热处理炉的制作方法

1.本说明书中公开的技术涉及一种对被处理物实施热处理的热处理炉。


背景技术：

2.在专利文献1所公开的热处理炉中，将被处理物从输入口经过处理室而架设至输出口。将被处理物从输入口向处理室内输入，在处理室内进行输送，并从输出口输出。被处理物通过配置在处理室内的加热装置而被加热，在处理室内被输送的期间，对被处理物实施热处理。为了有效地进行被处理物的热处理，需要控制处理室内的气氛。因此，在专利文献1的热处理炉中，通过供气装置，向处理室内供给气体，来控制处理室内的气氛。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：国际公开2014/163175号


技术实现要素：

6.上述的热处理炉中，被处理物从输入口经过处理室而被架设至输出口。因此，输入口和输出口一直呈开放状，处理室经由输入口和输出口而与炉体的外部连通。其结果，炉体外部的气体经由输入口和输出口而进入到处理室内，致使处理室内的气氛变差。特别是，对输入口来说会出现下述的问题，即，伴随着被处理物从炉外被输送到处理室内，炉体外部的气体容易进入到处理室内，输入口附近的处理室内的气氛容易变差的问题。本说明书公开了能够抑制炉体外部的气体进入到处理室内的技术。
7.本说明书中公开的热处理炉具备：炉体、输送装置、多个导向辊、加热装置、第1供气装置、以及空气幕装置，其中，所述炉体具备：输入口、输出口、以及配置在输入口与输出口之间的处理室，所述输送装置将从输入口架设至输出口的被处理物从输入口经过处理室而向输出口输送，所述多个导向辊配置于处理室内，用于对通过输送装置而被输送的被处理物进行引导，所述加热装置配置在处理室内，用于对通过输送装置而被输送的被处理物进行加热，所述第1供气装置用于向处理室内供给第1气体，所述空气幕装置设置在输入口的附近，用于喷出第2气体而对输入口进行遮挡。
8.在上述的热处理炉中，空气幕装置设置在输入口的附近，通过从空气幕装置喷出的第2气体而对输入口进行遮挡。因此，能够抑制炉体外部的气体进入到处理室内。据此，能够抑制输入口附近的处理室内的气氛变差的情形。
附图说明
9.图1是实施例1所涉及的热处理炉的纵向截面图。
10.图2是图1的ii－ii线截面图。
11.图3是实施例1所涉及的加热器的截面图。
12.图4是实施例1所涉及的供气管的截面图。
13.图5是放大表示配置有空气幕装置的输入口附近的纵向截面图。
14.图6是沿着图5的vi－vi线截面图。
15.图7是实施例1所涉及的空气幕供气管的截面图。
16.图8是放大表示配置在热处理炉的输入口附近的开口宽度调整装置的纵向截面图。
17.图9是沿着图8的ix－ix线截面图。
18.图10是放大表示对导向辊的旋转轴进行支承的轴承部分的截面图。
19.附图标记说明
20.10
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热处理炉
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12
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炉体
21.22
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上部导向辊
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24
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下部导向辊
22.26a、26b
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第1加热器
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28
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第2加热器
23.38
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供气管
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48a
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上部供气管
24.48b
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下部供气管
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49a、49b
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供气口
25.50
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空气幕装置
具体实施方式
26.在本说明书所公开的热处理炉中，被处理物可以是从输入口架设至输出口的薄膜体。空气幕装置可以具备：配置在薄膜体的表面侧且朝向薄膜体的表面喷出第2气体的第1供气口、以及配置在薄膜体的背面侧且朝向薄膜体的背面喷出第2气体的第2供气口。根据这样的构成，形成在作为被处理物的薄膜体的表面侧的开口(形成在输入口的表面侧的壁与薄膜体的表面之间的开口)通过从第1供气口喷出的第2气体而被遮挡，形成在薄膜体的背面侧的开口(形成在输入口的背面侧的壁与薄膜体的背面之间的开口)通过从第2供气口喷出的第2气体而被遮挡。据此，能够有效地抑制炉体外部的气体进入到处理室内的情形。
27.在本说明书所公开的热处理炉中，第1供气口可以配置在输入口附近的处理室侧。从第1供气口喷出第2气体的方向可以是：从第1供气口经过输入口而朝向炉体外部的方向。另外，第2供气口可以配置在输入口附近的处理室侧。从第2供气口喷出第2气体的方向可以是：从第2供气口经过输入口而朝向炉体外部的方向。根据这样的构成，由于从处理室内经由输入口而朝向炉体外部喷出第2气体，因此，能够有效地抑制炉体的外部的气体进入到处理室内的情形。
28.在本说明书所公开的热处理炉中，在与薄膜体的表面正交且通过输入口和输出口的断面来观察时，从第1供气口喷出第2气体的方向与薄膜体的表面所成的角度可以为0～90度的范围。另外，从第2供气口喷出第2气体的方向与薄膜体的背面所成的角度可以为0～90度的范围。根据这样的构成，从第1供气口及第2供气口喷出的第2气体冲撞薄膜体的表面或者背面，其至少一部分是沿着薄膜体的表面流动的。通过这样的第2气体的流动，能够有效地抑制炉外的气体进入到处理室内的情形。
29.在本说明书所公开的热处理炉中，在沿着薄膜体的输送方向进行观察时，输入口可以呈现出：具有与薄膜体的表面平行的一对第1边、和与薄膜体的表面正交的一对第2边的矩形。第1供气口和第2供气口可以沿着第1边而配置。根据这样的构成，一对第1边的一边(表面侧的那一边)与薄膜体的表面之间、以及、一对第1边的另一边(背面侧的那一边)与薄
膜体的背面之间分别通过从第1供气口及第2供气口喷出的第2气体而相对于炉外被遮挡。
30.在本说明书所公开的热处理炉中，当将输入口的第1边的长度设定为l，将第1供气口的与第1边平行的方向上的尺寸设定为l1时，l≤l1的关系可以成立。根据这样的构成，由于将第1供气口的尺寸设置为第1边的长度以上，因此，能够有效地抑制炉外气体从输入口进入的情形。另外，第1供气口可以由单一的供气口(例如，窄缝状的供气口)来形成。这种情况下，可以将单一的供气口的尺寸l1设定为l以上。或者，第1供气口也可以由在与第1边平行的方向上空开间隔地配置的多个供气口来形成。这种情况下，可以将多个供气口之中的一方的端部所配置的供气口至另一方的端部所配置的供气口为止的尺寸l1设定为l以上。
31.在本说明书所公开的热处理炉中，在沿着薄膜体的输送方向进行观察时，输入口可以呈现出：具有与薄膜体的表面平行的一对第1边、和与薄膜体的表面正交的一对第2边的矩形。热处理炉可以进一步具备：对输入口的第2边的尺寸进行调整的开口宽度调整装置。根据这样的构成，通过调整输入口的开口宽度，能够调整炉外气体向处理室内进入的程度。
32.在本说明书所公开的热处理炉中，开口宽度调整装置可以具备：配置在薄膜体的表面侧的第1遮蔽板、以及配置在薄膜体的背面侧的第2遮蔽板。第1遮蔽板可以在与薄膜体表面正交的方向上进行移动。第2遮蔽板可以在与薄膜体背面正交的方向上进行移动。而且，可以通过调整第1遮蔽板和第2遮蔽板的位置，来调整输入口的第2边的尺寸。根据这样的构成，通过调整2个遮蔽板的位置，能够调整输入口的开口宽度。
33.在本说明书所公开的热处理炉中，炉体可以具备：针对每个导向辊而设置的且将该导向辊支承为能够旋转的轴承部。各轴承部可以进一步具备：将第1气体和第2气体中的至少一方供给于该轴承部与处理室之间的空间的第2供气装置。根据这样的构成，能够抑制炉外气体经由轴承部而进入到处理室内的情形。
34.在本说明书所公开的热处理炉中，被处理物可以经过由多个导向辊规定的输送路径而从输入口输送到输出口。加热装置可以具备多个加热器，上述多个加热器沿着输送路径配置，并放射出红外区域的电磁波来对被处理物进行加热。根据这样的构成，被处理物在输送路径上被输送的期间，能够通过沿着输送路径配置的多个加热器而被加热。
35.在本说明书所公开的热处理炉中，第1供气装置可以具备：在处理室内沿着输送路径配置的且朝向被处理物喷出第1气体的多个供气管。根据这样的构成，通过沿着输送路径配置的多个供气管，能够将热处理炉内的气氛调整到所期望的气氛。
36.在本说明书所公开的热处理炉中，被处理物可以是具备：薄膜、以及涂布在薄膜的表面及背面中的至少一方上的糊料的薄膜体。加热装置可以将糊料中包含的水分除去。根据这样的构成，由于能够将处理室内的气氛控制在所期望的气氛，所以，能够有效地进行糊料中所包含的水分除去。
37.在本说明书所公开的热处理炉中，输送装置可以进一步具备：输入口辊，其配置于炉体的外侧且配置于输入口的附近，并卷绕有被处理物；以及输出口辊，其配置于炉体的外侧且配置于输出口的附近，并对在处理室内输送来的被处理物进行卷绕。可以通过输入口辊及输出口辊进行旋转而将卷绕于输入口辊的被处理物从输入口辊送出、并在处理室内进行输送。根据这样的构成，能够对卷绕于输入口辊的被处理物连续地实施热处理。
38.在本说明书所公开的热处理炉中，处理室内的气氛可以为露点在0℃以下的不活
泼性气体气氛。根据这样的构成，能够抑制气氛气体中包含的水分凝结。
39.实施例
40.以下，对实施例1所涉及的热处理炉10进行说明。本实施例的热处理炉10为将工件w(被处理物的一例)中包含的水分除去的干燥炉(脱水装置)。工件w为在长度方向上连续延伸的片体，例如，在液晶显示器、有机el、电池等中使用的薄膜(薄膜体的一例)属于该工件w。对于这样的薄膜，有时薄膜本身包含水分，或者，在薄膜被覆有被覆层的情况下，有时该被覆层中包含水分。因此，首先，将薄膜中包含的水分除去，然后，将水分被除去后的薄膜切成所期望的大小，从而制造出最终产品。本实施例的热处理炉10可以用于从上述片体中除去水分。
41.以下，参照附图，对热处理炉10的构成进行说明。如图1、2所示，热处理炉10具备：长方体形状的炉体12、进行工件w相对于炉体12的输入及输出的输送装置20、对工件w进行加热的加热装置26a、26b、28、以及向工件w的表面供给冷却气体的供气装置38等。
42.炉体12具备：下壁13、与下壁13对置的上壁14、一端与下壁13连接且另一端与上壁14连接的侧壁17、18(参照图2)、以及将由上述壁13、14、17、18包围的处理室19a、19b的端部进行封闭的输入侧壁15及输出侧壁16。
43.下壁13为俯视呈矩形的板材，配置于处理室19a、19b的下方。如图1所示，在下壁13，以沿x方向空开大致恒定的间隔的方式设置有多个排气口13a。多个排气口13a中的配置于中央的5个排气口13a配置于：与后述的导向辊24对置的位置。多个排气口13a中的配置于x方向上的一端的排气口13a配置于：靠近输入侧壁15的位置。多个排气口13a中的配置于x方向上的另一端的排气口13a配置于：靠近输出侧壁15的位置。多个排气口13a均与排气风扇13b连接。当排气风扇13b运转时，处理室19a、19b内的气氛气体就会向处理室19a、19b外排出。
44.上壁14为与下壁13相同形状的板材，配置于处理室19a、19b的上方。与下壁13同样地，在上壁14，也以沿x方向空开大致恒定的间隔的方式设置有多个排气口14a。多个排气口14a分别配置于：与多个排气口13a分别对置的位置。多个排气口14a均与排气风扇14b连接。当排气风扇14b运转时，处理室19a、19b内的气氛气体就会向处理室19a、19b外排出。
45.在输入侧壁15设置有输入口15a，在输出侧壁16形成有输出口16a。输入口15a和输出口16a在高度方向上的位置为相同的位置，输入口15a和输出口16a彼此对置。由图1可知：处理室19a、19b配置于输入口15a与输出口16a之间。
46.此外，对构成炉体12的各壁13、14、15、16、17、18的内表面(即、处理室19a、19b侧的面)实施了镜面加工。其结果，上述面的红外区域的电磁波(详细而言，后述的加热器26a、26b、28放射的电磁波)的反射率为50％以上。据此，能够将加热器26a、26b、28放射的电磁波向工件w有效地照射。
47.输送装置20具备：输入口辊21，其配置在炉体12的外侧且配置于输入口15a的附近；输出口辊25，其配置在炉体12的外侧且配置于输出口16a的附近；以及多个导向辊22a、22b、22c、24，它们配置在处理室19a、19b内。
48.在输入口辊21卷绕有工件w。卷绕于输入口辊21的工件w从输入口15a经过处理室19a、19b而被架设至输出口16a。具体而言，将工件w从输入口辊21经过输入口15a而架设至导向辊22a、22b、22c、24，进而，从导向辊22a、22b、22c、24经由输出口16a而架设至输出口辊
25。
49.输出口辊25为：对从处理室19a、19b输出的工件w进行卷绕的辊。在输出口辊25连接有未图示的驱动装置，利用驱动装置而对输出口辊25进行旋转驱动。当输出口辊25旋转时，将卷绕于输入口辊21的工件w向处理室19a、19b送出。从输入口辊21送出的工件w被导向辊22a、22b、22c、24引导而在处理室19a、19b内的规定的输送路径上进行移动，从输出口16a向处理室19a、19b外送出，从而卷绕于输出口辊25。即，导向辊22a、22b、22c、24规定出处理室19a、19b内的工件w的输送路径。
50.导向辊22a、22b、22c、24具备：配置于上壁14附近的多个上部导向辊22a、22b、22c、以及配置于下壁13附近的多个下部导向辊24。此外，本实施例中，导向辊22a、22b、22c、24使用与工件w接触的接触式辊，不过，也可以使用以非接触引导工件w的非接触式辊。
51.上部导向辊22a、22b、22c以沿x方向空开恒定的间隔的方式配置。具体而言，上部导向辊22a与输入口15a相邻地配置，上部导向辊22c与输出口16a相邻地配置。多个导向辊22b以等间隔配置于上部导向辊22a与上部导向辊22c之间。上部导向辊22a、22b、22c各自在高度方向上的位置相同。
52.多个下部导向辊24与上部导向辊22a、22b、22c同样地，分别以沿x方向空开恒定的间隔的方式配置。相邻的下部导向辊24在x方向上的间隔与上部导向辊22a、22b、22c在x方向上的间隔相同。多个下部导向辊24在x方向上的位置处于相邻的上部导向辊22a、22b、22c的中央位置。多个下部导向辊24在高度方向上的位置相同。
53.如上所述，由于配置有上部导向辊22a、22b、22c和下部导向辊24，所以，从输入口15a沿x方向输送的工件w通过上部导向辊22a而被向下方输送，接下来，通过下部导向辊24而被向上方输送，之后通过上部输送辊22b和下部输送辊24而在上下方向上反复输送。并且，从最靠近输出口16a侧配置的下部输送辊24向上方输送的工件w通过上部导向辊22c而被向输出口16a输送。这样，通过在处理室19a、19b内沿上下方向反复输送，能够有效地利用处理室19a、19b内的空间，确保用于使工件w干燥的处理时间。此外，由图1可知：通过架设于导向辊22a、22b、22c、24的工件w而将处理室19a、19b区分为设置于上壁14侧的上部处理室19a、和设置于下壁13侧的下部处理室19b。另外，由图2明确可知，在没有工件w的位置(工件w的y方向的两端外侧的位置)，上部处理室19a和下部处理室19b被连接起来。
54.加热装置配置于处理室19a、19b内，用于对通过输送装置20而被输送的工件w进行加热。加热装置具备：第1加热器26a、26b，其配置于导向辊22a、22b、22c、24的附近；以及第2加热器28，其配置于上部导向辊22a、22b、22c与下部导向辊24之间的高度。如图2所示，第1加热器26a、26b和第2加热器28在导向辊22a、22b、22c、24的轴线方向上延伸，能够对工件w的整个宽度方向(y方向)进行加热。
55.如图1所示，第1加热器26a、26b具备：多个第1上部加热器26a、它们配置于上部导向辊22a、22b、22c的上方；以及多个第1下部加热器26b，它们配置于下部导向辊24的下方。第1上部加热器26a配置成：分别与所对应的上部导向辊22a、22b、22c对置，第1下部加热器26b配置成：分别与所对应的下部导向辊24对置。因此，工件w位于第1上部加热器26a与上部导向辊22a、22b、22c之间，工件w通过第1上部加热器26a而被直接加热。同样地，工件w位于第1下部加热器26b与下部导向辊24之间，工件w通过第1下部加热器26b而被直接加热。
56.第2加热器28在上部导向辊22a、22b、22c各自的下方以沿z方向空开间隔的方式配
置有2个。另外，第2加热器28在下部导向辊24各自的上方以沿z方向空开间隔的方式配置有2个。因此，配置成：11个第2加热器28沿x方向空开间隔地排列，并且，2个第2加热器28沿y方向空开间隔地排列。由图可知：第2加热器28配置于与架设于上部导向辊22a、22b、22c和下部导向辊24的工件w对置的位置(即、在工件w的输送方向上相邻的导向辊间的中间位置的附近)。由于第2加热器28在导向辊22a、22b、22c、24的轴线方向上延伸，所以，架设于上部导向辊22a、22b、22c和下部导向辊24的工件w的整个宽度方向通过第2加热器28而被加热。
57.第1加热器26a、26b为：放射出红外区域的电磁波的公知的波长可控的加热器，第1加热器26a、26b和第2加热器28具有相同的结构。因此，此处对第2加热器28的结构简单地进行说明。
58.如图3所示，第2加热器28具备：灯丝30、用于收纳灯丝30的内管32、以及用于收纳内管32的外管34。灯丝30为例如钨制的发热体，由未图示的外部电源供电。当向灯丝30供电而达到规定温度(例如1200～1700℃)时，从灯丝30放射出包括红外线在内的电磁波。内管32由红外线透过材料形成，其中，在从灯丝30放射出的电磁波中仅仅是特定的波长区域(本实施例为红外区域)的电磁波才能透过该红外线透过材料。通过适当选择用于形成内管32的红外线透过材料，能够将从灯丝30向内管32的外部放射出的电磁波的波长调整为所期望的波长。外管34也由与内管32相同的红外线透过材料形成。因此，从内管32透过的电磁波从外管34透过而向外部放射。内管32与外管34之间的空间36为：供冷媒(例如空气)流通的冷媒流路。通过向空间36(即、冷媒流路)供给冷媒，可防止外管34的温度变得过高。据此，可防止工件w过热。此外，放射红外区域的电磁波的波长可控的加热器已在例如日本特许4790092号中进行了详细的公开。
59.供气装置(第1供气装置的一例)具备：多个供气管38，它们在处理室19a、19b内沿y方向延伸；以及供气风扇(省略图示)，其配置于处理室19a、19b外，向多个供气管38供给冷却气体(第1气体的一例)。如图4所示，在供气管38的周向上的2处形成有喷出孔39a、39b。因此，从供气风扇供给至供气管38的冷却气体从喷出孔39a、39b向处理室19a、19b内喷射。本实施例中，调整用于设置供气管38的朝向，以使得从喷出孔39a、39b喷射的冷却气体的喷出方向与工件w的表面正交。如图4所示，喷出孔39a、39b配置于：夹着供气管38的轴线而对置的位置。因此，在工件w位于供气管38的输入口15a侧和输出口16a侧的情况下，从该供气管38的喷出孔39a喷射的冷却气体向一方的工件w喷射，从该供气管38的喷出孔39b喷射的冷却气体向另一方的工件w喷射。另外，如图2所示，供气管38的喷出孔39a、39b沿y方向空开间隔地形成有多个。因此，从喷出孔39a、39b喷射的冷却气体向工件w的整个宽度方向(y方向)喷射。
60.如图1所示，供气管38在上部导向辊22a、22b、22c各自的下方以沿z方向空开间隔的方式配置有2个。另外，供气管38在下部导向辊24各自的上方以沿z方向空开间隔的方式配置有2个。由图1可知：供气管38配置于与第1加热器26a、26b及第2加热器28的配置位置不同的位置。具体而言，第2加热器28和供气管38沿z方向(输送方向)空开相等的间隔交替地配置。另外，如上所述，通过架设于导向辊22a、22b、22c、24的工件w而将处理室19a、19b区分为上部处理室19a和下部处理室19b，在上部处理室19a和下部处理室19b分别配置有供气管38。
61.作为向供气管38供给的冷却气体，可以使用例如氮、ar气体等不活泼性气体。处理
室19a、19b内的气氛气体通过从供气管38向处理室19a、19b内喷射的气体而进行调整。本实施例中，为了除去工件w中包含的水分，将处理室19a、19b内的气氛气体调整为：露点在0℃以下的气体。此外，作为冷却气体，可以采用露点在0℃以下的大气。
62.如图1、5、6所示，热处理炉10还具备：设置在输入口15a附近的空气幕装置50。空气幕装置50具备：在处理室19b内沿着y方向延伸的下部供气管48b、在处理室19a内沿着y方向延伸的上部供气管48a、以及配置在处理室19a、19b之外且向上部供气管48a及下部供气管48b供给遮挡气体(第2气体的一例)的供气风扇(省略图示)。
63.如图5、6所示，下部供气管48b配置在：处理室19b内的输入侧壁15的附近且是工件w的背面侧。详细而言，下部供气管48b位于输入口15a的下边151b的少许下方位置，并沿着下边151b配置。即，在沿着工件w的输送方向观察时，输入口15a形成为具有沿着y方向延伸的一对上边151a及下边151b(第1边的一例)、以及沿着z方向延伸的一对侧边152(第2边的一例)的矩形。下部供气管48b沿着与工件w的背面平行的下边151b而配置，下部供气管48b的一端位于比下边151b的一端(－y方向的端部)更趋向－y方向的位置，下部供气管48b的另一端延伸到处理室19b之外。即，下部供气管48b的y方向上的尺寸比下边151b的尺寸l还要长，下部供气管48b配置在下边151b的整个下方位置。
64.在下部供气管48b形成有：朝向工件w的背面喷出从供气风扇供给来的遮挡气体的供气口49b(第2供气口的一例)(参照图7)。在本实施例中，供气口49b形成为：沿着下部供气管48b的轴线方向(y方向)延伸的窄缝状。形成为窄缝状的供气口49b形成在图6所示的l1的范围内。所以，供气口49b的y方向上的尺寸l1大于等于输入口15a的下边151b的尺寸l(l≤l1)。另外，由图6明确可知，供气口49b的一端位于比下边151b的一端(－y方向的端部)更趋向－y方向的位置，供气口49b的另一端位于比下边151b的另一端( y方向的端部)更趋向 y方向的位置。因此，供气口49b必定位于输入口15a的下方位置，来自供气口49b的遮挡气体就会朝向输入口15a的y方向的整体喷出。
65.另外，本实施例的供气口49b虽然是沿着y方向延伸的窄缝状的单一的供气口，但是，并非仅限定于这样的形态。例如，也可以由以沿y方向空开规定的间隔的方式配置的多个供气口来形成供气口49b。这种情况下，多个供气口之中的在一方端部配置的供气口可以位于比下边151b的一端(－y方向的端部)更趋向－y方向的位置，在另一方配置的供气口可以位于比下边151b的另一端( y方向的端部)更趋向 y方向的位置，由此，将遮挡气体朝向输入口15a的整体喷出。
66.如图7所示，供气口49b形成在下部供气管48b的周向上的一处。因此，从供气口49b喷出的遮挡气体朝向下部供气管48b的周向上的特定的方向喷出。在本实施例中，如图5所示，从供气口49b喷出的遮挡气体的方向(箭头62a的方向)为：遮挡气体从供气口49b经过输入口15a而朝向炉体12的外部的方向。由图5明确可知，从供气口49b喷出的遮挡气体在炉体12的外部而冲撞于工件w的背面，从而分成：朝向炉外的流动(箭头62c)和朝向炉内的流动(箭头62b)。在本实施例中，由于遮挡气体是在炉体12的外部冲撞于工件w的背面，因此，朝向炉外的流动(箭头62c)要强于朝向炉内的流动(箭头62b)。据此，能够有效地抑制炉体12外部的大气进入于处理室19a、19b内的情形。
67.另外，从供气口49b喷出遮挡气体的方向只要是能够遮挡输入口15a的方向即可，并非限定于图5所示的方向。例如，在与工件w的表面(或者背面)正交且通过输入口15a和输
出口16a的断面来观察时(即，在图5所示的断面观察时)，可以对喷出遮挡气体的方向进行设定，以使得从供气口49b喷出遮挡气体的方向与工件w的背面所成的角度(图5的θ2)为0～90度的范围。根据这样的构成，通过遮挡气体冲撞于工件w的背面，也充分地产生朝向炉外的流动，能够抑制炉体12的外部的大气进入于处理室19a、19b内的情形。
68.另一方面，上部供气管48a配置在处理室19a内的输入侧壁15的附近且是工件w的表面侧(参照图5、6)。详细而言，上部供气管48a位于输入口15a的上边151a的少许上方位置，且沿着与工件w的表面平行的上边151a而配置。上部供气管48a与下部供气管48b同样地，其一端位于比上边151a的一端(－y方向的端部)更趋向－y方向的位置，其另一端延伸到处理室19a之外。
69.在上部供气管48a形成有：将从供气风扇供给来的遮挡气体朝向工件w的表面喷出的供气口49a(第1供气口的一例)(参照图7)。供气口49a与供气口49b同样地，形成为在上部供气管48a的轴线方向(y方向)延伸的窄缝状，且形成在图6所示的l1的范围内。所以，供气口49a的y方向上的尺寸与供气口49b的尺寸l1相同，且大于等于输入口15a的上边151a的尺寸l(l≤l1)。另外，即便在上部供气管48a，供气口49a也必定位于输入口15a的上方位置，来自供气口49a的遮挡气体朝向输入口15a的y方向的整体喷出。另外，供气口49a与供气口49b同样地，也可以由以沿y方向空开规定的间隔的方式配置的多个供气口来形成。
70.如图5所示，从供气口49a喷出的遮挡气体的方向(箭头60a的方向)为：遮挡气体从供气口49a经过输入口15a而朝向炉体12的外部的方向。在本实施例中，从供气口49a喷出的遮挡气体在炉体12的外部冲撞工件w的表面，被分成朝向炉外的流动(箭头60c)和朝向炉内的流动(箭头60b)。由图明确可知，由于朝向炉外的流动(箭头60c)要强于朝向炉内的流动(箭头60b)，因此，能够有效地抑制炉体12外部的大气进入到处理室19a、19b内的情形。
71.另外，由图6明确可知，从供气口49a喷出的遮挡气体与工件w冲撞的位置(y方向的位置)、和从供气口49b喷出的遮挡气体与工件w冲撞的位置(y方向的位置)被设定成相同位置。因此，在没有工件w的位置(y方向的位置(参照图6))，从供气口49a喷出的遮挡气体和从供气口49b喷出的遮挡气体相冲撞，形成出朝向炉外的流动和朝向炉内的流动。通过使来自上部供气管48a的遮挡气体的流动和来自下部供气管48b的遮挡气体的流动冲撞而形成出朝向炉外的流动，能够有效地抑制炉体12的外部的大气进入到处理室19a、19b内的情形。
72.另外，关于从供气口49a喷出遮挡气体的方向，可以与供气口49b同样地设定喷出遮挡气体的方向，以使得在图5所示的断面观察时，从供气口49a喷出遮挡气体的方向与工件w的表面所成的角度(图5的θ1)为0～90度的范围内。
73.另外，作为从供气口49a、49b喷射的遮挡气体，可以使用与向供气管38供给的冷却气体相同的气体，例如，氮、ar气体等不活泼性气体，或者，也可以使用与向供气管38供给的冷却气体不同的气体。在本实施例中，为了除去工件w中包含的水分，优选将处理室19a、19b内的气氛气体调整为：露点在0℃以下的气体。因此，例如，可以从供气管38供给露点－40℃的不活泼性气体或者大气等，从空气幕装置50供给露点－60℃或者露点－20℃的不活泼性气体或者大气等。
74.另外，从上述的说明中明确可知，从输入口15a的工件w至上边151a之间的开口通过从供气口49a喷射的遮挡气体而被遮挡，从输入口15a的工件w至下边151b之间的开口通过从供气口49b喷射的遮挡气体而被遮挡。另一方面，由图中明确可知，从工件w至输入口
15a的上边151a为止的距离比从工件w至输入口15a的下边151b为止的距离还要短。因此，在本实施例中，可以设定为：从供气口49a喷射的遮挡气体的流量比从供气口49b喷射的遮挡气体的流量还要少。不过，也可以设定为：从供气口49a喷射的遮挡气体的流量和从供气口49b喷射的遮挡气体的流量相同。
75.控制器44由具备cpu、rom、ram的处理器构成，对输送装置20、加热装置26a、26b、28以及供气装置进行控制。具体而言，控制器44通过控制输送装置20来控制工件w的输送速度及张力，通过控制加热装置26a、26b、28来控制工件w的加热量，通过控制供气装置来控制从供气管38向工件w喷射的冷却气体的流量及流速。此外，控制器44对从空气幕装置50喷射的遮挡气体的流量及流速进行控制。
76.此外，在热处理炉10设置有：用于将卷绕于输入口辊21的工件w安装于输出口辊25的贯穿装置。如图1所示，贯穿装置具备：在处理室19a、19b内和处理室19a、19b外通过并且进行循环的链条42、以及用于驱动链条42的驱动装置(省略图示)。链条42与被架设于导向辊22a、22b、22c、24的工件w同样地，从输入口15a开始，沿上下方向改变朝向，同时延伸至输出口16a，从输出口16a开始，在处理室19a、19b的外侧通过而返回输入口15a。如图1所示，架设链条42的路径在多处与架设工件w的路径(即、工件w的输送路径)交叉。此外，链条42所配置的位置为：工件w的宽度方向(y方向)上的外侧的位置，因此，链条42和工件w不会相互干扰(参照图2)。为了利用贯穿装置而将工件w安装于输出口辊25，首先，利用设置于链条42的未图示的夹具，夹紧卷绕于输入口辊21的工件w。接下来，利用驱动装置而使链条42循环，将工件w从输入口辊21送出。据此，保持于链条42的夹具上的工件w在处理室19a、19b内会与链条42一同移动，并移动至输出口16a。当工件w移动至输出口16a时，对夹具进行操作，从链条42将工件w放开，并将工件w安装于输出口辊25。最后，使输出口辊25旋转而对工件w施加张力，由此，工件w从输入口15a借助导向辊22a、22b、22c、24而被架设至输出口16a。
77.接下来，对采用上述的热处理炉10而从工件w中除去水分的处理进行说明。首先，从供气管38向处理室19a、19b内供给冷却气体，将处理室19a、19b内调整为规定的气氛。此时，使空气幕装置50进行工作，通过从供气口49a、49b喷射的遮挡气体，从炉体12的外部而对输入口15a进行遮挡。据此，能够抑制炉体12外部的气体经过输入口15a而进入到处理室19a、19b内的情形。接下来，控制器44对输送装置20进行驱动，由此将工件w从输入口15a经过处理室19a、19b而输送至输出口16a。此时，控制器44对加热装置26a、26b、28进行控制，从而对工件w照射红外线区域的电磁波，并且，从供气管38向工件w的表面喷出冷却气体。当从加热装置26a、26b、28照射出红外线区域的电磁波时，工件w中包含的水分吸收所照射的电磁波，使得水分蒸发。从工件w中蒸发出的水分又通过从供气管38喷射的冷却气体而从工件w的表面被除去。包含有从工件w的表面除去的水分(其中，水分中含有微量的有机溶剂)的气氛气体会从下壁13的排气口13a和上壁14的排气口14a而分别向处理室19a、19b外排出。工件w在从输入口15a输送至输出口16a的期间被除去水分。被除去水分的工件w卷绕于输出口辊25。
78.根据上述的热处理炉10，在导向辊22a、22b、22c、24的附近，具备：与导向辊22a、22b、22c、24对置的第1加热器26a、26b。另外，在上部导向辊22a、22b、22c与下部导向辊24之间具备第2加热器28。利用上述加热器26a、26b、28，能够控制与导向辊22a、22b、22c、24接触的状态下的工件w的热收支，另外，还能够控制未与导向辊22a、22b、22c、24接触的状态下的
工件w的热收支。因此，能够很好地控制工件w的热收支，从而能够明显地提高从工件w中除去水分的处理的效率。例如，因工件w与导向辊22a、22b、22c、24接触而使热从工件w流向导向辊22a、22b、22c、24从而导致工件w过于冷却的情况下，增加从第1加热器26a、26b向工件w供给的热量，使得工件w不会过于冷却。据此，能够防止从工件w中除去水分的效率降低。
79.另外，上述的热处理炉10中，供气管38和第2加热器28在输送方向上交替地配置，另外，来自供气管38的冷却气体从与工件w的表面正交的方向喷射。据此，从工件w的内部蒸发出的水分从工件w的表面被快速地除去，促进来自工件w的水分的除去。据此，还能够提高工件w的水分的除去效率。
80.此外，通过架设于导向辊22a、22b、22c、24的工件w而将处理室19a、19b区分为上部处理室19a和下部处理室19b，不过，在上部处理室19a和下部处理室19b均配置有供气管38和排气口14a、13a。因此，供给至上部处理室19a的冷却气体及供给至下部冷却室19b的冷却气体与被除去的水分一同快速地向处理室19a、19b外排出。据此，还能够优化处理室19a、19b内的气体流动，提高工件w的水分除去效率。另外，在本实施例中，在输入口15a的附近配置有空气幕装置50，能够抑制炉体12外部的气体经由输入口15a而进入到处理室19a、19b内的情形。因此，能够抑制处理室19a、19b内的气氛变差的情形，从而能够提高工件w的水分除去效率。
81.此外，加热器26a、26b、28选择用于形成内管及外管的红外线透过材料，由此，能够调整放射的红外线的波长区域。因此，通过根据工件w的特性而调整放射的电磁波的波长，能够提高工件w的热处理效率。例如，作为工件w，考虑对由固体成分(苯酚
·
环氧树脂、10～90wt％)、以及使该固体成分成为浆料状或糊料状的溶剂(水或溶剂(例如、ipa(异丙醇、nmp(n－甲基－2－吡咯烷酮)等)构成的物质进行干燥的情形。对这样的工件w进行干燥的情况下，可以在热处理炉10的前半部分，利用选择了近红外线波长的加热器26a、26b、28来进行水或溶剂的干燥，在热处理炉10的后半部分，利用选择了远红外线波长的加热器26a、26b、28来进行退火。
82.另外，在上述的实施例中，加热器26a、26b、28放射了全部相同的波长区域的电磁波，但并非仅限定于这样的例子。例如，从加热器26a、26b、28放射的电磁波的波长可以根据输送路径上的位置进行调整。例如，利用热处理炉10从工件w中除去水分的情况下，工件w中包含的水分量从输入口15a朝向输出口16a而逐渐降低。因此，通过使从加热器26a、26b、28放射的电磁波的波长从输入口15a朝向输出口16a而逐渐变长，能够将与水分量相对应的电磁波向工件w照射。
83.另外，在上述的实施例中，在导向辊22a、22b、22c、24的附近配置第1加热器26a、26b，利用第1加热器26a、26b对工件w进行加热，但并非仅限定于这样的例子。例如，可以在导向辊的内部设置供热媒流通的流路，利用导向辊对工件w进行加热。通过这样的构成，也能够控制与导向辊接触的状态下的工件w的热收支，提高工件w的热处理效率。
84.另外，在上述的实施例所涉及的热处理炉10中，可以具备：对输入口15a的上下方向上的开口宽度(z方向上的尺寸)进行调整的开口宽度调整装置。例如，如图8、9所示，开口宽度调整装置具备：配置在工件w的表面侧的上部遮蔽板52(第1遮蔽板的一例)、以及配置在工件w的背面侧的下部遮蔽板54(第2遮蔽板的一例)。上部遮蔽板52安装在输入侧壁15的外表面且是输入口15a的上方位置。上部遮挡板52为主视呈矩形的板材，通过用户的手动操
作，能够相对于输入侧壁15而在上下方向上进行移动。下部遮蔽板54安装在输入侧壁15的外表面且是输入口15a的下方位置。下部遮挡板54也为主视呈矩形的板材，通过用户的手动操作，能够相对于输入侧壁15而在上下方向上进行移动。因此，用户使上部遮蔽板52向下方移动到与工件w的表面接近的位置，另外，使下部遮蔽板54向上方移动到与工件w的背面接近的位置，如图8、9所示，能够减小输入口15a的上下方向上的开口宽度。据此，能够进一步抑制炉体12外部的大气经由输入口15a而进入到处理室19a、19b内的情形，从而容易将处理室19a、19b内的气氛控制在所期望的状态。另外，上部遮蔽板52和下部遮蔽板54也可以通过电动马达等而在上下方向上进行移动。
85.另外，在上述的实施例所涉及的热处理炉10中，可以在导向辊22a、22b、22c、24的轴承部具备：用于抑制炉体12外部的气体进入到处理室19a、19b内的结构。例如，如图10所示，导向辊22a、22b、22c、24具备旋转轴56，旋转轴56通过设置在侧壁17、18的轴承58、59而被支承为能够旋转。在侧壁17、18分别设置有：位于配置在处理室侧的轴承59与配置在炉外侧的轴承58之间的空间60、以及一端在空间60呈开口而另一端在炉外呈开口的供气通路62(第2供气装置的一例)。在供气通路62的另一端连接有未图示的供气风扇。当供气风扇进行工作时，冷却气体(向供气管38供给的气体)或者遮挡气体(向空气幕装置50供给的气体)被供给于供气通路62的另一端。其结果，冷却气体或者遮挡气体从供气通路62的一端被供给到空间60内。据此，能够抑制炉体12外部的大气经由轴承部58、59而进入到处理室19a、19b内的情形。
86.另外，在上述的实施例中，虽然在处理室19a、19b的内部设置有空气幕装置50，但并非仅限定于这样的例子，也可以在处理室的外部(例如，输入侧壁15的外表面)设置空气幕装置。另外，在上述的实施例中，虽然只在输入口15a设置了空气幕装置50，但并非仅限定于这样的例子，还可以在输出口16a设置空气幕装置。
87.另外，在上述的实施例中，虽然上部供气管48a和下部供气管48无法围绕其轴线进行旋转，但并非仅限定于这样的例子，例如，也可以将上部供气管48a和下部供气管48b以能够旋转的方式支承于侧壁17或18。根据这样的构成，通过使上部供气管48a和下部供气管48b围绕轴线旋转，能够调整用于喷出遮挡气体的方向。据此，能够调整空气幕装置对输入口进行遮挡的遮挡效果。
88.另外，在上述的实施例中，如图6所示，虽然沿着输入口15a的上边151a来配置上部供气管48a，沿着输入口15a的下边151b来配置下部供气管48b，但并非仅限定于这样的例子。例如，也可以沿着输入口15a的一对侧边152、152的一方来配置供气管。即，也可以以沿着任意一个侧边152而在z方向延伸的方式来配置供气管，使得从该供气管向水平方向喷出遮挡气体。根据这样的构成，由于与工件w的表面(背面)平行地喷出遮挡气体，因此，通过只在一对侧边152中的一方来配置供气管，就能够对输入口15a的整体进行遮挡。
89.本说明书或附图中说明的技术要素单独发挥出技术有用性，或者通过各种组合而发挥出技术有用性，并不限定于申请时权利要求中记载的组合。另外，本说明书或附图中例示的技术同时实现多个目的，实现其中一个目的的技术本身具有技术有用性。