扇出型晶圆级封装结构的封装方法与流程

技术特征：
1.一种扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供两片以上具有焊垫的半导体芯片，并将所述半导体芯片粘合于粘合层上，形成扇出型晶圆阵列；采用塑封层封装所述半导体芯片；去除所述粘合层，并于所述半导体芯片上形成重新布线层，以实现各半导体芯片之间的互连；所述重新布线层包括至少一层依次层叠的子重新布线层，形成每层所述子重新布线层的方法包括：于所述半导体芯片上形成介质层；采用光刻工艺在所述介质层中形成通孔；对形成有所述通孔的介质层进行烘烤，消除所述通孔周围的所述介质层的翘曲；对所述扇出型晶圆阵列进行固化；于所述通孔中及所述介质层上形成与所述通孔对应的图形化的金属布线层；于所述重新布线层上形成金属凸块。2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述粘合层粘合于支撑基底上；形成所述重新布线层前，同时去除所述支撑基底及所述粘合层。3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述介质层的材料包括pi、pbo中的一种或两种的组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。4.根据权利要求3所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述介质层的材料为pi材料，在介于120℃～150℃之间的温度下对所述介质层烘烤80s～120s，在介于220℃～260℃之间的温度下对所述扇出型晶圆阵列固化110min～130min。5.根据权利要求4所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：在120℃的温度下对所述介质层烘烤100s，在240℃的温度下对所述扇出型晶圆阵列固化120min。6.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述粘合层包括胶带、通过旋涂工艺制作的粘合胶或环氧树脂中的一种。7.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述塑封层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。8.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于，形成最下层所述子重新布线层的所述通孔的方法包括：于所述半导体芯片上形成介质层，将所述介质层划分为两个以上介质层刻蚀单元；采用光刻工艺逐一刻蚀所有所述介质层刻蚀单元，以在所述介质层中形成裸露出每个所述半导体芯片的所述焊垫的所述通孔，其中，每次刻蚀所述介质层刻蚀单元时重新调整光刻工艺的光刻曝光方向。9.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述金属凸块包括金锡焊球、银锡焊球、铜锡焊球中的一种，或者，所述金属凸块包括金属柱，以及形成于所述金属柱上的焊球。10.根据权利要求9所述的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于：所述金属柱的材料包括铜或镍。

技术总结
本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构的封装方法，包括：提供两片以上半导体芯片，并粘合于粘合层上；采用塑封层封装半导体芯片；去除粘合层，并于半导体芯片上形成重新布线层，以实现各半导体芯片的互连；重新布线层包括至少一层依次层叠的子重新布线层，形成子重新布线层的方法包括：于半导体芯片上形成介质层；采用光刻工艺在介质层中形成通孔；对形成有通孔的介质层进行烘烤，消除通孔周围的介质层的翘曲；对介质层进行固化；于通孔中及介质层上形成与通孔对应的图形化的金属布线层并于其上形成金属凸块。该方法可有效改善通孔周围介质层的形貌，消除通孔周围介质层的翘起，提高后续形成的重新布线层与半导体芯片的电连接性能。性能。性能。


技术研发人员：赵海霖
受保护的技术使用者：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
技术研发日：2020.09.08
技术公布日：2022/3/7