗粒的硅胶形成。
48.当基板6为陶瓷基板时，led共晶晶片2和白墙7位于陶瓷基板上的示意图如图4所示，陶瓷基板的上、下表面分布有导通的铜焊盘61，下表面的铜焊盘61与支架1导通，led共晶晶片2的正极和负极与上表面的铜焊盘61导通，从而实现led共晶晶片2与支架1的电导通。并且，采用陶瓷基板还可以提高直插式led器件可通电流上限及散热功能，从而进一步提升直插式led器件的可靠性和生产良率。
49.在上述任一实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，直插式led器件还包括：
50.设于所述封装体3表面的增透膜，以提升直插式led器件的光线出射率。
51.增透膜可以为二氧化硅膜层，或者其他具有增透效果的膜层。
52.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
53.以上对本技术所提供的直插式led器件进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以对本技术进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本技术权利要求的保护范围内。