用于减少光电二极管中的光学和电串扰的系统、方法和装置与流程

技术特征：
1.一种雪崩光电二极管，其包括：第一层，所述第一层包括钝化材料，所述钝化材料没有电场；第二层，所述第二层包括吸收材料，所述第二层在所述第一层上；活性区域，所述活性区域包括掩埋p-n结和所述第二层的至少第一部分，并且所述活性区域具有大于零的电场；以及平台结构，所述平台结构基于所述第二层的第二部分的缺失，所述第二层的所述第二部分的所述缺失与所述掩埋p-n结的距离大于零。2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其还包括在所述第二层上的第三层，其中所述掩埋p-n结设置在所述第三层中。3.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其中所述第二层的所述第二部分的所述缺失是基于在所述距离处去除所述第二层的所述第二部分，并且其中所述去除是基于从所述第三层蚀刻到所述第一层。4.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中所述第二层的所述第二部分的所述缺失是基于在所述距离处去除所述第二层的所述第二部分，所述距离是距所述掩埋p-n结十五微米或更小。5.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中在所述距离处，所述第二层中的所述电场为零。6.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中在所述距离处，所述第二层中的所述电场不为零。7.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中所述距离是基于与所述雪崩光电二极管相关联的钝化量。8.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中所述距离是基于所述活性区域的所述电场的强度。9.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其还包括在所述第二层上的第三层，其中所述掩埋p-n结设置在所述第二层和所述第三层中。10.根据权利要求9所述的雪崩光电二极管，其中所述第二层的所述第二部分的所述缺失是基于在所述距离处去除所述第二层的所述第二部分，并且其中所述去除是基于从所述第三层蚀刻到所述第一层。11.一种雪崩光电二极管，其包括：第一层，所述第一层包括钝化材料，所述钝化材料没有电场；第二层，所述第二层包括吸收材料，所述第二层在所述第一层上；第三层，所述第三层在所述第二层上；活性区域，所述活性区域包括掩埋p-n结并且具有大于零的电场，所述活性区域包括所述第二层的至少第一部分和所述第三层的至少第一部分；以及平台结构，所述平台结构基于所述第二层的第二部分的第一次缺失和所述第三层的第二部分的第二次缺失，所述第一次缺失和所述第二次缺失在距所述掩埋p-n结大于零的距离处。12.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其中所述第一次缺失和所述第二次缺失是基于在所述距离处去除所述第二层的所述第二部分和所述第三层的所述第二部分，所述
距离是距所述掩埋p-n结十五微米或更小。13.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其中在所述距离处，所述第二层中的所述电场为零。14.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其中在所述距离处，所述第二层中的所述电场不为零。15.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其中所述距离是基于与所述雪崩光电二极管相关联的钝化量。16.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其中所述距离是基于所述活性区域的所述电场的强度。17.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其中所述掩埋p-n结设置在所述第二层和所述第三层中。18.一种用于形成光电二极管的方法，其包括：形成第一层，所述第一层包括钝化材料，所述钝化材料没有电场；形成第二层，所述第二层包括吸收体材料，所述第二层在所述第一层上；形成扩散区域，所述扩散区域包括掩埋p-n结；形成活性区域，所述活性区域包括所述掩埋p-n结并具有大于零的电场；以及基于所述第二层的一部分到所述第一层的去除形成平台结构，所述去除在距所述掩埋p-n结一定距离处执行。19.根据权利要求18所述的方法，其中在所述距离处，所述第二层中的所述电场为零。20.根据权利要求18所述的方法，其中在所述距离处，所述第二层中的所述电场不为零。

技术总结
提供了用于减少光电二极管中的电和光学串扰的装置、系统和方法。光电二极管可以包括具有钝化材料的第一层，所述钝化材料没有电场。光电二极管可以包括具有吸收材料的第二层，所述第二层在第一层上方。光电二极管可以包括具有掩埋p-n结的扩散区域。光电二极管可以包括活性区域，所述活性区域具有掩埋p-n结并具有大于零的电场。光电二极管可以包括基于蚀刻穿过第二层到达第一层的平台结构，所述蚀刻在距掩埋p-n结十五微米或更小的距离处执行。行。行。


技术研发人员：B
受保护的技术使用者：阿尔戈人工智能有限责任公司
技术研发日：2021.09.08
技术公布日：2022/3/8